نام پژوهشگر: عبد المحمود داورپناه
مهدی براتی عبد المحمود داورپناه
ترازهای سطوح اشغال شده و اشغال نشده صفحات با اندیسهای میلر پایین نظیر (110)، (111)، (100) فلزات نجیب تک بلوری یعنی طلا، نقره و مس اثرات مهمی بر رفتار فیزیکی (الکتریکی و نورانی) چنین سطوحی دارند. با استفاده از روش طیف نگاری گسیل معکوس فوتونها میتوان ترازهای خالی و به روش طیفنگاری گسیل فوتونی، ترازهای پرشده سطوح را به طور تجربی مطالعه نمود. طیفنگاری معکوس فوتوالکترون یک روش پیشرفته علوم سطح برای اندازهگیری ترازهای اشغال نشده با دقت بسیار خوب می باشد. بررسی رفتار الکترونیکی ترازهای سطحی در سطوح فلزات تک بلوری مخصوصا توجه ویژه ای را میطلبد. ساختار الکترونیکی مس خالص (110) بوسیله طیفنگاری معکوس فوتو الکترونی فرابنفش با دقت ev5/0 مورد مطالعه قرار گرفته است. ترازهای سطحی اشغال نشده در این کار تحقیقاتی مورد مطالعه قرار گرفتهاند. برای کشف ترازهای جدید الکترونیکی بر روی سطح مس خالص، ابتدا نمونه مورد نظر بدقت آماده شد و سپس کلیه آزمایشها در شرایط خلا فوق بالا صورت گرفت. بعد از اطمینان از آماده شدن سطح که توسط روشهای پراش توسط الکترونهای کم انرژی و طیفنگاری فوتو الکترون پرتوی x انجام شدهاست، آزمایشهای طیفنگاری بازتابی ناهمسانگرد، طیفنگاری فوتوالکترونی فرابنفش و طیفنگاری معکوس فوتو الکترون فرابنفش انجام گرفتهاست، نتایج آزمایشهای بدست آمده با استفاده از طیفنگاری معکوس فوتو الکترون برای ترازهای اشغال نشده مقدار ev5/2 را نشان داد که بخوبی با کارهای دیگران همخوانی دارد. در نهایت فرآیند آزمایش برای طیفنگاری معکوس فوتو الکترون در شرایط دمایی مختلف انجام شد.