نام پژوهشگر: کیومرث یاسریان

اثر جریان فیلامان بر شکست الکتریکی در سیستم تخلیه الکتریکی مسطح
پایان نامه دانشگاه آزاد اسلامی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی - دانشکده علوم پایه 1390
  آرین فاتح برخواری   کیومرث یاسریان

این پایان نامه خصوصیات شکست الکتریکی دی سی همراه با جریان فیلامان را بررسی کرده است. از آنجا که مطالعه اثرات میدان الکتریکی و جریان فیلامان بر ویژگیهای شکست الکتریکی اثرگذار است، انگیزه ای برای ضرورت رسیدن به درک بهتر از مکانیزم پیچیده پدیده تخلیه الکتریکی گاز است و همچنین اینکه جریان فیلامان می تواند برای حل مشکلات عملی مربوط به کاربری این نوع از تخلیه برای فن آوری های پردازش پلاسما راهگشا باشد. برای بهینه سازی شکست الکتریکی، مثلاً در دستگاه های تخلیه الکتریکی مسطح یا فیوز و غیره ، راههای متعددی برای کاهش و کنترل ولتاژ شکست وجود دارد. ما بصورت تجربی اثرات فیلامان داغ واقع در پشت کاتد را روی خصوصیات شکست الکتریکی بررسی کردیم . دستگاه ما شامل دو الکترود مسطح و یک فیلامان متحرک که در پشت کاتد قرار دارد، می باشد. سمت راست منحنی پاشن برای جریان های مختلف فیلامان و همچنین مکان های مختلف در حضور گازهای آرگون و نیتروژن بدست آمده است. ضریب یونیزاسیون موثر و ضریب گسیل یونیزاسیون ثانویه در جریان ها و موقعیت های مختلف فیلامان اندازه گیری شده اند، و دیدنیست که افزایش جریان فیلامان باعث کاهش مقدار شکست الکتریکی شده، که بیشتر در فشارهای پائین ادا می شود. حداکثر مقدار ضریب یونیزاسیون موثر وابسته به معکوس پتانسیل یونیزاسیون گاز است و بنابراین حضور فیلامان بر ضریب یونیزاسیون موثر، اثر قابل توجهی ندارد. بعلاوه، جابجایی فیلامان از کاتد منجر به کاهش ضریب گسیل یونیزاسیون ثانویه می گردد.

تاثیر میدان مغناطیسی بر شکست الکتریکی در حضور گازهای آرگون و نیتروژن
پایان نامه دانشگاه آزاد اسلامی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی - دانشکده علوم پایه 1392
  سودا سنبل دوست   کیومرث یاسریان

دراین پایان نامه، خصوصیات شکست الکتریکی دی سی با حضور میدان مغناطیسی بررسی شده است. برای کاهش مقدار پتانسیل شکست الکتریکی، راههای متعددی وجود دارد، مانند استفاده از یک فیلامان، میدان مغناطیسی محوری و عمودی. در اینجا ما، اثرات میدان مغناطیسی محوری را بر روی ویژگی های شکست الکتریکی بررسی نمودیم. دستگاه ما شامل دو استوانه ی هم محور و یک سیم پیچ مغناطیسی برای تولید میدان مغناطیسی محوری در حضور گازهای آرگون و نیتروژن می باشد. ضریب یونیزاسیون موثر و ضریب گسیل الکترون ثانویه به دست آمده است. مشاهده می شود که با استفاده از میدان مغناطیسی، پتانسیل شکست الکتریکی کاهش یافته که بیشتر در فشارهای پایین ادا می شود. علاوه بر این، میدان مغناطیسی ضریب یونیزاسیون موثررا تغییر نمی دهد در حالی که میدان مغناطیسی سبب افزایش ضریب گسیل الکترون ثانویه می گردد.