سطح مقطع یک آنتن یا خط انتقال میکرواستریپ تک خمشی معمولاً یک نوار ممتد با مرزهای خمیده می باشد. در این پایان نامه تبدیل شوارتز-کریستوفل (sct) به گونه ای اصلاح می گردد که بتواند این نواحی را به یک ناحیه مستقیم و بدون خمش نگاشت کند. برای کاهش احتمال وقوع پدیده تجمع ، ناحیه دامنه تبدیل، یک نوار ممتد مستقیم در نظر گرفته می شود. برای در نظر گرفتن اثر خمش، مرزهای نوار خمیده به قطعاتی تجزیه می شوند و هر جزء با یک تابع چندجمله ای درجه دوم از پیش-رأس های sct تقریب زده می شود. برای صحت سنجی روش ارائه شده، این روش روی سه ساختار الکترومغناطیسی مختلف اعمال می-شود. در سناریوی اول، امپدانس ورودی، vswr و الگوهای تشعشعی یک آنتن پچ خمیده روی یک سطح سهموی مورد بررسی قرار می گیرد. در سناریوی دوم، تزویج متقابل بین دو آنتن پچ خمیده روی سطوح سهموی محدب و مقعر حاصل می شود. در سناریوی سوم، با استفاده از مفهوم ساختارهای راست/چپ گرد ترکیبی ، یک آنتن موج نشتی همدیس خم شده روی یک استوانه با سطح مقطع بیضوی برای فرکانس تشعشع به پهلوی ghz 75/7 و امپدانس بلوخ ? 50 طراحی می شود. پهنای باند تشعشی این آنتن ghz 75/1 می باشد. این آنتن ساخته شده و نتایج تئوری ارائه شده با نتایج شبیه سازی cst و اندازه گیری آنتن مقایسه می شود که از مطابقت خوبی برخوردارند.