در این پروژه ابتدا فاز باریوم تیتانات و نیز باریوم استرانسیوم تیتانات با استفاده از مواد اولیه تشکیل شد. (باریوم کربنات، استرانسیوم کربنات و تیتانیوم دی اکساید به صورت محلول به مدت 60-40 ساعت آسیاب گلوله ای شده و سپس در دمای 1150 به مدت 2 ساعت کلسینه شدند)، پس از آن افزودنی های مختلف (لانتانیوم، منگنز، ایتریوم و بیسموت) و p.v.a به نسبت های مختلف به صورت محلول اضافه و پس از 24 ساعت آسیاب گلوله ای، خشک شدند. پودر حاصل تحت فشار 400 به صورت دیسک هایی به قطر 9 و ضخامت تقریبی 5/2-5/1 پرس شد. در این تحقیق 120 عدد قرص سرامیک تهیه شد. قرص ها پس از توزین، در دماهای مختلف ( 1450-1220) و در دوره های زمانی متفاوت زینتر شدند. چگالی قرص ها پس از زینترینگ محاسبه و با چگالی تئوری مقایسه شد. سطوح قرص ها پس از پولیش، با طلا و نقره لایه نشانی شد. سپس خواص الکتریکی آنها بررسی شد: مقاومت الکتریکیdc در دمای اتاق، ظرفیت خازنیac در فرکانس های( khz10 ، khz1 و hz100 )، تغییرات دمایی مقاومت و نیز تغییرات دمایی ظرفیت خازنی در فرکانس های مختلف اندازه گیری شد. بررسی های به عمل آمده مشخص کرد که خواص الکتریکی باریوم تیتانات شدیدا متاثر از ناخالصی ها، دمای زینترینگ و مدت زمان سایش است. با افزایش فرکانس، ثابت دی الکتریک در اکثر موارد کاهش نشان داد. همچنین مشاهده شد افزایش زمان سایش، مقاومت در دمای اتاق نمونه ها را کاهش می دهد. افزودن منگنز به باریوم استرانسیوم تیتانات دوپه شده با ایتریوم، ptcr jump را افزایش می دهد و برای ساخت سنسور حرارتی مناسب می باشد. همچنین باریوم تیتانات دوپه شده با لانتانیوم و منگنز، دارای قله نفوذپذیری بزرگی در فرکانس hz100 می باشد و برای ساخت خازن های سرامیکی چند لایه مناسب است.

چکیده ندارد.