رشد فزاینده ی تعداد قطعات الکترونیکی نظیر ترانزیستورهای اثر میدانی که به ماسفت معروف هستند در هر تراشه که به ازای هر 18 ماه مطابق قانون مور[1] به دو برابر می رسد و نیز کاهش تابع نمایی اندازه ی این قطعات باعث شده است تا اکسیدهای فرانازک سیلیکونی که به عنوان گیت دی الکتریک ترانزیستورهای اثر میدانی امروزی هستند کارآیی قابل قبولی را در قطعات نداشته باشد و باعث از دست رفتن کنترل جریان در چاه نانو ترانزیستورها گردد. این عدم کنترل به افزایش تابع نمایی جریان نشتی و تونلی در گیت اکسیدهای فرانازک برمی گردد. برای این منظور تلاش کردیم در راستای کارهای پیشین[13-2] به رشد گیت های دیگر بر زیر لایه ی سیلیکونی بپردازیم که در این جا، محیط پلاسمایی از اتم های نیتروژن ایجاد کردیم و آنگاه در این محیط قادر می شویم فیلم نیترید سیلیکون را بر زیر لایه ی(lll) si رشد دهیم و پس از آن با تجزیه و تحلیل طیف های مربوطه و چگونگی نانو ساختاری چنین فیلمی، امکان مناسب بودن چنین گیتی در تولیدات آتی نانو ترانزیستورهای اثر میدانی را بررسی کنیم.از آنجایی که داشتن زیر لایه ی بسیار تمیز و عاری از هرگونه کثیفی و ناخالصی از اهمیت بسیار بالایی برخوردار است ما نیز با استفاده از حمام فراصوت و آنگاه با عبور جریان چند باره ی فلشینگ (flashing) تلاش می کنیم تا زیر لایه ی بسیار تمیز ( lll )si که از نوع n و با مقاومت ویژه 5 اهم-سانتی متر است را داشته باشیم و پس از آن با استفاده از دستگاهی ناوی شکل و در فشار یک اتمسفر به تجزیه ی مولکول های نیتروژن به اتم های نیتروژن می پردازیم. حضور سیلیکون در محیط پلاسمایی اتم های نیتروژن ایجاد شده باعث تشکیل فیلم نیترید سیلیکون بر زیر لایه ی si(lll) می شوند. پس از آن با تجزیه و تحلیل فیلم ها به آموروف یا میکرو بلوری بودن فیلم می پردازیم و با توجه به ویژگی های گیت دی الکتریک، به این موضوع می پردازیم که آیا می توان از آن استفاده نمود یا خیر. در صورت دارا بودن قابلیت های لازم، به عنوان یک گیت دی الکتریک در ترانزیستورهای misfet(metal-insulator-semiconductor-field-gffe of transistor) استفاده نمود.