اثراتی همچون اثر گرمامغناطیسی، مغناطوتنگش و مغناطومقاومت در خانواده ترکیبات gd5(sixge1-x)4 قابل توجه می باشد که ترکیب gd5si4 نیز بدلیل دارا بودن گذار فاز مغناطیسی نزدیک دمای اتاق قابل توجه می باشد. در این کار، ما ساختار الکترونی و خواص مغناطیسی ترکیب gd5si4 را با روش تابع موج تخت تقویت شده ی خطی با پتانسیل کامل برپایه ی نظریه تابعی چگالی با استفاده از کد محاسباتی wien2k مطالعه کرده ایم. از آنجاییکه اوربیتال های f4 نسبتاً جایگزیده هستند، پیش-بینی می شود که همبستگی الکترون های f4 قوی است در نتیجه تقریب چگالی اسپینی موضعی تصحیح شده ی کولمبی (lsda+u) دربردارنده ی برهمکنش کولمبی روی جایگاهی برای توصیف این ترکیب انتخاب شده است. ما حجم تعادلی سلول واحد را در حالت های فرومغناطیس و پارامغناطیس برای ترکیب gd5si4 محاسبه کرده ایم. این مقایسه، پایداری در حالت فرومغناطیس را پیش بینی می-کند.