دشارژ در میدان یکنواخت دو الکترود موازی و دشارژ پنینگ دو موضوع مطالعه ی حاضر می باشند. در قسمت اول، روشی تئوری برای تعیین تغییرات ضریب گسیل ثانویه موثر، ، به صورت تابعی از پارامترهندسی d/r ( نسبت فاصله بین الکترودهای موازی به شعاع شان) پیشنهاد شد. دو ضریب gi و gp که به ترتیب وابستگی جملات القای یونی و فوتونی به این پارامتر را شرح می دهند، به صورت نظری محاسبه شدند. سپس با استفاده از داده های تجربی برای 16/0 d/r=، ضریب گامای موثر و منحنی های پاشن برای گاز آرگون و برای مقادیر d/r 32/0، 63/0، 27/1 و 90/1 به دست آمدند که نتایج آن در توافق قابل قبولی با داده های تجربی می باشند. در قسمت دوم، یک چشمه یونی پنینگ جهت مطالعه روی این نوع دشارژ توسعه داده شد که نتایج آن عبارتند از: 1- یافتن بهترین طول آند جهت داشتن جریان دشارژ زیاد و پایدار، جریان دشارژ برای شش آند با طول هایی بین 14 تا mm 24 اندازه گیری شد که در نهایت آندی با طول mm 20 انتخاب گردید. 2- تأثیر میدان مغناطیسی در محدوده ی g 600-440 بر ولتاژ شکست در آندهای 14، 20 و mm 24 بررسی شد و مدل ریاضی برای توضیح نتایج آن بنا گردید. 3- با استفاده از نتایج اندازه گیری های ولتاژ شکست و بهره گرفتن از شبیه سازی عددی ضریب گامای موثر در چشمه پنینگ محاسبه گردید و با داده های تجربی مقایسه گردید. از این مقایسه آشکار شد که برای آند mm 24 با خطای4 درصد برابر با بوده و در نتیجه از این آند می توان برای اندازه گیری جمله القای یونی گامای موثر استفاده کرد.