در فصل اول این پایان نامه، پس از معرفی کربن و انواع شکل های آن، به نانولوله های کربنی پرداخته و انواع آن، ساختار هندسی، روش های سنتز، خواص و ویژگی ها وکاربرد های آنها معرفی شده است. سپس در فصل دوم مقدمه ای بر نظریه تابعی چگالی را مطرح کرده ایم و در آن ضمن شرح مدل توماس-فرمی، قضایای هوهنبرگ-کوهن و معادلات کوهن-شم، تقریب هایی را که برای جمله تبادلی-همبستگی رایج تر است ذکر کرده ایم. در فصل سوم به طور اجمالی روش های محاسبه ساختار نواری را مطرح کرده ایم تا بدین وسیله اساس فیزیک حالت جامد این پژوهش را شرح داده باشیم. در فصل چهارم، ابتدا مروری بر پژوهش های انجام شده روی نانولوله های تک دیواره بریلیوم مونو اکسید خواهیم داشت و در ادامه، باندل زیگزاگ ساخته شده از نانولوله های تک دیواره بریلیوم مونو اکسید را مورد بررسی قرار داده ایم و ساختار الکترونی آن را مطالعه کرده ایم و به دنبال بررسی اثر افزودن ناخالصی لیتیم در این باندل و نیز جذب گاز کربن دی اکسید بر روی این باندل خواهیم بود. نتایج مطالعات ما به این صورت بود که افزودن لیتیم به باندل مذکور باعث گذار فازی از فاز نیمه رسانا به فاز فلزی می شود. حاصل این پژوهش که برای اولین بار انجام شده است می تواند در راستای ساخت باتری لیتیمی با قابلیت شارژ مجدد مفید واقع شود. همچنین جذب گاز کربن دی اکسید بر روی باندل زیگزاگ بریلیوم مونو اکسید موجب کاهش گاف انرژی سیستم نسبت به حالت خالص آن خواهد شد و این پژوهش ثابت می کند که باندل مورد بررسی به جذب گاز کربن دی اکسید حساس است و می توان در ساخت حسگرها از آن بهره جست و روش جذب گاز یک روش مفید برای کنترل گاف انرژی در نیمه رساناهایی مانند باندل مورد مطالعه ما خواهد بود. در فصل پنجم باندل زیگزاگ کربنی را مورد بررسی قرار داده و ضمن مروری بر مطالعات انجام شده در این زمینه، ناخالصی لیتیم را در چهار مکان مختلف به این باندل وارد کرده ایم تا اثر افزودن این ناخالصی بر روی ساختار الکترونی و مغناطیسی این سیستم را پژوهش کرده و پایدارترین مکان جهت قرار گرفتن اتم لیتیم را به دست آوریم. نتایج مطالعات ما نشان می دهد که افزودن لیتیم از لحاظ ساختار الکترونی باعث ایجاد گذار فازی از فاز نیمه رسانا به فاز فلزی در باندل زیگزاگ کربنی می شود و از لحاظ خواص مغناطیسی باعث ایجاد خاصیت مغناطیسی در باندل زیگزاگ کربنی که در حالت خالص غیر مغناطیسی است می شود؛ تمامی این نتایج نیز جهت ساخت باتری لیتیمی مفید خواهد بود

در این پایان نامه به بررسی خواص الکترونی و مغناطیسی نانو لوله های نیترید بور، پرداخته ایم. که در ذیل به طور مختصر به نتایج بدست آمده می پردازیم. - نانو لوله های تک دیواره در نانو لوله ها (0, 6) ، (0, 12) ، (0, 14) ، (0, 18) مشاهده شد که با افزایش قطر نانو لوله ها، گاف انرژی نیز بزرگتر شد و در نانو لوله هایی با قطر بیشتر این تغییر گاف کمتر مشاهده شد. که علت آن کم شدن خمش نانو لوله است. - نانو لوله های دو دیواره نانو لوله ها ی (0, 6) را درون نانولوله (0, 12) ، (0, 14) ، (0, 18) ثابت قرار دادیم. در اینجا به این نتیجه رسیدیم که با افزایش فاصله بین دیواره داخلی و خارجی گاف انرژی بیشتر می شود ولی برای نانولوله ی با قطر بیشتر این تغییر محسوس نیست. همچنین نانولوله دو دیواره گاف کمتری نسبت به نانولوله تک دیواره دارند. چون بر هم کنش بین دو دیواره از مقدار گاف انرژی کم می کند. - نقص در نانولوله ها اثر نقص جفت 7-5 را بر خواص الکترونی در نانولوله های تک دیواره و دو دیواره مورد بررسی قرار دادیم. الف- نانولوله تک دیواره در این مرحله نانولوله (0, 6) و (0, 12) را همراه با نقص جفت 7-5 با نانولوله های بدون نقص مقایسه کردیم نتایج بدست آمده، نشان می دهد که نقص جفت 7-5، گاف انرژی را کمتر می کند و یک پیک نزدیک نوار رسانش در گاف انرژی ایجاد می کند و نانولوله را به نیمه رسانای نوع n تبدیل می کند. همچنین با افزایش قطر نانولوله گاف انرژی نیز کوچکتر می شود. ب- نانولوله های دو دیواره برای بررسی اثر نقص جفت 7-5 بر خواص الکترونی در این مرحله، یک بار نقص را در دیواره داخلی و بار دیگر در دیواره خارجی قرار دادیم. از بررسی منحنی چگالی حالت بدست آمد که، هنگامی نقص در لایه داخلی است، گاف انرژی کمتری است. و نتیجه مهم دیگر این است که با بدست آوردن انرژی تشکیل مشاهده شد که هنگامی نقص در لایه بیرونی است، سیستم پایدارتر است. - اثر تزریق ناخالص بر خواص مغناطیسی و الکترونی نانولوله (0, 6) همراه با نقص 7-5 در مرحله پایانی یک اتم fe را به جای اتم n در نانولوله (0, 6) همراه با نقص جفت 7-5 قرار دادیم. از مشاهده منحنی چگالی حالت بدست می آید که گاف انرژی نسبت به موقعی که ناخالص در سیستم نیست، کمتر می شود و برای ممنتوم مغناطیسی نیز مقدار قابل توجهی بدست آمد.

در این پایان نامه، خواص الکترونی و ساختاری باندل نانولوله های نیترید بور با استفاده از روش امواج تخت بهساخته خطی در چارچوب نظریه تابع چگالی، با استفاده از کد محاسباتی wien2k بررسی گردیده است. برای ترم تبادلی- همبستگی از تقریب شیب تعمیم یافته استفاده شده است. نخست، خواص الکترونی نانولوله ایزوله نیترید بور و باندل آن در شبکه هگزاگونال بررسی گردیده است. هر دو آنها نیمه رساناهایی با گاف بزرگ و غیر مستقیم اند. تفاوت اصلی بین لوله ایزوله و باندل در این است که باندل دارای گاف انرژی کوچکتری نسبت به نانولوله های ایزوله نیترید بور می باشد و لوله ها در ساختار باندل پایدارترند . در ادامه، اثر فاصله بین لوله ها در باندل بر خواص الکترونی مورد بررسی قرار گرفته است. انرژی کل ساختارها به فاصله بین لوله ها بستگی دارد. ما فاصله تعادلی باندل را در حدود 63/3 آنگستروم بدست آورده ایم. سپس اثر چرخش بر خواص ساختاری و الکترونی باندل نانولوله های نیترید بور بررسی گردیده است. چرخش در باندل از زاویه صفر تا 30 درجه با گام 5 درجه انجام شده است. از آنجایی که کوچکترین گاف انرژی مربوط به ساختار باندل با زاویه چرخشی 5 می باشد، برای بررسی دقیق تر تغییرات گاف انرژی، زاویه چرخشی 0 تا 10 درجه نیز با گام 1درجه انجام شده است. چرخش در باندل خالص نیترید بور باعث تغییر خواص الکترونی می گردد. در هر زاویه چرخشی انرژی کل و گاف انرژی بسته به موقعیت اتم های نیتروژن و بور نسبت به یکدیگر، متفاوت خواهد بود. چرخش موجب ایجاد ساختارهای جالبی می گردد که نیمه رسانا می باشند. پایدارترین حالت و بالاترین تقارن در باندل مربوط به چرخش با زاویه 30 درجه می باشد. از آنجایی که عنصر لیتیم کاربرد بسیاری در وسایل ذخیره سازی انرژی دارد، در نهایت، اثر تزریق اتم های لیتیم در ساختارهای اولیه (بدون چرخش) و ساختار چرخشی با زاویه 30 درجه بررسی گردیده است و نتایج آنها با هم مقایسه گردیده است. ما دریافتیم که با تزریق اتم های لیتیم در مکان های مختلف از هر دو ساختار، گذار باندل ها از فاز نیمه رسانا به فاز فلزی را خواهیم داشت. نتایج ما نشان می دهد که تزریق لیتیم در ساختارهای با زاویه چرخش 30 درجه پایدارتر از ساختارهای بدون چرخش است. نتایج این پایان نامه که برای اولین بار انجام گردیده است در جهت ساخت باتری های لیتیمی مفید واقع خواهد شد.

در میان نانو مواد نانو ساختارهای بر پایه کربن به علت خواص جاب توجه اتم کربن توجه زیادی را به خود جلب کرده است. در این میان گرافن ومشتقات آن به علت ویژگی های منحصر به فرد الکترونی ومغناطیسی مورد توجه قرار دارند.در این پروژه به بررسی خواص الکترونی جذب فلزات لیتیوم وسدیم بر روی برش های گرافنی می پردازیم.نهایتا به منظور بررسی اوربیتال های مولکولی یک برش گرافنی که در لبه آن اتم هیدروژن قراردادیم را مطالعه می کنیم.به منظور حل کوانتومی دستگاه های بس ذره ای از کد محاسباتی wien2kوبرای بررسی اوربیتال های مولکولی در برش از نرم افزار گوسین بهره جسته ایم.

گرافن یکی از نانوساختارهای پرکاربرد در زمینه های مختلفی از جمله حسگری، الکترونیک و غیره می باشد. اخیراً ترکیبات نیمه رسانای دیگری مانند نیتریدبور، کربید سیلیسیم و اکسید برلیوم نیز در این ساختار کریستالی مورد بررسی های تجربی و تئوری دانشمندان قرار گرفته است. در این پروژه با استفاده از محاسبات اصول اولیه در قالب نظریه تابعی چگالی به بررسی خواص الکترونی و اپتیکی تک لایه گرافنی اکسید برلیوم (beo)و همچنین نانونوارهای آن با دو حالت لبه زیگزاگ و آرمچیر پرداخته شده است. معادله بس ذره ای کوهن-شم را با استفاده از روش امواج تخت بهبود یافته خطی همراه با پتانسیل کامل و اوربیتال موضعی (fplapw+lo)بسط داده شده است و همچنین پتانسیل سیستم بس الکترونی به صورت کامل (full potential) در نظر گرفته شده است. برای بسط جمله تبادلی همبستگی از تقریب شیب تعمیم یافته (gga)استفاده کرده ایم. نتایج محاسبات الکترونی نشان می دهند که تک لایه اکسید برلیوم دارای یک گاف انرژی به اندازه 8/5 الکترون ولت است که با نتایج تئوری دیگران در تطابق قابل قبولی قرار دارد. منحنی چگالی حالات الکترونی نشان می دهد که نانونوار اکسید برلیوم در حالت لبه آرمچیر نیمه رسانا بوده و گاف الکترونی آن تقریباً بی تاثیر از پهنای نانونوار می باشد. اما برای نانونوار لبه زیگزاگ نتایج متفاوتی به دست آمد، طوریکه در این حالت سیستم دارای قطبش اسپینی در سطح فرمی بوده و دارای خاصیت فرومغناطیسی می باشد. در بخش دوم به بررسی خواص اپتیکی سیستم های مورد نظر مانند تابع موهومی و حقیقی تابع دی الکتریک، طیف جذب اپتیکی، طیف بازتابش، تابع افت انرژی الکترون، ضریب شکست و رسانایی اپتیکی پرداخته شده است. نانونوارهای لبه آرمچیر از لحاض اپتیکی مانند یک نیمه رسانا رفتار کرده و دارای یک گاف انرژی از مرتبه 5/3 الکترون ولت می باشند. اما طیف های اپتیکی نانونوارهای لبه زیگزاگ به علت وجود باندهای آویزان و خاصیت فرومغناطیسی سیستم شبیه به یک فلز بوده و تابع دی الکتریک آن در محدوده انرژی های پایین به علت وجود گذارهای درون نواری دارای مجانب بوده. نتایج حاصل از این پروژه می تواند کاربردهای بسیار مفیدی در صنعت ساخت قطعات الکترونی در مقیاس نانو و همچنین نانو اسپینترونیک باشد.

در این با استفاده از نظریه تابعی چگالی، ویژگی های ساختاری و الکترونی صفحه نیترید بور که هیدروژن دار ( فلوئوردار) شده را بررسی کردیم. محاسبات انرژی کل و ساختار باند الکترونی با کمک اصول اولیه و روش امواج تخت بهبودیافته خطی در مدل پتانسیل کامل و کد wien2k انجام شد. از تقریب شیب تعمیم یافته (gga)، برای بسط جمله پتانسیل تبادلی همبستگی استفاده شده است. ساختار بهینه شده نشان داد که پیوندهای bh,nh,bf,nf به-صورت متناوبی در جاهای مختلفی در دو طرف صفحه قرار می-گیرند، که براساس جایگاه های مختلف قرارگیری اتم هیدروژن(فلوئور) ، دو ساختار ممکن بوجود می آید: chair, boat . این دو ساختار عایق اند و از خود رفتار نیم-رسانایی نشان می دهند. محاسبات نشان می دهد که صفحه نیترید بور یک نیم رساناست. نتایج نشان داد که مقدار گاف انرژی، وقتی که واپیچش صفحه ای را وارد می کنیم، کاهش می یابد. همچنین مقدار گاف از ساختار chair به ساختار boat افزایش می یابد.

نقص ها با توجه به این که می توانند روی خواص الکتریکی و مغناطیسی ساختار ها تاثیر بگزارند از اهمیت ویژه ای برخوردارند. با توجه به کاربرد مواد اگر به دید منفی به نقص ها در ساختار ها نگاه کنیم پس بایدشناخت از تاثیر نقص ها روی خواص الکتریکی و مغناطیسی ساختار ها داشته باشیم تا ساختار ها کاربرد خود را با تغییر در خواص الکتریکی ومغناطیسی از دست ندهند. همچنین اگر با دید مثبت نگاه کنیم یعنی اگر ما بدون تغییر دادن ماهیت یک ساختار و فقط با یک نقص بتوانیم به خواص الکتریکی و مغناطیسی دلخواهی از ساختار برسیم خیلی می تواند ساختار ما را کاربردیتر بکند پس در هر صورت نقص ها از اهمیت زیادی برخوردار هستند و باید تاثیرات نقص ها را روی خواص ساختار ها بدست بیاوریم. در این پایان نامه با استفاده از محاسبات اصول اولیه در قالب نظریه تابعی چگالی به بررسی خواص ساختاری، الکترونی و مغناطیسی تک لایه اکسید برلیوم به همراه نقص های ذاتی پرداخته شده است. معادله بس ذره ای کوهن-شم را با استفاده از روش امواج تخت بهبود یافته خطی همراه با پتانسیل کامل و اوربیتال موضعی (fplapw+lo) بسط داده شده است و همچنین پتانسیل سیستم بس الکترونی به صورت کامل (full potential) در نظر گرفته شده است. برای بسط جمله تبادلی همبستگی از تقریب شیب تعمیم یافته (gga) استفاده کرده ایم. در این پایان نامه پنج نقص ذاتی از نانو صفحه اکسید بریلیم را در نظر گرفته ایم در نقص اول و دوم جانشانی اتم اکسیژن و بریلیم به جای هم بررسی شده است. نتایج الکترونی برای این ساختاری که اتم اکسیژن جایگزین اتم بریلیم شده نشان می دهد که با به وجود آمدن نقص گاف انرژی کاهش می یابد و ev 2.62 می شود ولی خواص مغناطیسی تغییری نمی کند در نقصی که اتم بریلیم جای اتم اکسیژن قرار می گیرد ساختار گزار فازی از حالت نیم رسانا به حالت نیم فلزی می کند. همچنین ساختار مغناطیسی می شود. نتایج الکترونی برای ساختاری که اتم بریلیم از ساختار حذف شده است (تهی جای اتم بریلیم ) نشان می دهد که یک گزار فاز از حالت نیم رسانای به حالت نیمه فلزی برای ساختار رخ داده است و این ساختار مغناطیسی شده است. نقص بعدی تهی جای اتم اکسیژن است. گاف انرژی برای این ساختار ev 3.56 بدست آمده است و این ساختار غیر مغناطیس است. آخرین نقص، تغییر طول پیوند ها و زوایای پیوندی است. خواص الکتریکی و مغناطیس این ساختار نشان می دهد که این ساختار گاف انرژی ev 4.98 و غیر مغناطیسی است.

در پایان نامه فوق اثرتزریق ناخالصی های مغناطیسی را برخواص الکترونی ومغناطیسی نانوسیم های نیترید آلومینیوم بررسی می شود.ابتدابرای یک قطر مشخص از نانووایر,انواع اتم های مغناطیسی نظیر آهن,نیکل,کبالت و... رادر نانو سیم تزریق کرده وخواص الکترونی ومغناطیسی آنرابدست آورده ومقایسه می کنیم. در مرحله بعدبرای یک ناخالصی مغناطیسی ثابت قطر نانوسیم را افزایش می دهیم واثراین افزایش قطر باوجود ناخالصی رابرخواص الکترونی ومغناطیسی بررسی خواهیم کرد.

در میان نانو مواد ، نانو ساختارهای بر پایه کربن به علت خواص قابل توجه اتم کربن توجه زیادی را به خود جلب کرده است. در این میان از نانو سیم های با خاصیت ویژه و منحصر به فرد در وسایل الکتریکی و در مدارهای مجتمع می توان استفاده کرد. در این پروژه نانو سیم های کربنی را به 3 شکل مختلف در نظر گرفتیم و خواص الکترونی آنها را با تغییر شکل نانو سیم بررسی کردیم. به منظور حل کوانتومی دستگاه های بس ذره ای از کد محاسباتیwien?k و برای بررسی اربیتال های مولکولی از نرم افزار originpro ?.? استفاده کرده ایم. نتایج نشان دادند شکل قرار گرفتن اتم های کربن در این سه ساختار می تواند نیمرسانا بودن یا رسانا بودن نانو سیم را تعیین کند. در بررسی اربیتال ها ، اربیتالp و از زیر اربیتال ها اربیتالpz عامل موثر در رسانش نانو سیم های کربنی بودند.این نانو سیم ها در کل خاصیت مغناطیسی قابل توجهی ندارند.

_ _ اکسید روی ترکیبشناخته شده ای از نیم رساناهای گروه 2-6 می باشد که تنوع نانو ساختاری و ویژگی های الکترو اپتیکی مفید آن توجه محققان را به خود جلب می نماید ی شبه گرافن اکسید روی به _ کند. در این بین نانوصفحه _?? مفید آن، توجه محققان را به خود جلب م ???? ترواپتی ?? ال و ساختاریش به خصوصدر محاسبات تئوری بسیاری ?? ترون ?? دلیل تشابه ساختاری با گرافن و خواصمفید ال مورد توجه قرار گرفته است. و با استفاده dft?? ال ?? چ ?? ی تابع _ نامه با استفاده از محاسبات ابتدا به ساکن در چارچوب نظریه _ در این پایان شم از روش ?? ایم؛ در حل معادلات کوهن _ این نانوساختار پرداخته ?? به بررس wein?k[?8] افزاری _ از کد نرم باشد. _?? م gga ?? pbe ?? تبادل ???? کنش _ استفاده شده است و تقریب مربوط به انرژی برهم fplapw + ?o ?? ???ev با گافمستقیم ?? رسانای _ ی شبه گرافن اکسید روی نیم _ دهند که نانوصفحه _?? محاسباتانجام شده نشان م است. ?? در راستای های _ تراز ?? ن?? تری نسبت به حالت بدون واپیچشاست؛ تبه _ ه کوتاه ?? ساختار اکسید روی واپیچیده دارای پارامتر شب ه گاف نواری به تدریج ?? رود در حالی _?? ی واپیچش از بین م _ انرژی در راستای اعمال واپیچش، با افزایش زاویه شده است. ?? کوچ از جمله افزایش ?? ای دستخوش تغییرات مشخص _ نانوصفحه اکسید روی در اثر واپیچش صفحه ???? خواص اپتی الذکر _ و کاهشپهنای فوق x در راستای ?? های کمتر طیفمرئ _ ی انتشار غیرعادی و انتقال آن به انرژی _ پهنای منطقه و کاهش اولیه در درصد بازتابش z شود. این تغییرات به افزایش درصد بازتابش در راستای _?? ، م z در راستای نیز با افزایش ?? استاتی ?? تری ?? ال _ انجامد. ثابت دی _?? های بلند م _ موج _ به سمت طول ?? و سپس جابجای x در راستای در z ها در راستای _ ر افزایش جذب فوتون ?? ی واپیچش، در هر دو راستا افزایش یافته است. از طرف دی _ زاویه ر تغییر در خواص ?? ? بیان ev در حول و حوشانرژی x ? و کاهشاین جذب در راستای ???ev های حدود _ انرژی باشد. _?? این نانوساختار م ???? اپتی فلوئورینه آن دارای _ شود. همچنین ساختار نیمه _?? دچار واپیچشم ?? صفحه مورد بررس _ در اثر جذب اتم فلوئور، نانو ?? حالات و ساختار نواری کاملا ?? ال ?? در چ ?? های اسپین _ خواهد بود که با عدم تقارن در کانال ?? خواص مغناطیس دهد. ?? را بروز نم ?? چنین خاصیت ?? مشهود است، این در حالیست که ساختار فلوئورینه با چینش صندل سیستم شده است که به ?? ی تعادل _ ه?? ر جذب اتم فلوئور در هر دو حالت باعث افزایش پارامتر شب ?? از طرف دی اتیوی بالای اتم فلوئور ایجاد شده است. ?? ترون ?? دلیل ال یابد و ساختار در اثر افزودن اتم هیدروژن، _?? ه افزایشم ?? در اثر جذباتم هیدروژن روی این نانوصفحه، پارامتر شب ? محاسبه شده است. _b این ساختار ?? پیدا کرده است؛ گشتاور مغناطیس ?? خواصمغناطیس

???? انی ?? ام م ?? پذیری بالا در دمای اتاق، استح ?? صفر، تحرک ?? ترون ?? گرافن خواص منحصر به فردی چون جرم ال شدن این عنصر ?? لات صنعت ?? از مش ???? دارد. ی قوی و ?? و حرارت ???? تری ?? پذیری بالا، هدایت ال ?? و انعطاف های زیادی برای ایجاد گاف انرژی قابل تنظیم برای کاربردهای ?? رسانا گاف انرژی صفر آن است. روش ?? نیم ترین ???? مورد نیاز، استفاده شده است. در این بین آلایش و تبدیل نانوصفحه به نانونوار به عنوان عمل ?? ترونی ?? نانوال که wein?k افزاری ?? نامه با استفاده از کد نرم ?? شود؛ به همین منظور در این پایان ???? ها در نظر گرفته م ?? روش ?? را مورد بررس bc نانوصفحه و نانونوار ? ???? و اپتی ?? ترون ?? باشد، خواص ال ???? م ?? ال ?? چ ?? ی تابع ?? براساس نظریه همراه با پتانسیل ?? ی خط ?? شم از روش امواج تخت بهبود یافته ?? قرار داده ایم. برای حل معادلات کوهن با ???? همبست ?? ?? انرژی تبادل ?? ی تابع ?? استفاده شده است. محاسبه (fplapw +?o) ?? کامل و اوربیتال موضع ،bc ی ? ?? دهد که نانو صفحه ???? صورت گرفته است. نتایج محاسبات نشان م gga ?? pbe کارگیری تقریب ?? به زاگ ?? ه نانونوار آرمچیر و زی ?? باشد، حال آن ???? م ?? ?? ?? و بدون خاصیت مغناطیس ev با گاف غیرمستقیم ?? رسانای ?? نیم هستند. ?? فلز و فلزی مغناطیس ?? این ساختار به ترتیب نیم ی امواج فرابنفش دارای ?? راگ این ساختار در محدوده ?? ی آرمچیر و زی ?? و همچنین نانونوار با لبه bc ی ? ?? نانوصفحه به ترتیب ثابت bc ?? z ?? bc?nr و bc ?? a ?? bc?nr بیشترین میزان جذب هستند. برای نانونوار نیز به ترتیب برابر ?? ? و ?? ? ???? تری ?? میدان ال z برابر ?? و ?? ?? و برای راستای x ایستا در راستای ?? تری ?? ال ?? دی سان و برابر ?? زاگ آن ی ?? و هردو نانونوار آرمچیر و زی bc ی ? ?? برای نانوصفحه ???? اپتی ?? تری ?? ال ?? باشد. ثابت دی ???? م باشد. ???? م ?? ی ی?? دهنده ?? نامه نشان ?? در این پایان ?? بدست آمده برای ساختارهای مورد بررس ???? و اپتی ?? ، مغناطیس ?? ترون ?? خواص ال باشد. ???? ، ترانزیستورها و …م ???? تری ?? قابلیت این ساختارها در صنایع به منظور ساخت وسایل اپتوال ?? اه پردازش موازی گروه فیزی ?? سازی انجام شده و نتایج حاصل از آن، با استفاده از آزمایش ?? محاسبات شبیه ?? تمام صورت گرفته است.