چکیده : استفبد اص لیضس ثشای ت لَیذ بً رسات یکی اص س شٍ بّی یًَی ثشای ت لَیدذن بًْ هدی ثبضدذ . دس ایدی ردش طٍ دًب رسات تشید ه گٌ ضٌ ثباستفبد اصایی س شٍ ت لَیذ ضذُ ا ذً. ? اَهل هختلفی دسچگ گًَی ضکل گیشی بً رسات هوثش ذً، ک دس ایدی ساسدتب، ثشسسی تأثیش ط لَ ه جَ، شًخ تکشاس ربلس، ا شًطی لیضس بًخبل?ی ذّف سا هی ت اَی بًم ثشد. بً رسات ت لَیذ ضدذ دس ایدی کبسثباستفبد اص وّب گٌّ بّی لیضس nd:yag دس نه هقطدش ت لَیدذ ضدذ ا ذً ثٍباسدتفبد اص س شٍ دّبی ن دًبلیضی وّند یَ هیکش سٍک حَ الکتش دًٍی ?جد سَی ) tem ( ]ثدشای هطدب ذّ ا دًذاص رسات [ ،هیکش سٍدک حَ یًدش یٍ اتودی ) afm ( ]ثدشای هطب ذُّ ه سَت لَ طَی رس ات[ ،هیکش سٍک حَ یًش یٍ هغ بٌطیسی ) mfm ( ]ثشای هطب ذُّ خبغی هغ بٌطیسی رس ات[ ،طیف س دٌی رشاک ذٌگی اض? ایکس ) edx ( ]ثشای ن بًلیض ? ?ٌشی هحل لَ حبغل[ طیف س دٌی هبد یٍ قشهدض ) ftir ( ]ثدشای ت?ییی سبختبس هحل لَ حبغل [ه سَد ثشسسی قشاس گشتت اس . ضدو بٌ خ دْ هطدب ذّ ک دٌذگی لیدضس ثبلد تشید ه گٌ دٌض اص هیکش سٍک حَ الکتش یًٍ س ثٍطی ) sem ( استفبد ضذ اس . دس ایی تحقیق، بً رسات تشی ه گٌ ضٌ ثب س شٍ یًَی ک دٌذگی لیضس دس ا ذًاص حذاقل nm 2 سا دس نه هقطش ت لَیذ ضذُ خٍ اَظ تیضیکی نی ثباستفبد اص س شٍ بّی ن بًلیضی تد هد سَد ثشسسی قشاس گشتت اس . تًبیح حبکی اص نی اس کِ تشکیت ضدیو یبیی خٍد اَظ ثل سَض بٌسدی دًب رًَسات تقشیجدب ثدب دّذف یکسبی اس .

با تابش لیزر ایگزایمر بر سطح سلول خورشیدی سیلیکونی و با ایجاد میکروساختار سطحی، تغییرات مشاهده شده در پارامترهای مختلف مورد بررسی قرار گرفته است و در نهایت مشاهدهشده که بر میزان بازدهی سلول افزوده شده است.

در این پروژه نانو ذرات فریت نیکل و فریت کبالت به دو روش حمام فراصوت و احتراقی با استفاده از نیترات نیکل، نیترات کبالت و نیترات آهن تهیه شدند و سپس نمونه های تهیه شده به روش احتراقی را تحت آسیاب کاری قرار دادیم. اثرهای روش ساخت بر روی اندازه و خواص مغناطیسی نانو ذرات تولید شده مورد بررسی قرار گرفتند. برای مشخصه یابی نانوذرات از پراش اشعه x، طیف انتقال فوریه مادون قرمز(ftir) و میکروسکوپ الکترونی عبوری tem و برای بررسی خواص مغناطیسی نمونه ها نیز از دستگاه مغناطیس سنج vsm در دمای اتاق استفاده شد. نمونه های تهیه شده به روش حمام فراصوت دارای سایز و خصوصیات مغناطیسی کوچکتری نسبت به نمونه های تهیه شده به روش احتراقی بودند. با استفاده از آسیاب کاری بر روی نمونه های تهیه شده به روش احتراقی، سایز و مغناطش اشباع کاهش یافت و وادارندگی افزایش پیدا کرد.

در این پایان نامه به رفتار جمعی الکترون های سیستم الکترونی با برهمکنش های (ضعیف-قوی) که بر مبنای انتقال پایرلز می باشد می پردازیم و به دنبال مشخصه ای از سیستم که مسئول رفتار فوق ، بویژه سه پدیده ی کوپلینگ پینینگ و اسلایدینگ هستیم. اندرکنش های بین الکترونی باعث گافی در سطح فرمی گردیده که می تواند عامل بروز پدیده هایی مثل cdw یا sdwباشد. جالب توجه است که این دو حالت کاملا متفاوت آرایش الکترونی که یکی بر اساس انتقال بار جمعی و دیگری اسپین جمعی است، می توانند در شرایط خاص به یکدیگر تبدیل شده ویا گاهی تحت شرایط حاکم بر سیستم، غلبه با یکی از این حالت ها باشد. پدیده و رفتارهای فوق می تواند با توجه به رفتار ترکیبات کربنی به علت وجود الکترون های غیرمستقر در پیوند ? در ساختارهای بر پایه کربنی، قابل بررسی باشد. زیرا در این ترکیبات علاوه بر برهمکنشهای الکترونها با یکدیگر و نیز با یون های کربن موجود در شبکه به علت غیر مستقر بودن الکترون ها و در واقع ابر الکترونی در هر لحظه، با برهمکنش مغزهای کربنی با یکدیگر نیز مواجه می شویم. با غلبه هر یک از این اندر کنشها میتوان حالات پایه ممکن و البته مختلف این ماده را بیابیم.

سیلیکون یکی از مهم ترین مواد نیمه رسانا است که در مورد آن تحقیقات بسیار زیادی صورت گرفته و در حال حاضر نیز در حال انجام است. یکی از موضوعات جالب در این خصوص تغییر خصوصیات سطحی سیلیکون به منظور بدست آوردن کاربرد های متفاوت از این ماده است. در این راه ایجاد میکروساختار منظم بر سطح سیلیکون با استفاده از لیزر در حضور گازهای هالوژن دار از موضوعات مطرح شده در سال های اخیر است. در این کار ما با استفاده از نتایج تجربی تکنیکeis (اسپکتروسکوپی امپدانس الکتریکی) بر روی میکروساختار ایجاد شده برسطح سیلیکون با لیزر اگزایمرarf در مجاورت گاز?sf?_6 درفشارهای مختلف و بر اساس نظریه ی موجود خواص مهمی از این میکروساختار از قبیل زمان واهلش حامل ها، تحرک پذیری و ضریب انتشار انیشتین را بدست آورده ایم.