در این رساله رفتار پالس های نوری در ناحیه نور کند در موجبرهای بلور های فوتونی شبیه سازی خواهد شد. مدیریت پاشندگی در ناحیه نور کند در بلور فوتونی با ایجاد نقص در بلور، توسط سیال نوری صورت گرفته است. سپس نشان داده می شود که با استفاده از این تکنیک، می توان بافرهای نوری طراحی کرد که میزان تاخیر آنها با تغییر ضریب شکست سیال نوری قابل تنظیم است. همچنین با استفاده از این روش سرعت گروه بین 30/c تا 110/c با پهنای نوار(1%) از nm3 تا nm10 حاصل شده است.جهت اندازه گیری آثار غیرخطی در بلور فوتونی، انتشار پالس نوری در بلور فوتونی تیغه ای سیلیکونی به طور عملی اندازه گیری می شود. ناحیه نورکند با پاشندگی ناچیز در بلور فوتونی در ساختار عملی به صورت نقص در دوردیف اول نزدیک به هسته، تغییر مکان دو ردیف اول، در ضریب شکست وارد می شود. سپس رفتار انتشار پالس نوری در ناحیه نور کند با ضرایب گروه متفاوت اندازه گیری می شود. بر اساس داده های اندازه گیری شده نحوه وابستگی آثار غیرخطی خود مدوله شدگی فازی، جذب الکترون های آزاد، حذب دو فوتونی، و ترکیب چهارموج در ناحیه نور کند به ضریب گروه مدل سازی و شبیه سازی می شود. جهت شبیه سازی آثار غیرخطی پارامترهای γ و βtpa با ضریب s2 و α، σ، و kc با ضریب s در معادله شرودینگر غیرخطی اصلاح خواهد شد. در ادامه با استفاده از مزایای ناحیه نور کند به بررسی بهینه سازی در تقویت اثرغیرخطی چهارموجی پرداخته می شود. در این فصل نقاط مناسب برای طول موج پمپ و پروب برای افزایش بازدهی ترکیب چهارموجی ارائه خواهد شد. با استفاده از مزایای نور کند درتقویت آثار غیرخطی شیوه طراحی قطعه بازتولیدکننده سیگنال ارائه می شود