هدف از این پایان نامه بررسی رفتار افزاره های سیلیکون روی الماس دو لایه است. ما قصد داریم در این پایان نامه با بررسی دقیق مشکلات موجود در روند کوچک سازی افزاره های اثر میدان در ابعاد نانومتر، روش هایی برای کاهش آثار ناشی از کوچک سازی افزاره ها ارائه نماییم. ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق در مقایسه با ترانزیستور بالک محاسن چندی از خود نشان می دهند. اثرات خودگرمایی در این ترانزیستورها با توجه به کوچک سازی ترانزیستور رو به افزایش است. از جمله روشهای برطرف کردن این مانع، استفاده از ساختار سیلیکون روی الماس می باشد. الماس عایق الکتریکی بوده و حرارت را چندین صد برابر بیشتر از دی اکسید سیلیکون به زیرلایه و محیط خارج ارسال می کند، اما به علت ضریب دی الکتریک بیشتر الماس در مقایسه با دی اکسید سیلیکون، میدانهای الکتریکی نفوذی از طرف درین به بدنه ترانزیستور بیشتر بوده و پارامتر اثرکاهش سد پتانسیل ناشی از درین تحت تاثیر قرار می گیرد. ساختار نانو ترانزیستور سیلیکون روی الماس دو لایه برای بهبود اثرات کانال کوتاه ارائه گردید. در این ساختار با قرار دادن لایه دوم عایق، تاثیر میدان الکتریکی نفوذی درین کاهش پیدا کرد و به نوبه خود باعث اثرکاهش سد پتانسیل ناشی از درین کاهش می-یابد. در این تحقیق، با ارائه روشی می خواهیم مقاومت سورس درین تا حد امکان کوچک نگه داشته شود و در عین حال اثرکاهش سد پتانسیل ناشی از درین بهبود یابد. تنها در این صورت است که ترانزیستور نهایی دارای اثرات الکتریکی بهتر از ترانزیستور ابتدایی می گردد. برای شبیه سازی ترانزیستور از مدل غیر همدمای هایدرودینامیک استفاده می نماییم و طول کانال ترانزیستور مورد بحث را 22 نانومتر انتخاب می کنیم. اثر افزایش طول و عایق رویین بر روی اثرات الکترواستاتیکی ترانزیستور را مورد بحث قرار می دهیم و با ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق و سیلیکون روی الماس مقایسه می کنیم. مدل فیزیکی برای شبیه سازی افزاره ها، مدل هایدرودینامیک بوده که در آن علاوه بر معادلات دریفت- دیفیوژن و انتقال حرارت، معادلات مربوط به درجه حرارت حامل ها نیز حل می گردد. این مدل خاص شبیه سازی افزاره ها در ابعاد نانو می باشد. نتایج حاصل از شبیه سازی افزاره سیلیکون روی عایق دولایه نشانگر بهبود در کاهش سد پتانسیل نسبت به افزاره سیلیکون روی الماس و پدیده خود گرمایی نسبت به افزاره سیلیکون روی عایق است. شبیه ساز مورد استفاده در این پایان نامه نرم افزار ise-tcad است که با قابلیت های ویژه در طراحی و تحلیل نیمه هادی ها توانسته است هزینه های تحقیق و مطالعه را کاهش دهد.

1- تعداد موارد مبتلایان به سل ‏‎(total tb)‎‏ در طی سالهای 1372 الی 1376، از 214 بیمار به 446 بیمار رسیده که سیر افزایش یابنده ای را نشان می دهد.2- تعداد موارد سل ریوی در طی سالهای 1372 الی 1376 از 182 بیمار به 295 بیمار رسیده است که سیر آن افزایش یابنده بوده است.3- تعداد موارد سل های خارج ریوی در طی سالهای 1372 لغایت 1376، از 32 بیمار به 151 بیمار رسیده است که سیری افزایش یابنده داشته است.4- میزان بروز ‏‎(incidence rate)‎‏ موارد کل سل ‏‎(total tb)‎‏ طی سالهای 1376-1372، از 12 درصد هزار ه 7/24 درصد هزار رسیده است که سیر افزایش یابنده را داشته است.5- میزان بروز سل های ریوی اسمیر مثبت طی سالهای 1376-1372، از 6 درصد هزار به 8/11 درصد هزار رسیده است که سیر افزایش یابنده ای داشته است.6- نسبت موارد سل های ریوی اسمیر مثبت به کل موارد سل از 51% در سال 1372 به 47% در سال 1376 رسیده است که بدون در نر گرفتن میزان آن در سال 72 که بنظر اتفاقی می باشد، روندی رو به افزایش داشته است.7- نسبت موادر سل های ریوی اسمیر مثبت به مجموع سل های ریوی اسمیر منفی و خارجی ریوی در طی سالهای 1372 لغایت 1376، از 1 به 9/0 رسیده است که بدون در نظر گرفتن میزان آن در سال 1372 که بنظر اتفاقی می باشد، روندی رو به افزایش داشته است.8- نسبت مبتلایان به سل در افراد روستائی در طی سالهای 1372 لغایت 1376 از 42% به 25% رسیده که سیری کاهش یابنده داشته است ولی نسبت مبتلایان شهری در طی سالهای 1376-1372 از 58% به 75% رسیده است که روندی افزایش یابنده را نشان میدهد.