اغلب وسـایل نیمرسـانای مهـم بر اساس انتقال حفـره به عنـوان جریان غالب حامل¬ها عمل می¬کنند. ترانزیستورهای دوقطبی، ترانزیستورهای اثر میدانی کانال p، ترانزیستورهای دوقطبی چند عنصری از این جمله¬اند. به علت تبهگنی در k =0، و برهمکنش بین نزدیکترین نوارها، وارد کردن اثر ناسهمی گونی و واپیچش در محاسبات مربوط به خواص انتقال حفره ها در سیلیکان و ژرمانیوم مهم است. این تحلیل بویژه هنگامیکه تبهگنی با در¬نظر گرفتن سه نوار متفاوت ظرفیت (حفره های سنگین، سبک و شکافتی) لحاظ شود بسیار جالب¬تر و پیچیده¬تر می¬شود. محاسبات انتقال حفره در سیلیکان با استفاده از دو رهیافت مختلف قبلا گزارش شده است؛ که اولی قله نوار ظرفیت را در یک تقریب جرم موثر ساده مدل¬سازی می کند و دومی ساختار نوار کامل را با دنبال کردن یک روش شبه پتانسیل تجربی محلی بکار می¬برد. در کار دیگری نیز که شامل نا¬سهمی¬گونی در سیلیکان بود توابع تکه¬ای جهت مطالعه دقیق ترابرد حفره بکار گرفته شد. به هرحال بکا¬ر¬گیری این روش¬ها منجر به ارائه نتایج غیر¬فیزیکی در چگالی حالت¬ها و احتمالات پراکندگی شد. در این پایان¬نامه یک مدل تحلیلی امتحان شده جهت محاسبه نوار¬های ظرفیت سه گانه si و ge ارائه می¬کنیم، که این کاستی¬ها را نداشته باشد. برای این کار از روابط پاشندگی با لحاظ دقیق نا¬همسانگردی و نا-سهمی¬گونی جهت ارزیابی تحلیلی انرژی بر حسب تابع صریحی از بردار موج استفاده کرده¬ایم. نشان می¬دهیم که بیشترین اختلاف بین انرژی حفره سنگین و سبک برای si و ge در جهت ]111 [با بیشترین مقدار تابع زاویه¬ای g(θ,ϕ) (برای si، 6822/0 و برای ge، 8504/0) و کمترین اختلاف در جهت]100 [با کمترین تابع زاویه¬ای (برای si، 1848/0 و برای ge، 6338/0) می¬باشد.

فریت کبالت- روی، یکی از فریت¬های نرم است که در ابزارهای الکترونیکی نظیر هسته-های مبدل¬ها، موتورها و مولدهای الکتریکی استفاده شده است. نانوذرات مغناطیسی توجه محققان و دانشمندان رشته¬های مختلف را به علت کاربردهای وسیع در سیستم ذخیره اطلاعات، تشخیص¬های پزشکی، فناوری فروسیال و غیره به خود جلب کرده است که این اساساً به دلیل متفاوت بودن نانوذرات از نمونه¬ی کپه¬ای متناظر است. نانوذرات فریت co(1-x)znxfe2o4 با پارامتر استوکیومتری x که از 0/0 تا 1/0 تغییر می¬کند، به روش هم رسوبی تهیه شده¬اند. نمونه¬های پودر به روش¬های xrd، tem و agfm مشخصه یابی شده اند. در ادامه، فیلم¬های نازک فریت از نانوذرات co0.5zn0.5fe2o4 به روش کندوپاش با امواج رادیویی بر روی زیر لایه¬ی شیشه و آلومینا رسوب داده شد. فیلم¬های نازک فریت به علت خواص مغناطیسی و الکتریکی متفاوت، پایداری شیمیایی بالا و سختی مکانیکی برای کاربردهای عملی مانند محیط ضبط مغناطیسی، سنسورهای مغناطیسی و کاربردهای ریز موج مورد توجه هستند. خواص ساختاری و مغناطیسی فیلم¬های رسوب داده شده با استفاده از xrd و agfm مورد بررسی قرار گرفت.

ساختارهای دور آلاییده در طراحی، مطالعه و عملکرد ترانزیستورهای اثر میدانی ( fet)کاربرد دارند. به دلیل ناپیوستگی نوار ظرفیت یا رسانش یک چاه کوانتومی شکل می گیرد، که باعث ایجاد یک گاز حامل دو بعدی در فصل مشترک ناهمگون این ساختارها می شود. به دلیل جدایی فضایی بین حامل های آزاد دو بعدی و ناخالصی های یونیده در ساختارهای دور آلاییده برهمکنش کولنی کاهش یافته و در نتیجه پراکندگی ناشی از ناخالصی های یونیده کاهش و به تبع آن تحرک پذیری حامل های آزاد دو بعدی افزایش می یابد. چگالی سطحی گاز حامل دو بعدی به پارامترهای ساختار مثلاٌ ضخامت لایه جداگر، چگالی سطحی بارهای لایه پوششی، ضخامت لایه پوششی و غیره وابسته است. علاوه بر این در ساختارهای دور آلاییده دریچه دار با تغییر ولتاژ دریچه چگالی سطحی گاز حفره ای یا الکترونی قابل کنترل می باشد. یکی از سازوکار هایی که در دماهای پایین موجب پراکندگی می شود، پراکندگی آلیاژی است که به دلیل آلیاژی بودن لایه کانال ساختار دور آلاییده سبب کاهش تحرک پذیری می شود. ساختارsige، si/sige/si آلیاژ می باشد و ساختارgaas،algaas/gaas/algaas غیرآلیاژی است، نفوذ al بر اثر پدیده واماندگی به درون کانال باعث آلیاژی شدن لایه کانال گردیده و پراکندگی آلیاژی را در این گونه ساختارها نیز مشاهده می کنیم. در این پایان نامه، پراکندگی آلیاژی و عوامل موثر در این نوع پراکندگی مانند پتانسیل آلیاژی و درصد آلیاژی و اثر پراکندگی کولنی ناشی از ناخالصی های یونیده دور و ناخالصی های باردار زمینه بر تحرک پذیری گاز الکترونی یا حفره ای دو بعدی2deg/2dhg حامل در ساختارهای دور آلاییده si/sige و algaas/gaas به طور نظری محاسبه شده اند.

چکیده ندارد.