در این پایان نامه، اثر هارتمن در ساختار نانو بلور فوتونی یک بعدی مورد مطالعه قرار می گیرد . با استفاده از روش ماتریس انتقال و روش فاز ایستا، زمان فازی مربوط به پالس عبوری از درون نانو بلور فوتونی یک بعدی بررسی شده و نشان داده می شود اگر مواد تشکیل دهنده ی نانو کریستال فوتونی یک بعدی دارای ضریب شکست مثبت باشد اثر هارتمن مثبت می شود که به سرعت فرانوری می انجا مد. همچنین با قرار دادن لایه نقص در این ساختار به مطالعه تاثیر لایه نقص بر نحوه ی انتشار پالس در نانو بلور فوتونی یک بعدی می پردازیم ، ملاحظه خواهیم کرد که میتوان با تغییر برخی پارامتر ها مربوط به لایه ی نقص، سرعت ا نتشار پالس را از فراسرعت به فروسرعت و بالعکس تغییر دهیم.