درعلم نیمه هادی هرچه ابعاد قطعه کوچکتر میشود اثرهای کانال کوتاه ومکانیک کوانتومی ( وجود ترازهای انرژی گسسته در لایه های الکترونی اتم ) روی مشخصه های ترانزیستور بیشترخود را ظاهرمی سازند ، وترانزیستورهای نانو وایر فت به عنوان یکی از مهمترین قطعات با کاهش قطر کانال به یک سیم نازک ، کنترل کانال را بخوبی انجام میدهند . این قطعات بطور گسترده در تکنولوژی cmos درحال توسعه هستند واین سبب میشود که در مدارات مجتمع پتانسیل خوبی برای استفاده داشته باشند . در نتیجه نیاز به داشتن یک مدل رفتاری درسطح مدار برای این قطعات ، درک فیزیک آن و برآورد محدودیتهای کیفی آن جهت استفاده درvlsi است. و این چنین مدلی می بایست قادر به آنالیز و شبیه سازی مدارهای شامل ترانزیستورهای نانو وایر فت پیچیده دریک زمان قابل قبول باشد. به همین دلیل دراین پروژه به مدلسازی مشخصه های ترانزیستورهای silicon nanowire fets برحسب پارامترهای قطعه (ضخامت اکسید گیت ، ضخامت سیلیکون یا ضخامت کانال ارتباطی سورس و درین ) و ولتاژهای ترمینالهای آن با استفاده از شبکه های عصبی مصنوعی و شبکه anfis پرداخته شده است . واین چنین مدلی در شبیه سازی یک اینورتر مقاوتی با استفاده از نرم افزار hspice بکار برده شده است .همچنین نتایج حاصل از شبیه سازی با روشهای گوناگون با هم مقایسه شده اند . که مدل عصبی دارای خطای کمتری نسبت به مدل anfis می باشد .