نام پژوهشگر: محمد حسین قزل ایاغ

آزمون اثرات امواج الکترومغناطیسی پرقدرت بر مدارات ساده الکترونیکی و تحلیل نتایج آسیب
پایان نامه وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی - دانشکده برق 1389
  احمدرضا امین   محمد حسین قزل ایاغ

در این پایان نامه ابتدا انواع آسیب های فیزیکی قطعات نیمه هادی و تئوری های مورد نیاز الکترومغناطیسی برای شبیه سازی و درک بهتر اثر انتشار موج بر روی مدارات الکترونیکی بررسی و ارائه شده است. آنگاه استانداردها و چیدمان آزمایش ها و سیستم های طراحی و ساخته شده برای انجام آزمون های این پایان نامه بیان گردیده است. توسعه شبیه سازی سه بعدی در حوزه زمان به روش fdtd با کدنویسی به زبان فرترن و با استفاده از شرایط مرزی لایه های کاملاً منطبق (gpml) و تعریف موج تخت با روش tf/sf و بهره گیری از مدل گامل- پون ترانزیستور صورت پذیرفته است. در نرم افزار شبیه ساز برای نخستین بار امکان تحلیل آثار دمایی درشبیه سازی های میدانی به روش fdtd فراهم گشته است. مطالعات، آزمایش ها و شبیه سازی ها نشان داد که احتمال آسیب مستقیم ادوات نیمه هادی در اثر امواج پرقدرت الکترومغاطیسی کم بوده لیکن ایجاد آسیب های ثانویه برای بردهای نزدیک به منابع پر قدرت الکترومغناطیسی می تواند سبب تخریب قطعات الکترونیکی گردد. جدی ترین تهدید امواج الکترومغناطیسی پرقدرت از دست دادن اطلاعات و یا اختلال در عملکرد مدار تلقی گردید. از طرف دیگر مشخص شد که عمدتاً خطوط مدار چاپی و مشخصات موج تابشی تعیین کننده اندازه ولتاژ و جریان القاء شده برروی اجزاء مدار هستند.

آزمون اثرات امواج الکترومغناطیسی پرقدرت بر مدارات ساده الکترونیکی و تحلیل نتایج آسیب
پایان نامه وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی 1389
  احمد رضا امین   محمد حسین قزل ایاغ

در این پایان نامه ابتدا انواع آسیب های فیزیکی قطعات نیمه هادی و تئوری های مورد نیاز الکترومغناطیسی برای شبیه سازی و درک بهتر اثر انتشار موج بر روی مدارات الکترونیکی بررسی و ارائه شده است. آنگاه استانداردها و چیدمان آزمایش ها و سیستم های طراحی و ساخته شده برای انجام آزمون های این پایان نامه بیان گردیده است. توسعه شبیه سازی سه بعدی در حوزه زمان به روش fdtd با کدنویسی به زبان فرترن و با استفاده از شرایط مرزی لایه های کاملاً منطبق (gpml) و تعریف موج تخت با روش tf/sf و بهره گیری از مدل گامل- پون ترانزیستور صورت پذیرفته است. در نرم افزار شبیه ساز برای نخستین بار امکان تحلیل آثار دمایی درشبیه سازی های میدانی به روش fdtd فراهم گشته است. مطالعات، آزمایش ها و شبیه سازی ها نشان داد که احتمال آسیب مستقیم ادوات نیمه هادی در اثر امواج پرقدرت الکترومغاطیسی کم بوده لیکن ایجاد آسیب های ثانویه برای بردهای نزدیک به منابع پر قدرت الکترومغناطیسی می تواند سبب تخریب قطعات الکترونیکی گردد. جدی ترین تهدید امواج الکترومغناطیسی پرقدرت از دست دادن اطلاعات و یا اختلال در عملکرد مدار تلقی گردید. از طرف دیگر مشخص شد که عمدتاً خطوط مدار چاپی و مشخصات موج تابشی تعیین کننده اندازه ولتاژ و جریان القاء شده برروی اجزاء مدار هستند.