در این پروژه خواص الکترونیکی، اپتیکی و ترموالکتریکی ترکیبات bi2te3, bi2se3, bi2tese2, bisete2 با استفاده از محاسبات اصول اولیه و روش نظریه تابعی چگالی مطالعه شده است. این بررسی-ها با استفاده از محاسبه ی انرژی کل از طریق روش امواج تخت تقویت شده خطی (lapw-fp) که بر پایه ی نظریه تابعی چگالی dft هوهنبرگ-کوهن شم استوار است، به کمک کد wien2k صورت گرفته است. در ارتباط با پتانسیل همبستگی-تبادلی از تقریب گرادیان تعمیم یافته gga و +sogga استفاده نموده-ایم. نتایج بدست آمده نشان می دهد که گاف نواری bi2te3 با اعمال تقریب اسپین-مدار 0.12 الکترون ولت و بدون اعمال این تقریب 0.28 الکترون ولت است که اولین مقدار با نتایج تجربی سازگارتر می-باشد، همچنین با جانشانی اتم se با اتم te در بیسموت تلراید گاف نواری افزایش می یابد. در رابطه با نتایج اپتیکی بدست آمده ضریب شکست 3te2ib در هر دو راستای x و z از دیگر ترکیبات بیشتر است. انرژی پلاسمون برای بیسموت تلراید 17.5 الکترون ولت است. نتایج ترموالکتریکی نشان می دهد که فاکتور توان بدست آمده برای bi2sete2 در پتانسیل های مثبت بزرگتر از دیگر ترکیب ها است.