امروزه استفاده از نانوبلورها و لایه های نازک تهیه شده از آنها در صنعت رو به توسعه می باشد. در این پایان نامه از نانوبلورهای ktp و tio2 در تهیه لایه های نازک استفاده گردید. بلور ktp به لحاظ داشتن خواص غیر خطی در صنایع مختلف اپتیکی کاربردهای فراوانی دارد. از لایه های نازک tio2 نیز می توان در زمینه های مختلفی از جمله به عنوان سطوح خود تمییز کننده و کاربردهای وسیع آن در صنعت فوتوولتائیک بهره برد. بدین منظور نخست نانوبلورهای tio2 و ktp ساخته و سپس فیلم های نازک آنها تهیه گردید. روش sol-gel برای تهیه نانوبلور tio2 و روش پچینی برای ساخت نانوبلور ktp مناسب می باشد. برای تولید فیلم های نازک نانوبلورهای یاد شده از روش لایه نشانی افشانه حرارتی استفاده گردید. ساخت لایه نازک ktp به این روش برای اولین بار صورت پذیرفت. در ادامه توسط طیف سنجی پراش اشعه x ،xrd، به مطالعه ساختار نانو بلورهای ktp و tio2 و فیلم های نازک آنها پرداختیم. با بررسی طیف رامان و طیف بازتابی ftir مدهای فونونی نمونه های تهیه شده بررسی گردید. با استفاده از طیف سنجیuv/vis/nir بسامد قطع لایه های نازک تهیه شده تعیین گردید. با بررسی تصاویر sem اندازه نانوبلورک ها و نیز نانوبلورک های موجود بر سطوح لایه های نازک مشخص گردید. همچنین نحوه تشکیل آنها روی سطح توسط تصاویر sem تعیین گردید. در نهایت برای مطالعه بیشتر خواص اپتیکی نانوبلورک های ktp با استفاده از روابط پاشندگی کرامرز- کرونیک که توسط یک برنامه کامپیوتری شبیه سازی شده بر مبنای طیف بازتابی ftir تهیه شده است، برخی از ضرایب اپتیکی و دی الکتریکی نانو بلورک های تهیه شده شده همانند n، k و غیره محاسبه گردید