پس از بازنگری کلی بر تکنولوژی soi مدل و ترانزیستورهای soi و انواع روش های تبدیل سیگنال آنالوگ به دیجیتال مورد بررسی قرار می گیرد. در ادامه با طراحی زیرمدارهای مبدل a/d فلاش سه بینی اثر تکنولوژی soi بر این مدل بررسی می شود. مدل های soi بکاررفته از دانشگاه برکلی و پارامترهای آنها از دانشگاه فلوریدا تهیه شده و شبیه سازی مدارات بوسیله نرم افزار pspice5.0 و spice-opus انجام شده است. براساس شبیه سازی های انجام شده مبدل a/d طراحی شده با ماسفت های قسمتی تهی شده soi 3/7 درصد افزایش سرعت نسبت به مدار مشابه bulk-cmos را نشان می دهد. این بهبود سرعت برای مبدل طراحی شده با مسافت های کاملا تهیه شده soi برابر با 35/8 درصد می باشد. در ادامه مدارات جدی با سرعت بسیار بالا بوسیله دیود اثر میدانی (fed) طراحی می شود. fed یک قطعه soi بوده و یک مدل مداری برای آن پیشنهاد می گردد. در این پایان نامه یک خانواده جدی دیجیتال با استفاده از fed معرفی شده است. براساس نتایج شبیه سازی اینورتر fed و کلید fed نسبت به اینورتر و کلید cmos به ترتیب 98 و 54 برابر سریع می باشند. سپس یک مقایسه گر با طبقه خروجی fed طراحی می شود. شبیه سازی این مقایسه گر 2/79 برابر افزایش سرعت 5/67 برابر کاهش توان مصرفی و 2/64 برابر کاهش ابعاد چیپ مدار نسبت به مقایسه گر مشابه cmos را نتیجه می دهد. در انتها با استفاده از مدارات fed یک مبدل آنالوگ به دیجتال فلاش سه بیتی cmos-fed طراحی می شود. براساس نتایج شبیه سازی این مبدل نسبت به نوع مشابه cmos 3/39 برابر سریع تر 5/67 برابر کم مصرف تر و 2/64 برابر کوچکتر می باشد.