سطوح بالای نیترات و نیتریت در آب به عنوان یک تهدید، سبب تولید آب در بسیاری از کشور ها در سراسر جهان گردید. در کنار اسمز معکوس که کاربرد گسترده ای برای تصفیه آب داراست، تحقیقات اخیر نشان می دهد که نانو فیلتراسیون تکنولوژی امید بخش و متنوعی در حذف نیترات و نیتریت ازمنابع آب های زیرزمینی به حساب می آید و غشاء nf به اندازه کافی نقش حیاتی در بازده حذف بازی می کند. در این کار غشاء لایه نازک کامپوزیتی برای حذف نیترات و نیتریت در مقیاس مطالعاتی ایجاد گردید. تاثیر پارامتر های عملیاتی فشار و phمورد بررسی قرار گرفت، که نتایج نشان میدهد که غشاء ایجاد شده بهترین عملکرد با فشار 6 بار و ph 8 را دارا می باشد. در شرایط بهینه به ترتیب به حذف نیترات 82/31% و حذف نیتریت 90/27% دست یافتیم.

در بخش اول ابتدا مختصری از اصول حفاظت کاتدی شرح داده می شود وسپس به توضیح اثرات منفی تزریق هیپوکلرید سدیم و مضرات آن طبق اطلاعات شیمیایی شرکت ملی صنایع شیمیایی وزارت نفت می پردازیم وشرح می دهیم که چرا می خواهیم تزریق یون مس را جایگزین تزریق هیپوکلرید سدیم بنماییم. از سال های گذشته در ایران به جهت جلوگیری از خوردگی خطوط لوله از حفاظت کاتدیک استفاده می شده است.اما برای حفاظت خوردگی درون لوله های آب شور دریا تمهیداتی اندیشه نشده است. همچنین صنایعی که از آب دریا به جهت خنک کاری استفاده می کردند و همچنین صنایعی که آب دریا را شیرین و به مصارف صنعتی و مصارف عمومی از جمله آب شرب می رسانده اند با مشکل marine growths یا همان تجمع موجودات میکروسکپی مواجه بوده اند. شایان ذکر است که تجمع marinre growths درون لوله های مبدل های حرارتی همچنین باعث کاهش انتقال حرارت می شود که باید برای حل این مشکل راه کاری اندیشیده شود. برای حل این مشکل صنایع از تزریق هیپوکلرید سدیم استفاده می کرده اند که در مقادیر زیاد و کنترل نشده سمی و خطرناک می باشد و به محیط زیست دریایی ضرر می رساند. همچنین تهیه سل های(cells)دستگاه کلر ساز (choloropack)به جهت تحریم های اعمال شده تقریبا غیر ممکن است زیراانحصار تولید این سل ها در اختیار چند کشور محدود می باشد و علاوه بر هزینه های سرسام آور هم اکنون تهیه آن ها میسر نمی باشد. در این مقاله سعی شده است تا با جایگزینی روش حفاظت کاتدیک علاوه بر کنترل تجمع marine growths با تزریق یون مس همچنین از تزریق یون آلومینیم به جهت کنترل خوردگی نیز استفاده شود. این بدین معنی است که با یک سیستم کنترلی دو هدف سودمند (هم جلوگیری از تجمع موجودات ریز دریایی و هم جلوگیری از خوردگی درون لوله ها)محقق شود. بنابراین با توجه به نیاز شرکت نفت فلات قاره از شرکت های اقماری شرکت ملی نفت ایران این پروژه در منطقه نفتی بهرگان اجرا شده و مقدمات اجرای آن در شرکت نفت قشم نیز در حال آماده سازی طراحی و اجرا می باشد.

کاهش سطح آب در امولسیون های نفت خام سبب کاهش خوردگی خطوط لوله و افزایش بهره برداری از آن ها می شود. استفاده از روش شیمیایی جهت امولسیون زدایی از امولسیون های نفت خام یکی از روش های موجود برای کاهش مقدار آب می باشد. حضور یک ماده ی تعلیق شکن شیمیایی سبب ناپایدارسازی لایه ی فیلم ایجاد شده بین قطرات آب حاضر در امولسیون آب در نفت خام شده و در نتیجه به هم پیوستگی این قطرات را تسریع می بخشد. با توجه به این موضوع در این پژوهش بهبود کارایی ماده تعلیق شکن شیمیایی به وسیله نانو ذرات سیلیکا مورد بررسی قرار گرفته است. لذا نانو ذرات سیلیکا از روش های سل-ژل و رسوبی به همراه سورفکتانت های پلی وینیل الکل و پلی اتیلن گلایکول سنتز و سپس به ماده تعلیق شکن شیمیایی افزوده شده است. بررسی اندازه ذرات سنتز شده توسط دستگاه آنالیز اندازه ذرات صورت گرفته است. پس از اضافه نمودن نانو ذرات به ماده تعلیق شکن شیمیایی آزمایشات بطری(bottle test) و الکترواستاتیک به منظور جداسازی و اندازه گیری مقدار آب و تیتراسیون استاندارد(ip77) به منظور اندازه گیری مقدار نمک انجام شده است. نهایتا نانو ذرات سیلیکا سنتز شده از روش سل-ژل همراه با پلی وینیل الکل باعث افزایش 40درصدی کارایی تعلیق شکن شیمیایی شده است.

در این پروژه، نشان داده شد که لایه های نازک خواص فراوانی دارند که یکی از آن ها خاصیت مغناطیسی آن است، با استفاده از خاصیت مغناطیسی لایه نازک قادر به ساخت انواع گوناگونی از حافظه های مغناطیسی هستیم.یکی از این لایه استفاده از لایه نازک cocrpt است که بیشترین کاربرد را در بین دیگر لایه ها داراست. با استفاده از روش کندوپاش(sputtring) لایه نازک cocrpt ساخته شد و سپس زیرلایه nial با شرایط خاصی روی آن انباشت داده شد. با استفاده از دستگاه مغناطیس سنج نمونه ارتعاشی(vsm) وادارندگی هر کدام اندازه گیری شده، و با استفاده از محاسبات sfd، نمودار، جدول ها و شکل های هر یک به صورت مجزا ترسیم شد. در اولین مرحله، بر روی زیرلایه ?ni?_30 ?al?_70 به ضخامت ثابت 70 نانومتر، لایه نازک cocrpt با ضخامت های متغییر nm 72-12 انباشت گردید. حداکثر h_c بدست آمده، به ازاء ضخامت حدود nm 50 لایه نازک cocrpt است. مقدار آن تقریباً برابر oe 600 (600 اورستد) است که رقم چندان جالب توجهی نیست. در دومین مرحله، ضخامت فیلم cocrpt به میزان حدود nm 50 ثابت نگه داشته شده و در نمونه های مختلف زیرلایه nial، درصد ni از 30 تا 70 تغییر یافت، بهترین مقدار نیروی وادارندگی برای زیرلایه nial، با نسبت درصد ساخت، 50 درصد ni و 50 درصد al بدست آمد. در آخرین مرحله، ضخامت فیلم cocrpt به میزان حدود nm 50 ثابت نگه داشته شده و این بار در نمونه های مختلف زیرلایه nial با درصد ترکیب ثابت (50 درصد نیکل)، ضخامت زیرلایه را از 8/8 تا 70 نانومتر تغییر داده شد، که بیشترین مقدار وادارندگی مغناطیسی حدود 1100 اورستد است که به ازای ضخامت 70 نانومتری، بدست آمده است. از آنجا که عمده استفاده از این فنآوری در ساخت دیسک های سخت رایانه ای است، می توان روی پایداری مکانیکی و حرارتی، مقدار نویز ایجاد شده ضمن ضبط و همچنین دسترسی به وادارندگی بیشتر با استفاده از آلیاژهای چهارتایی، جایگزینی پلاتین با دیگر فلزات مانند ta و زیرلایه های دیگری نظیر مس، این تحقیقات را ادامه داد.