مدارهای مجتمع فرکانس بالا برای همه وسایل الکترونیکی قابل حمل که در ارتباطات بی سیم استفاده می شوند، لازم هستند. مدارات فرکانس بالای اولیه با استفاده از تکنولوژی های sige یا gaas ، به دلیل خواص فرکانس بالای فوق العاده آنها،پیاده سازی می شدند.اخیرا، سایز ترانزیستور mos در تکنولوژی cmos به طور مداوم در حال کم شدن بوده است تا خواص فرکانس بالای آن را بهبود دهد؛ که باعث شده پروسه های cmos برای استفاده در مدارات مجتمع فرکانس بالا جذاب تر شوند.همراه با مزایای قابلیت مجتمع سازی بالا و هزینه کم برای تولید انبوه، مدارات مجتمع فرکانس بالا با قابلیت کار در باندهای فرکانسی گیگاهرتز، در تکنولوژی cmos ساخته شده اند. در یک گیرنده فرکانس بالا، تقویت کننده کم نویزبه دلیل اینکه در طبقه اول گیرنده فرکانس بالا قرار دارد، نقش مهمی ایفا می کند. در نسل جدید گیرنده ها تقویت کننده کم نویز از مهم ترین چالش های طراحی می باشد. در گیرنده های چند استانداردی lna باید مشخصه های استانداردهای مختلف مانند تطبیق امپدانس، عدد نویز و خطیت را در شرایطی که مقادیر مختلفی دارند، ارضا کند. در این پایاننامه یک تقویت کننده کم نویز برای استانداردهای بی سیم طراحی شده است. این استانداردها شامل ieee802.11a/b/g، bluetooth هستند. پایه طراحی در این کار براساس مدارات حذف نویز می باشد. فراهم کردن بهره ولتاژ بالا همزمان با القای نویز کم به سیگنال توسط مدار، در محدوده فرکانسی پهن باند، مهمترین چالش این شبیه سازی می باشد. برای دست یابی به خطینگی خوب، از یک امپدانس لود با قابلیت تنظیم در دو باند فرکانسی در خروجی طبقه اول استفاده کرده ایم. تقویت کننده کم نویز، در پروسه0.18um rf cmos با استفاده از نرم افزار ads شبیه سازی شده است.