ایمان اخوان صفایی عباس صادق زاده عطار
در دهه های اخیر و پس از کشف نانوتیوب های کربنی، مواد نانوساختار نیمه رسانای تک بعدی به دلیل خواص منحصربفردشان جذابیت های قابل توجه زیادی بدست آورده اند. در میان انواع متنوع نانوساختارهای یک بعدی، نیمه رسانای اکسید قلع (sno2) به خاطر خواص الکترونیکی و ساختاری خوبش، کاربردهایی در ابزارهای الکترونیکی، اپتو الکترونیکی، فوتونیک، باتری های یون لیتیم و سنسورهای گازی پیدا کرده است. در این پژوهش، نانولوله/ نانوسیم های دی اکسید قلع از روش رسوب دهی فاز مایع و با استفاده از تمپلیت های آلومینایی سنتز شد. همچنین تأثیر پارامترهای دما و زمان واکنش بر روی مورفولوژی نانولوله / نانوسیم های sno2 سنتز شده، مورد بررسی قرار گرفت. بدین منظور از ماده اولیه (nh4)2snf6 که پیش ماده اصلی برای تهیه نانولوله/ نانوسیم های sno2 است، استفاده شد. در ادامه با استفاده از فرایند غوطه وری تمپلیت ها به داخل محلول رقیق آبی قلع، واکنش شیمیایی بین این محلول و تمپلیت آلومینایی انجام و منجر به رسوب دهی نانولوله/ نانوسیم های sno2 گردید. نتایج حاصل از تصاویر میکروسکوپ الکترونی- گسیل میدانی و میکروسکوپ الکترونی عبوری حاکی از تشکیل ردیف های منظم نانوسیم sno2 با قطری در حدود 100-60 نانومتر در شرایط دمایی 45 درجه سانتی¬گراد و زمان واکنش 240 دقیقه بود. همچنین آنالیز پراش پرتو ایکس بیانگر این بود که پس از کلسیناسیون نمونه ها در دمای 500 درجه سانتی گراد، نانوسیم های sno2 با ساختار کریستالی روتایل تتراگونال تشکیل می شوند.
سعید حاجی جعفری بیدگلی عباس صادق زاده عطار
لایه های نانوساختار سیلیکات بیسموت به روش سل- ژل تهیه و تأثیر افزودن ماده استرانسیم بر ساختار، مورفولوژی و خواص الکتریکی آنها بررسی شد. ابتدا سل های مختلف با نسبت های مشخص از مواد اولیه تهیه شد. سل های تهیه شده روی زیرلایه شیشه ای لایه نشانی شد. نمونه های تولید شده خشک و به منظور دستیابی به ساختار کریستالی کلسینه شد. نتایج الگوی xrd نشانگر تشکیل تک فاز bi4si3o12 از نمونه های آنیل شده در °c 700 می باشد. مطالعات مورفولوژی به وسیله sem و afm نیز تشکیل پوششی صاف، یکنواخت و همگن را نشان می دهد. این نتایج بیانگر کاهش اندازه ذرات با افزودن ماده استرانسیم به لایه نانوساختار سیلیکات بیسموت می باشد. با توجه به خواص الکتریکی، با افزودن ماده استرانسیم، ثابت دی الکتریک و اتلاف دی الکتریک ابتدا کاهش و سپس افزایش می یابد. همچنین با افزایش فرکانس مقادیر ثابت و اتلاف دی الکتریک کاهش می یابد.