خواص الکتریکی و مغناطیسی نانوروبان های گرافینی در سال های اخیر توجه زیادی را به خود جلب کرده است. در این میان بررسی اثر بی نظمی بر روی خواص ترابرد الکتریکی این نانو ساختارها اهمیت زیادی دارد. در این پایان نامه برای بررسی اثرهای بی نظمی، ابتدا هامیلتونی تنگابست این سیستم را در فضای حقیقی تشکیل می دهیم، سپس بی نظمی اندرسون یا تراوش کوانتومی را به این مدل هامیلتونی اضافه می کنیم و ویژه توابع هامیلتونی را به دست می آوریم. جهت بررسی خواص ترابرد الکتریکی نانوروبان ها در حضور بی نظمی، جایگزیدگی و گستردگی توابع موج الکترونی را توسط پارامتر تشخیص ipr تعیین کردیم. در واقع شدت جایگزیدگی ویژه توابع هامیلتونی پارامتر مناسبی جهت بررسی ترابرد سیستم می باشد. نانوروبان های واقعی منزوی هستند و بوسیله ی خلأ احاطه شده اند، بنابراین اثر استتار برهم کنش کولنی در آن ها ضعیف است. به همین دلیل در قسمت آخر این پایان نامه اثر برهم کنش الکترون-الکترون را روی چگالی حالات این نانوروبان ها مورد بررسی قرار دادیم. برهم کنش را با تقریب هارتری-فوک در نظر گرفتیم و از معادلات خودساز هارتری-فوک کمک گرفتیم. محاسبات ما با استفاده از این روش نشان می دهد که اگر شدت بی نظمی قوی باشد، می توان انتظار وجود یک لبه ی تحریک پذیری در نانوروبان های گرافینی را داشت که با نتایج آزمایشگاهی مطابقت دارد. کلمات کلیدی: نانوروبان های گرافینی، بی نظمی اندرسون، بی نظمی تراوش کوانتومی، پارامتر تشخیص ipr، تقریب هارتری-فوک.