در این رساله به بررسی طیف رامان نقایص ایجاد شده در نانولوله های کربنی چند دیواره بمباران شده با آرگون در دز و انرژی های مختلف پر داخته شده است نمونه ها با انرژی 3-50 kev و دز ion/cm2 1017×3 و1018×3 وخلا torr6 -10 بمباران شدند. به منظور بررسی اثر بمباران ار آنالیز های میکروسکوپ الکترونی روبشی و پایداری حرارتی و رامان استفاده شده است و همچنین مقاومت سطحی نمونه ها با تکنیک چهار پروپ نقطه ای اندازه گیری شد از نتایج بدست آمده مشاهده می شود که نسبت id/ig با افزایش دز افزایش می یابد و از رفتار مشابه نسبت های id/igبا id/ig نتیجه می گیریم باند d نیز نشان دهنده نقص در نانولوله می باشد و با اندازه گیری مقاومت سطحی نتیجه می گیریم که مقاومت نمونه ها به سبب ایجاد نقص با افزایش دز، افزایش می یابد.