چکیده: با کوچک سازی مداوم قطعات الکترونیکی بحث ترابری الکترون در ساختارهای نانویی و کاربردهای آن در صنعت الکترونیک و تکنولوژی فوق مدرن کاربرد وسیعی پیدا کرده است. تکنیکهای پیشرفته ی رشد بلور مانند تکنیکهای لیتوگرافی نیز طراحی و تولید ساختارهای مصنوعی را فراهم کرده اند که پدیده های فیزیکی جدیدی را نشان می دهند. یکی از قطعات مصنوعی, نقطه ی کوانتومی ( ) می باشد. نقاط کوانتومی نواحی کوچک تعریف شده ای در مواد نیمه رسانا با اندازه ای از مرتبه ی nm100 هستند. در این ابعاد ریز دما عاملی مهم و اثر گذار بر خواص ترابری الکترون و رسانش است. علاوه بر این, اگر ظرفیت الکتریکی قطعه به اندازه ای کوچک باشد که انرژی شارژ الکترواستاتیک مورد نیاز برای افزایش یک تک الکترون به قطعه بیشتر از انرژی گرمایی باشد, پدیدهای تونل زنی تک الکترون با اهمیت می شوند و باید در نظر گرفته شوند. هدف اصلی ما در این تحقیق, بررسی رسانش از میان یک جفت نقطه ی کوانتومی است. با استفاده ازروابط تحلیلی بدست آمده و با استفاده از نرم افزار متلب , نمودار رسانش سیستم جفت نقطه را بصورت تابعی از ولتاژ گیت رسم می کنیم. در حالت جفت شدگی متقارن به رابطها نشان می دهیم که با افزایش نسبت انرژی شارژ به دما سیستم جفت نقطه به یک سیستم نقطه ی کوانتومی منفرد با ظرفیت الکتریکی بزرگتر گذار می کند. علاوه بر این, اثر جفت شدگی نا متقارن سیستم به رابطها را نیز در نظر گرفته با تغییر پارامترهای عدم تقارن سیستم, اثر نامطلوب آن بر رسانش سیستم را ملاحظه می کنیم. کلید واژه ها: نقطه ی کوانتومی, جفت نقطه ی کوانتومی, رسانش