در این پایان نامه نخست روشهای اندازه گیری برخی پارامترهای کلیدی مشتمل بر ?_(p ), ? ??_(n ,),n ,p ,n_(a ,) n_(d ) و راستای نیمه هادی وضخامت آنها در نیمه هادیها مورد تحقیق و بررسی قرار گرفته است. اولین روش استفاده از sem است که امکانات آن بصورت مبسوطی مورد مطالعه قرار گرفت و بعنوان راهی برای بقی? دانشجویان جهت پیشرفت در این مسیر عرضه شده است . در مرحله بعد روشهای هال ، پروب چهار نقطه ای و روش c-v بطور همه جانبه مورد مطالعه قرار گرفته و نمونه هایی فراهم شد و با استفاده ازسیستمهای اندازه گیری با روشهای فوق آزمایشاتی روی آنها انجام شد. مهمترین نتیجه گیری از نتایج آزمایشات فوق این بود که تعداد حاملهای حفره یک نمونه از inp در عمقهای مختلف باتعداد ناخالصی های آن که از جنس zn بودند برابر نبود. با ترسیم منحنی نمایش اطلاعات فوق نتایج جالبی به صورت زیر بدست آمد. با مشاهده تفاوت کمیتهای فوق تحقیق گسترده ای در مقالات منتشره بعمل آمد و معلوم شد این تحقیق بوسیل? محققین تراز اول خارجی نیز انجام گرفته است وآنها نیز به همان نتایج ما رسیده اند. ما سعی کردیم وجود اختلاف را توجیه کنیم و این توجیه ما را به این نتیجه رسانید که در اینجا توزیع آماری فرمی – دیراک قابل استفاده نیست و مناسبترین مدل برای مورد فوق الذکرمدل tuck است. همچنین ما دریافتیم که داپ کردن inp با zn به میزانی بیش از رقم ناخالصی در cm3 منجر به نوعی از اشباع می شود به نحوی که نابرابری کمیتهای فوق شروع می گردد.

امروزه با پیشرفت فن آوری ساخت تراشه، آزمون هسته های مختلف جاسازی شده در تراشه به صورت یک مساله اساسی مطرح شده است. به رغم پیشرفت آزمون هسته های دیجیتال روی تراشه، مساله آزمون هسته های آنالوگ همچنان یکی از مسائل مهم در این زمینه می باشد. از مشکلات آزمون هسته های آنالوگ می توان به پرهزینه بودن تولید سیگنال آزمون لازم، حساسیت مدارات آنالوگ نسبت به نویز و اثرات بارگذاری اشاره کرد. در این زمینه روش های خود-آزمون-داخلی به عنوان جایگزینی برای استفاده از ateهای گران قیمت خارجی بسیار مفید و موثر است. اساس کار در روش های خود-آزمون-داخلی تولید سیگنال ورودی آزمون، اعمال آن به مدار تحت آزمون و ارزیابی سیگنال خروجی می باشد. این پایان نامه در راستای تولید سیگنال ورودی آزمون مناسب برای روش های خود-آزمون-داخلی است. با بررسی های انجام داده روی مبدل های دلتا-سیگما که در تحقیقات اخیر مورد استفاده قرار گرفته اند، دریافتیم که تعداد زیادی از مبدل-های دلتا-سیگما پهنای باندی کمتر از mhz5 دارند. بنابراین به تولید یک سیگنال آنالوگ سینوسی با فرکانس mhz2 در داخل تراشه می پردازیم که می تواند در خود-آزمون-داخلی مبدل های دلتا-سیگمای جاسازی شده در تراشه سیستمی مورد استفاده قرار گیرد. برای تولید سیگنال آنالوگ، پس از بررسی مراتب مختلف مدولاتورهای تک-حلقه دلتا-سیگما با ساختار اعوجاج پایین از مدولاتور مرتبه 5 استفاده نمودیم. خروجی این مدولاتور، نسبت سیگنال به نویز برابر با 9/103 دسی بل دارد و دقت این مدولاتور با درنظر گرفتن نویز کوانتایزر برابر 15 بیت است. خروجی این مدولاتور توسط یک فیلتر مرتبه پایین فیلتر شده و سیگنال آنالوگی با sfdr برابر 5/44 دسی بل و thd برابر 4/88 دسی بل به دست می آید. شبیه سازی مدارات مولد سیگنال آنالوگ در نرم افزار ads، با تکنولوژی ?m 18/0 و در ولتاژ تغذیه 5/1 ولت انجام شده است.