در این تحقیق لایه های نازک نیمرسانای اکسید قلع به روش بخار شیمیایی بر روی بسترهای شیشه ای تهیه شده است. سپس اثر شار اکسیژن و زمان لایه نشانی بر روی خواص ساختاری، الکتریکی و اپتیکی لایه های نازک مورد مطالعه قرار گرفته است.لایه های تهیه شده توسط پراش پرتو ایکس (xrd)، میکروسکو‍‍‍پ الکترونی روبشیاثر میدان (fesem)و جذب نوری (uv-vis)مشخصه یابی شده اند. لایه ها دارای خواص بس بلور و یکنواخت با جهت گیری ارجح (101)می باشند.افزایش شار اکسیژن و زمان لایه نشانی سبب افزایش شدت فله های پراش پرتو ایکس، کاهش اندازه دانه ها و زبری سطح لایه ها می شود. متوسط گاف نوری لایه ها بترتیب 82 ? و 3.8 الکترون ولت می باشد.