در این پایان¬نامه خواص الکترونیکی، اپتیکی و ترموالکتریکی yvo4 و gdvo4 به صورت نظری بررسی شده است. در انجام محاسبات از روش پتانسیل کامل موج تخت افزوده شده¬ی خطی (fp-lapw) و تقریب شیب تعمیم یافته (gga) استفاده گردیده است. نتایج بدست آمده نشان می¬دهد که yvo4 گاف نواری به اندازهev64/3 دارد که با جانشینی gd به جای y در ترکیب gdvo4، به مقدار ev.44/2 کاهش می¬یابد. اوربیتال f اتم gd خواص الکترونیکی متفاوتی را برای gdvo4 نسبت به yvo4 ایجاد می¬کند. ضریب شکست yvo4 بزرگتر از ضریب شکست gdvo4 می¬باشد. نتایج پاشندگی برای هر دو ترکیب با تجربه در توافق است. ضریب سی¬بک yvo4 در دماهای مختلف بزرگتر از gdvo4 است. بیشینه¬های فاکتور توان yvo4، بزرگتر از gdvo4 است. بنابراین خواص ترموالکتریکی yvo4 بهتر از gdvo4 می¬باشد. افزایش دما تاثیر مثبت بر روی خواص ترموالکتریکی هر دو ترکیب دارد.