نام پژوهشگر: سیروس راستانی

لایه نشانی sio2 با کمک فشار و استخراج مدل و آنالیز استوکیومتری نتایج بوسیله rbs
پایان نامه وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه قم - دانشکده علوم پایه 1390
  زینب میرزایی   سیروس راستانی

برای بخش عایق لایه های نازک معمولا از دی اکسید سیلیسیوم استفاده میکنندکه این اکسید از ترکیب سیلان و اکسیژن است. درنتیجه برای یک لایه با کیفیت ابتدا باید مکانیزم ترکیب سیلان با اکسیژن بدست بیاید. سپس رابطه فشار و دما با این مکانیزم و بدست آوردن یک مدل برای این لایه نشانی. درنهایت هم این نتایج بوسیله پراکندگی بازگشتی رادرفورد مورد آنالیز قرار گرفت تا کیفیت نهایی انها از نظر استوکیومتری مورد بررسی قرار گیرد

طراحی و ساخت سیستم pa-ltcvd برای کاهش دمای لایه نشانی و آنالیز نتایج توسط ftir
پایان نامه وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه قم - دانشکده علوم 1390
  زهرا حضوربخش   سیروس راستانی

لایه های اکسیدی به روشی جدید در محدوده دمایی بالاتر از 140 درجه سانتیگراد و فشارهای 4 الی 20 تور در نسبت های مختلف گازی o2/sih4 تهیه شده اند که دارای نرخ لایه نشانی بین 0 -500 آنگسترم در دقیقه و نرخ لایه برداری بین 50-110 آنگسترم در ثانیه و میدان های شکست از مرتبه مگاولت بر سانتیمتر بوده که از لحاظ کیفیت بسیار نزدیک به لایه های اکسید حرارتی می باشند. آنالیز لایه های اکسیدی تهیه شده به وسیله ft-ir نشان می دهد که این لایه ها دارای خواص جذبی شبیه به sio2 می باشند و پیک های باندهای کششی و خمشی در cm-1 1078 و cm-1 820 کاملا مشهود می باشند. مقاومت لایه های تهیه شده در مقابل اسیدhf : h2o 1 به 10 نرخ لایه برداری 50-110 آنگسترم در ثانیه می باشد.

لایه نشانی دی الکتریکها در دمای پایین بر روی نیمه هادی insb برای ساخت آشکارسازهای مادون قرمز
پایان نامه وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه قم 1386
  حجت بابایی   سیروس راستانی

چکیده ندارد.

طراحی و ساخت mosc/insb با اکسیداسیون دمای پایین و ایجاد دانش فنی ساخت المان cid
پایان نامه وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه قم - دانشکده علوم پایه 1387
  مرتضی قرایی نیا   سیروس راستانی

چکیده ندارد.