در این پایان نامه با استفاده از معادلات حاکم بر گذار بین حالت های جایگزیده موجود در گاف انرژی و حالت های گسترش یافته نوارهای رسانش و ظرفیت در نیم رسانای سیلیکان هیدروژنه آمورف، قابلیت هدایت نوری حالت پایا محاسبه شده است. حالت های جایگزیده به صورت توزیع نمایی مربوط به کشیدگی نوار رسانش و ظرفیت و نیز حالت های پیوندی معلق در نظر گرفته شده است. وابستگی قابلیت هدایت نوری به دما و شدت نور تابشی مورد مطالعه قرار گرفته و کاهش در قابلیت هدایت نوری با افزایش دما نیز بررسی شده است. رفتار دمایی قابلیت هدایت نوری با استفاده از تغییرات چگالی بارها در حالت های جایگزیده طی پنج مرحله به طور کیفی مورد تحلیل قرار گرفته است. تغییرات چگالی الکترون ها در نوار رسانش و حفره ها در نوار ظرفیت بر حسب عکس دما بررسی و نمودار آن ها رسم شده است.

امروزه فناوری نانو نقش بسیار مهمی در صنایع پیدا نموده است و بسیاری معتقدند که فناوری نانو، فناوری غالب عصر آینده خواهد بود و به همین علت بسیاری از کشورها سرمایه گذاری های سنگینی در این زمینه نموده اند. اولین گام در این فناوری تولید نانوذرات، نانولوله ها، نانوسیم ها، نانولایه ها و بطور کل نانوساختارها می باشد. در میان انواع روش های تولید نانوذرات روش خودچیدمان به عنوان روشی جدید و پیشرو در سالهای اخیر مطرح گردیده و توجه بسیاری را بخصوص در برآورده نمودن آرزوی ساخت ماشینهای مولکولی، بخود جلب نموده است. خودچیدمان به عنوان روشی برای چینش ذرات برای به دست آوردن ساختاری از پیش تعیین شده ، مزایای کاربردی ویژه ای مانند موازی بودن و در نتیجه سرعت بالای تولید ، بالابودن دقت ، امکان ایجاد ساختارهای سه بعدی و امکان کنترل فرایند به سمت مورد نظر با استفاده از نیروهای خارجی را دارد. هدف این پایان نامه آن است که در ابتدا به جمع آوری و طبقه بندی روشهای تولید نانوساختارهای خودچیدمان پرداخته و بطور اجمال معرفی گردند، تا بتواند به عنوان مرجعی اولیه برای کلیه دانشجویان و محققین علاقه مند این حوزه ، مورد استفاده قرار گیرد. در ادامه، به تولید نانوذرات نقره به روش بیوسنتز پرداخته خواهد شد و اصول و شرح این آزمایشات ارائه می گردد. سپس برای تکمیل آزمایشات و هرچه کاربردی تر نمودن این پژوهش، خصوصیات فیزیکی نانوذرات تولیدی را مورد بررسی قرار داده و تاثیر پارامترهای اصلی آزمایش نظیر زمان، غلظت محلول و دما را بر میزان تولید نانوذرات نقره ارائه می شود. در پایان نیز به بررسی پایداری و نحوه کنترل ابعاد نانوذرات از طریق کنترل میزان غلظت نیترات نقره پرداخته و تحلیلی از نتایج بدست آمده را ارائه نموده ایم.

در این پایان نامه لایه های نازک tio2-sno2 به روی زیر لایه های مختلف به روش های فیزیکی(تبخیر در خلأ و بیم الکترونی) و شیمیایی(سل-ژل) ساخته شدند. در روش فیزیکی از قرص-های متراکم tio2-sno2 برای چشمه ی تبخیر استفاده گردید. در روش سل-ژل محلول لایه نشانی tio2-sno2 از ترکیب سل های tio2 و sno2 تهیه شد. از پیش ماده های تترا ایزوپروپوکسید-اورتوتیتانات برای تهیه سل tio2 و کلریدقلع دو آبه برای تهیه سل sno2 بهره گرفته شد. بعد از لایه نشانی به منظور بهبود ساختار بلوری عملیات حرارتی روی لایه ها انجام پذیرفت. جهت مطالعه خواص ساختاری لایه ها، مورفولوژی سطح و نحوه دانه بندی از آنالیزهای xrdو sem استفاده گردید. مطالعه خواص اپتیکی و الکتریکی لایه ها توسط طیف سنجی uv/vis/nir در محدوده ی طول موجی 1200-200 نانومتر و سیستم اندازه گیری دو نقطه ای (i-v) انجام پذیرفت. به منظور اندازه گیری رسانایی و حساسیت در حضور گاز در محفظه مورد نظر الکترودهایی از جنس طلا طبق الگوی طراحی شده روی نمونه ها به روش تبخیر در خلأ لایه نشانی گردید. سپس آزمایش حسگری گاز، در حضور گاز مونوکسید کربن روی حسگر های گازی tio2-sno2 ساخته شده، به روش های فیزیکی و شیمیایی انجام پذیرفت، نهایتاً تغییرات مقاومت و ولتاژ لایه های نازک tio2-sno2 با زمان مورد مطالعه و بررسی قرار گرفت. نتایج نشان داد، لایه های نازکی که ساختار نانویی دارند گزینه های مناسبی برای تشخیص آلاینده های گازی به شمار می روند.

خصوصیات کلی تحرک پذیری وابسته به میدان الکتریکی به این صورت است که افزایش میدان الکتریکی باعث افزایش انرژی الکترون ها شده واین امر منجر به تولید فونون و افزایش پراکندگی بین آن ها می شود و در نتیجه آن تحرک پذیری کاهش می یابد. در حالت کلی تحرک پذیری در میدان های الکتریکی پایین تا رسیدن به یک میدان بحرانی ثابت باقی مانده و آن سوی میدان بحرانی با افزایش میدان الکتریکی شروع به کاهش می کند. در این تحقیق با لحاظ انرژی متناهی فونون ها در معادله موازنه انرژی دستگاه الکترون– فونون برای برهمکنش کشسان با فونون های اکوستیکی درون دره ای در دمای پایین، مشخصات تحرک پذیری وابسته به میدان الکترون ها در یک گاز الکترون دو بعدی غیر تبهگن سیلسیوم محاسبه و رسم گردید. با استفاده از روش های، تقریب دمای موثر وابسته به میدان، حل مستقیم معادله بولتزمن به روش تحلیلی و به روش عددی، تغییرات تحرک پذیری الکترون ها نسبت به میدان الکتریکی را مورد بررسی قرار داده و سپس نتایج حاصل از مدل های نظری را با داده های تجربی مقایسه کردیم. نتایج به دست آمده نشان می دهد که تحرک پذیری وابسته به میدان الکتریکی محاسبه شده از حل معادله بولتزمن به روش تحلیلی انطباق خوبی با داده های تحرک پذیری تجربی دارد.

در این تحقیق به بررسی ساختار چاه کوانتومی تحت کرنش ingan/ganورتزیت پرداخته ایم. هدف اصلی ما در این پایان نامه محاسبه میدان الکتریکی در چاه کوانتومی ingan/gan و نیز چاه های کوانتومی چندتایی آنها است. روش ما برای این محاسبه، حل معادله کرنش به منظور بدست آوردن بارهای پلاریزاسیون که عمدتاَ بدلیل تغییر ناگهانی ثابت-های پیزوالکتریک در سطح مشترک چاه و سد حاصل می شود می باشد، حل خود سازگار معادلات پواسون و k.p شرودینگر 8- نواری برای محاسبه حامل های آزاد در دیواره های چاه کوانتومی انجام شده است. این شبیه سازی یک بعدی برای میدان الکتریکی و حاملهای آزاد با استفاده از نرم افزار nextnano++برای حالتهای مختلف پلاریته سطح gan، ضخامتهای مختلف و نسبتهای ایندیم متفاوت چاه ingan و چاه های چندتایی ingan با ضخامتهای مختلف چاه و سد، ارائه شده است. در این بررسی مشاهده شده است که با افزایش پهنای چاه تا پهنای بحرانی افت پتانسیل بطور خطی افزایش یافته و میدان ثابت می ماند در حالیکه پس از آن افت پتانسیل ثابت ولی میدان کاهش می یابد همچنین در چاه های کوانتومی چندتایی، کنار هم قرار گرفتن چاه ها باعث ایجاد میدان قابل ملاحظه ای در لایه های سد می گردد.

نیترایدهای نیم رسانای گروه iii از جمله گالیم نیتراید، به سبب گاف نواری پهن و مستقیم در ساخت قطعات الکترو اپتیکی مورد توجه هستند. خواص الکتریکی و اپتیکی این نیم رساناها توسط عیوب بلوری تحت تاثیر قرار گرفته و تغییر می کنند. ساختار بلوری ترکیبات گروه iii-v، عیوب بلوری و نظریه تابعی چگالی در این کار پژوهشی معرفی شده است. طبق محاسبات گاف نواری گالیم نیتراید در ساختار ورتزیت ev 8/1 و گاف نواری ساختار بلند روی ev 6/1 می باشد همچنین ضریب شکست ساختار بلند روی در فرکانس های پایین تقریباً 53/2 وضریب خاموشی در محدوده ی (ev) 2-0، صفر می باشد. در ساختار ورتزیت نیز به سبب خواص ناهمسانگردی ضریب شکست های متفاوتی در دو جهت x,z ایجاد می شود. ضریب شکست ساختار در محدوده ی بسامدهای پایین (نورمرئی) در جهت x حدوداً 51/2 و در جهت y تقریباً 54/2 می باشد. ضریب خاموشی نیز در محدوده ی (ev) 2-0 ، صفر می باشد. در این پایان نامه توزیع بار اطراف دررفتگی پیچشی در ساختار ورتزیت گالیم نیتراید، ناخالصی کربن، تهی جاهای نیتروژن و گالیم در ساختار بلند روی گالیم نیتراید با استفاده از نظریه تابعی چگالی مورد بررسی قرار گرفته اند. شبیه سازی این عیوب با استفاده از برنامه wien2k صورت گرفته است. ساختار نواری، چگالی حالت های الکترونی و خواص نوری در ساختارهای معیوب بررسی شده است. بر اساس نتایج بدست آمده، دررفتگی پیچشی در ساختار ورتزیت هیچ تراز انرژی را در گاف نواری القا نمی کند. همچنین چگالی حالت های الکترونی در اطراف هسته دررفتگی افزایش می یابد. بنابراین می توان پیش بینی کرد که این نوع دررفتگی، بعنوان تله برای الکترون ها عمل می کند و به این ترتیب بازده الکتریکی و اپتیکی قطعات کاهش می یابد. ناخالصی کربن با اتم های گالیم جانشین می شود و تراز نواری دهنده را در گاف نواری القا می کند، گاف نواری کاهش یافته و در نهایت رسانایی الکتریکی افزایش می یابد. تهی جای گالیم بعنوان پذیرنده الکترون عمل می کند و تراز پذیرنده را در نزدیکی نوار ظرفیت ایجاد می کند. تهی جای نیتروژن بعنوان دهنده الکترون عمل کرده و تراز دهنده را در گاف نواری ایجاد می نماید. . همچنین خواص اپتیکی مانند تابع دی الکتریک، ضریب شکست و ضریب خاموشی در اغلب فرکانس ها در مقایسه با ساختار ایده ال دچار افت می گردند

توسعه سریع و افزایش قدرت و کنترل پذیری سوئیچ های الکترونیک قدرت منجر به استفاده روزافزون آنها در مدارات تنظیم کننده ولتاژ شده است به نحوی که قابل رقابت با مدل های تپ چنجر و الکترومکانیکی شده اند. از سوی دیگر گسترش استفاده از تجهیزات الکترونیکی در صنعت، حساسیت مصرف کنندگان انرژی برق را به کیفیت برق و سطح ولتاژ بسیار بالا برده است. لذا تجهیزات مختلفی برای تنظیم سطح ولتاژ در شبکه ابداع و ساخته شده اند. استفاده از تنظیم کننده های ولتاژ با برش ولتاژ ac به دلیل تلفات کم، بازده بالا، پاسخ دینامیکی سریع، تنظیم ولتاژ روی مقدار ثابت، امکان حذف هارمونیک های ولتاژ، قابلیت تصحیح ضریب توان، کم بودن تعداد ترانزیستور های قدرت و در نتیجه اقتصادی تر بودن بسیار مورد توجه قرار گرفته است. در این پایان نامه روش جدیدی برای برش ولتاژ ac ارائه شده که مدار کنترل را قادر می سازد تا بدون استفاده از سنسورهای ولتاژ و جریان و نیز مدارهای اسنابر، یک موج سینوسی ایزوله از برق ورودی که دامنه آن با استفاده از مدولاسیون پهنای پالس قابل کنترل است، تولید و با استفاده از آن ولتاژ خروجی را در مقدار نامی تثبیت نماید. عملکرد سیستم پیشنهادی با نرم افزار pscad شبیه سازی شده است. پیاده سازی سخت افزاری و انجام آزمایشات عملی نیز نتایج شبیه سازی ها را تایید می نمایند.

افزایش مصرف انرژی و بالارفتن قیمت آن در جهان، جستجوی گزینه های جدید انرژی را ایجاب می کند. انرژی خورشیدی یکی از امیدبخش ترین و در دسترس ترین منابع است. یکی از گزینه ها، نسل جدیدی از سلول های فتوولتائیک بر پایه ی نانو ذره و پلیمرهای رسانا است که علاوه بر تولید ارزان، ویژگی های جذاب دیگری مثل انعطاف پذیری و قابلیت تنظیم گاف نواری اپتیکی را دارد و همچنین ضریب جذب بسیار بالای پلیمرهای هادی امکان تهیه سلول های خورشیدی بسیار نازک را فراهم می کند. در این پایان نامه، ابتدا پلیمرها و ویژگی های آن ها معرفی شده است؛ سپس سلول های خورشیدی آلی و معدنی و اساس کار آن ها مورد بررسی قرار گرفته است. در فصل 3 فرآیند انتقال حامل ها بررسی شده است. و سپس در فصل 4 با توجه به دو سازوکار تولید، معادله جریان بر حسب ولتاژ را با در نظر گرفتن نسبت ثابت دی الکتریک و تحرک در لایه معدنی به آلی، به دست آورده و سپس غلظت الکترون در هر لایه را به دست آورده ایم. در فصل 5 منحنی جریان بر حسب ولتاژ بر اساس دو رویداد تولید بررسی شده است و با نمونه نظری دیگر مقایسه شده است و با توجه به این دو رویداد بازده را برای دو سلول خورشیدی به دست آورده ایم.مشخص می شود در هر دو سلول با افزایش تحرک و ثابت دی الکتریک بازده کاهش می یابد. سپس نمودار غلظت الکترون را بر حسب فاصله در لایه معدنی بررسی کرده و جریان پخش و سوق و اختلاف آن ها را بر حسب فاصله در این لایه بررسی شده است.مشخص می شود که با افزایش ولتاژ اختلاف جریان پخش و سوق زیاد می شود و عمده جریان سلول مربوط به جریان پخش می باشد.

در طی سال های اخیر تکنیک های پیشرفته رادیوتراپی مانند رادیوتراپی با شدت مدوله شده (imrt) گسترش یافته اند. این نوع روش ها به خطاهای موجود در درمان بسیار حساس هستند. بنابراین به کارگیری یک سیستم دزیمتری با قدرت تفکیک بالا که از پایداری بالا و حساسیت نسبتا خوبی برخوردار باشد و قابلیت اندازه گیری و تایید توزیع دزهای پیچیده را داشته باشد یک نیاز اساسی به شمار می رود. ژل دزیمتر فروس آگارز گزیلنول اورنج (fax) که خواص و ویژگی های آن تحت تابش پرتو تغییر می کند و نوعی دزیمتر حالت جامد به شمار می رود برای این نوع دزیمتری پیشنهاد می شود. در این مطالعه انواع ژل دزیمترهای فریک، fgx و fax ساخته شد و مورد آزمایش قرار گرفت. پس از بررسی تمام ویژگی های لازم برای دزیمتری در نهایت ژل fax انتخاب گردید. ژل fax با استفاده از 0.4 میلی مولار فروس سولفات آمونیوم، 25 میلی مولار اسید سولفوریک، 0.2 میلی مولار گزیلنول اورنج که شناساگر یون-فلز می باشد، 1 درصد وزنی پودر آگارز و بقیه حجم محلول را که آب دو بار تقطیر با خلوص بالا تشکیل می داد ساخته شد. سپس تحت تابش دز های متفاوتی از 0 تا 30 گرِی با فوتونی با انرژی mv 9 و الکترونی با انرژی mev 6 توسط دستگاه شتابدهنده خطی و دزهای از 0 تا 21 گرِی پرتوهای گاما توسط دستگاه کبالت-60 قرار گرفت. سپس طیف جذبی و تغییرات جذب قبل و پس از پرتودهی با دستگاه اسپکتروفوتومتر اندازه گیری شد و تصاویر mri از ژل ها تهیه شد. برخی از ویژگی های ژل دزیمتر از قبیل رابطه بین جذب اپتیکی و دز، حساسیت، پایداری و تکرار پذیری بررسی گردید. به منظور دستیابی به ترکیبی با بهترین پاسخ خطی و بیشترین میزان حساسیت ژل fax با غلظت های متفاوتی از مواد تشکیل دهنده ساخته شد. نتایج نشان داد که رابطه بین جذب و دز تا بالای 18 گرِی برای پرتوهای فوتون، الکترون و گاما خطی می باشد ولی فرآیند اکسیداسیون پس از تابش نیز ادامه می یابد و هم چنین شرایط نگهداری همچون مقدار اکسیژن محیط، دما و نور روی پاسخ دزیمتر تأثیر می گذارد. تکرار پذیری برای دزیمتر در محدوده دز آزمایش شده با درصد تغییرات حداکثر 2.3 درصد بدست آمد. بهترین ترکیب با بیشترین حساسیت 0.2 میلی مولار گزیلنول اورنج و 0.4 میلی مولار فروس سولفات آمونیوم بدست آمد. این مطالعه نشان داد ژل fax با ترکیب بالا و اسپکتروفوتومتر به عنوان خوانش، دزیمتری حساس و ارزان برای کاربردهای رادیوتراپی می باشد.

تکنولوژی جوشکاری یکی از روش های متداول مونتاژ قطعات فلزی بوده که در بسیاری از شاخه های صنعت از جمله صنایع نفت، گاز، پتروشیمی، خودروسازی و ... به طور گسترده ای مورد استفاده قرار می گیرد. ایجاد اتصای جوشی کاملاً سالم تقریباً غیرممکن و غیراقتصادی است. یک اتصال جوشی دقیقاً مطابق آنچه طراحی شده است، رفتار نکرده و عیوب ایجاد شده، رفتار سازه را تحت تاثیر قرار خواهد داد. در دوره بهره برداری از تجهیزاتی صنعتی لازم است، بعضی از جوش ها که دچار عیوبی هم چون ترک شده اند، ترمیم گردند تا امکان استفاده مجدد از این تجهیزات فراهم گردد. در روش جوشکاری ترمیمی ناحیه ای را که عیب در آن مشاهده گردیده را سنگ زده و مجدداً جوشکاری می کنند. مدل سازی عددی برای جوش لب به لب در ورق ها، به خصوص جوش ترمیمی می تواند در تشخیص میزان اصلاح جوش حائز اهمیت زیادی باشد. در این تحقیق علاوه بر مدل سازی اجزاء محدود جهت سنجش الگوی تنش های پسماند در جوش اولیه و ترمیمی و مقایسه آنها با یکدیگر، با اندازه گیری تنش های پسماند به روش سوراخکاری، صحت نتایج عددی مورد ارزیابی قرار گرفته است

در این پژوهش به بررسی نقش برهمکنش اسپین – مدار پرداخته ایم. این نوع برهمکنش xxz کوانتومی با استفاده از یک زنجیره اسپینی با برهمکنش جدید با یک ثابت جفت شدگی و عامل فاز جدید می شود. نقش این xxz منجر به یک زنجیره برهمکنش اسپین - مدار در تمامی فضای فاز این زنجیره مورد بررسی قرار گرفته است.به ازای مقادیر بزرگ قدرت این برهمکنش اسپین - مدار، اندازه ثابت جفت شدگی جدید بر پارامترهای دیگر غلبه کرده و تمامی فازهای مختلف زنجیره به مثابه یک کانال کوانتومی یکسان عمل می کنند. ازآنجایی که نتایج تحلیلی برای تعداد اسپین بیش از ? امکان پذیر نبوده است، در مطالعه زنجیره های بزرگتر از محاسبات عددی بهره بردهایم. همچنین اثر این برهمکنش در دمای غیر صفر نیز مورد بررسی واقع شده است. نتایج نشان داده اند که این برهمکنش میزان انتقال درهم تنیدگی در دمای غیر صفر را بهبود می بخشد. در ادامه به بررسی شرایط لازم برای داشتن یک درهم تنیدگی کوانتومی به همراه برهمکنش شبه موضعی با محیط xy پایا برای مدلی از شبکه اسپینی با برهمکنش پرداخته ایم. این نوع برهمکش منجر به بوجود آمدن یک درهم تنیدگی پایا و یکنواخت در شبکه می شود. نشان داده ایم که بیشینه درهم تنیدگی کوانتومی بین هر جفت کیوبیت اختیاری به اندازه شبکه (تعداد اسپین ها) وابسته است. در این راستا یک سامانه متشکل از آرای های از میکروکاواک ها به همراه یک اتم دوترازی در هر کدام که به وسیله فیبرنوری با یکدیگر متصل هستند را به عنوان تحقق فیزیکی مدل مورد بررسی معرفی نموده ایم. در این سامانه یک بعدی هر کدام از فیبرهای نوری با محیط بوزونی پیرامون خود برهمکنش دارند و با انجام محاسبات جبری بر روی هامیلتونی و شاه معادله تحول این سامانه نشان داده ایم که این سامانه معادل یک زنجیره اسپینی است که شرایط لازم برای داشتن درهم تنیدگی کوانتومی پایا بین هر جفت کیوبیت آن را دارد. در نهایت یک راه کاملا همدوس برای انتقال مستقیم حالت یک اتم در یک شبکه اپتیکی یک بعدی را معرفی می کنیم. نشان داده ایم که هامیلتونی این شبکه یک بعدی معادل یک زنجیره اسپینی با برهمکنش است. در این روش حالت یک اتم (اطلاعات کوانتومی) به وسیله انجام متوالی جابجایی فاز بر xyروی پتانسیل شبکه در حین تحول آزاد سامانه منتقل می شود. این روش برای اعمال گیت های کوانتومی و ایجاد درهم تنیدگی کوانتومی از طریق امکان برهمکنش دو اتم در مجاورت یکدیگر مورد استفاده قرار می گیرد.

در سطح آزاد نیم رساناها برای مثال سطح سیلیکن، حالت تناوبی اتم های بلور گسیخته می شود به طوری که بعضی از پیوندهای اتمی به صورت پیوندهای آزاد باقی می مانند. در نتیجه حالت های سطحی دهنده و یا پذیرنده زیادی در گاف نواری سطح سیلیکن وجود دارد. به طور مشابه در اتصال شوتکی فلز – نیم رسانا (ti-si)، حالت های میان گاهی الکترونیکی در گاف نواری القا می شوند. به هر حال حالت های سطحی (و یا میان-گاهی) توانایی به دام انداختن الکترون ها یا حفره های داخل نیم رسانا را دارند. بنابراین مشخصه یابی سطح در طراحی قطعات میکروالکترونی سیلیکنی ضروری است. همچنین کنترل (به عنوان مثال از طریق خنثی سازی) ویژگی های الکتریکی سطح si (میان گاه si-vacuum و یا si-metal) در تکنولوژی si مورد توجه بوده است. متفاوت با پژوهش های تجربی و نظری گذشته، در این کار از چگالی گاز حفره ای دوبعدی (2dhg) محبوس در چاه کوانتومی sige در ساختار دورآلاییده معکوس p-si/sige/si به عنوان روشی برای مشخصه یابی سطح si(100) استفاده شده است. در این پایان نامه، ابتدا میان گاه si-vacuum مشخصه یابی شد و محل اتصال (چسب گاه) تراز فرمی و چگالی بار سطحی در سطح si ساختار رونشانده p-si/sige/si با استفاده از تحلیل نتایج آزمایش هال در دمای پایین و بر اساس مدل چسب گاه میان گاف (mpm) ارزیابی شد. به طور مشابه، میان گاه si-ti مشخصه یابی شد و چگالی بارهای میان گاهی، ارتفاع سد شوتکی و چگالی حالات فلزی القایی در گاف در میان گاه si-ti از ساختارهای p-si/sige/si-ti ارزیابی شد. همچنین رونشانی لایه نازکی از مولکول آلی فنانترن کینون(pq) بر روی این ساختارها باعث کاهش نسبی بارهای سطحی شده و در خاتمه به کمک مدل اصلاح شده چسب-گاه میان گاف (mmpm) چگالی حالات سطحی و موقعیت تراز فرمی در سطح ساختارp-si/sige/si-pq ارزیابی شد.

در این پایان نامه توزیع دما برای لیزر حالت جامد nd:yag ا دمش جانبی لامپ درخش تک پالس بلند محاسبه شده است. توزیع دما تحت شرایط مرزی همرفت دما نیز محاسبه شده سپس تنش های القایی و اثر عدسی گرمایی برای سیستم های خنک کننده مختلف با یکدیگر مقایسه شده است.

کمال گرایی یکی از سازه های شخصیتی می باشد که نقش مهمی را در سازگاری انسان ایفا می کند و در دهه های اخیر توجه زیادی را به خود جلب نموده است. هدف از انجام تحقیق حاضر بررسی ارتباط بین ابعاد مختلف کمال گرایی ورزشکاران و عزت نفس آنان می باشد. جامعه آماری تحقیق شامل کلیه دانشجویان ورزشکار مناطق 9 گانه وزارت علوم شرکت کننده در مسابقات بین دانشگاهی در سال تحصیلی 89-88 می باشد که از بین آنها و با استفاده از روش نمونه گیری تصادفی خوشه ای از بین مناطق 9 گانه وزارت علوم، دو منطقه انتخاب شدند. سپس از بین شرکت کنندگان در مسابقات این مناطق به روش تصادفی رشته های والیبال، هندبال، بدمینتون و تنیس روی میز 45 نفرانتخاب شدند. اطلاعات فردی آزمودنی ها از قبیل سن، جنس، رشته ورزشی از طریق پرسشنامه مشخصات فردی جمع آوری شد. سپس کلیه افراد به کامل کردن پرسشنامه ها پرداختند. پس از جمع آوری اطلاعات مورد نیاز، فرضیه های تحقیق با استفاده از آزمون همبستگی پیرسون، مورد ارزیابی قرار گرفتند. نتایج تحلیل همبستگی نشان داد که ابعاد مثبت کمال گرایی (معیارهای شخصی و سازماندهی) رابطه معناداری با عزت نفس افراد ندارند و از میان معیارهای منفی کمال گرایی (نگرانی درباره اشتباهات، تردید در مورد نگرانی ها، ادراک فشار والدین و ادراک فشار مربی) تنها در بعد ادراک فشار والدین رابطه معناداری با عزت نفس ورزشکاران مشاهده شد. به نظر می رسد که به جز ادراک فشار والدین، بقیه ابعاد کمال گرایی ارتباط متوسطی با عزت نفس دارند. این نتایج نشان می دهند که عزت نفس نمی تواند ارتباط بالایی با کمال گرایی مثبت افراد داشته باشد.

امروزه نانو سیم های فلزی به دلیل خواص ویژه ای که دارند نویدبخش کارایی زیادی در قطعات الکترونیکی اند. توسعه الکترونیک و قدرت یافتن در این زمینه وابسته به پیشرفت مداوم در کوچک کردن اجزاء الکترونیکی است. در این تحقیق به تولید نانو سیم های فلزی کبالت، نیکل و نیکل-کبالت و بررسی خواص مغناطیسی آن ها و مقایسه ی آن ها با یکدیگر و با کبالت و نیکل خالص پرداخته ایم. در ابتدا نانو حفره های متخلل آلومینا را بر روی بستری از آلومینیوم توسط اسید اگزالیک و اسید کرومیک و در ولتاژ و دمای ثابت به روش آندی کردن ایجاد کردیم. تصاویر sem این حفره ها حاکی از آن است که آندی کردن در اسید اگزالیک حفره های منظم تری را ایجاد خواهد کرد. این حفره ها به عنوان قالب جهت سنتز نانو سیم ها مورد استفاده قرار گرفت. پس از آماده سازی قالب ها، به روش الکترو انباشت شیمیایی در ولتاژ ac و فرکانس 50 هرتز نانو سیم های کبالت، نیکل و نیکل – کبالت در قالب ها انباشته گردید و سپس از طریق پراش پرتو x از انباشت آن ها اطمینان حاصل شد. جهت آزاد سازی نانوسیم ها باید قالب ها را از بین برد و به همین دلیل از محلول naoh استفاده کرده و آن ها را آزاد کردیم و توسط دستگاه مغناطومتر خاصیت مغناطیسی آن ها در دمای اتاق مورد بررسی قرار گرفت و سپس نیروی وادارندگی نانو سیم های تولید شده را مورد بررسی قرار دادیم.

با پیشرفت¬های چند دهه اخیر تکنولوژی خلا امکان ایجاد محیط¬هایی با فشار کمتر از ? 10?^(-11) torrفراهم شده است. در چنین شرایطی رشد لایه¬های نانومتری کیفیت نیمرسانا با چگالی ناخالصی زمینه کمتر از ?10?^14 atom?(cm^3 ) میسر شده است و متعاقب آن ساختارهای چند لایه¬ای نا¬متجانس نیمرسانا به کمک روش¬های پیشرفته¬ای مانند رونشانی پرتو مولکولی (mbe) رشد یافته¬اند. ساختارهای algaas/gaas/algaas به دلیل اینکه در نوار رسانش آن در لایه gaas یک چاه کوانتومی وجود دارد از جنبه فیزیک و تکنولوژی ابزارهای نیمرسانا بسیار مهم می¬باشد. چنانچه بخشی از یک لایه سدی algaas با ناخالصی دهنده si آلاییده شود. الکترون¬های حاصل از ناخالصی¬های یونیده به ترازهای کم انرژی درون چاه کوانتومی gaas انتقال یافته و در آنجا یک گاز الکترونی شبه دوبعدی (2deg) تشکیل می¬شود. از آنجا که این گاز در فاصله¬ای از ناخالصی¬های یونیده قرار دارد لذا برهم کنش کولنی ضعیف بوده و گاز الکترونی از تحرک پذیری بالایی برخوردار است. به علاوه با سرد کردن نمونه ( تا دمای هلیوم مایع) و کاهش پراکندگی فونونی، تحرک پذیری گاز الکترونی بمراتب افزایش می¬یابد و به مقدار بیشینه خود می¬رسد. بنابراین، فرآیندهای پراکندگی دیگری از جمله پراکندگی آلیاژی باعث محدودیت تحرک پذیری گاز الکترونی می¬شود. علیرغم اینکه لایه gaas در ساختار algaas/gaas آلاییده است، اما رونشا¬¬نی عمدی اتمهای al هنگام رشد کانال gaas باعث آلیاژی شدن لایه کانال گردیده و پراکندگی آلیاژی را در اینگونه ساختارها نیز قابل ملاحظه است. در این پایان نامه تاثیر پراکندگی کولنی، ناخالصی¬های یونیده دور، ناخالصی¬های باردار زمینه و پراکندگی آلیاژی بر تحرک پذیری گاز الکترونی دو بعدی در ساختارهای دورآلاییده algaas/gaas به طور نظری محاسبه شده¬اند. و با برازش نظری نتایج تجربی ترابرد الکتریکی 2deg بر حسب دانسیته آن در ساختارهای نرمال و معکوس و چاه آلیاژی و با احتساب نفوذ تابع موج به لایه سدی به محاسبه پتانسیل آلیاژی al در چاه کوانتومی algaas می¬پردازیم.

چکیده یکی از ارکان اصلی رشد اقتصادی، افزایش تولید و سرمایه گذاری در بخش های مختلف اقتصادی است. ارتقای سطح تولید نیز مستلزم فراهم شدن زمینه های آن و از جمله مهم ترین زمینه های آن، فراهم آمدن عوامل تولید به نحو مطلوب و صحیح است. مهم ترین عوامل تولید عبارت اند از: نیروی کار و سرمایه؛ یعنی تولید و یا هر فعالیت اقتصادی برای انجام، نیاز به استفاده از نیروی کار و سرمایه به نسبت های متفاوت (با توجه به نوع فعالیت های اقتصادی) دارد. از طرف دیگر، تولیدکننده برای پرداخت هزینه های تولید می تواند از روش های مختلفی تأمین مالی کند. یکی از این روش ها، تأمین مالی از طریق عقد قرارداد شرکت می باشد؛ که مورد تأیید شریعت اسلام بوده و بر اساس مبنای فقهی آن، از درآمیختن سرمایه شرکا شکل می گیرد و همه شرکا حق دخالت و نظارت بر فعالیت های اقتصادی و مدیریتی آن را دارند. اغلب صاحب نظران حوزه ی بانکداری اذعان دارند که نظام بانکی در پیاده سازی عقدهای مشارکتی که در بسیاری از متون علمی به عنوان شاخصه ی نظام بانکی اسلامی از آن یاد می شود، عملکرد قابل قبولی از خود نشان نداده است. پژوهش پیش رو ضمن بیان وضعیت فعلی نظام بانکی کشور در جهت پیاده سازی قانون عملیات بانکی بدون ربا، تحلیل روند اجرایی این عقود را با رویکرد قابلیت سنجی نظام مالی کشور از طریق مصاحبه و رجوع به خبرگان مورد سنجش قرار داده است. به بیان دیگر در این پژوهش با تبیین چالش های موجود در اجرای درست عقدهای مشارکتی و کنکاش در ماهیت بازار پول و بازار سرمایه، نقاط قوت و ضعف ساختاری در اجرایی کردن این دسته از عقدها را استخراج کرده ایم و سرانجام استفاده از ساز و کار بازار سرمایه در قالب واگذاری اجرای عقود مشارکتی به شرکت های تأمین سرمایه را پیشنهاد داده ایم. واژگان کلیدی: عقد مشارکت، بازار پول و بانک ها، بازار سرمایه، نظام مالی ایران، مالی اسلامی، تأمین مالی

با توجه یه خواص ساختاری و مغناطیسی متنوع و کاربردهای ترکیب های mn-ga، در این پایان نامه ویژگی های برخی از این ساختارها از جمله ترکیب های هویسلر این مواد که به روش ذوب قوسی ساخته شده اند به همراه تأثیر افزودن کروم و ژرمانیوم در طول فرایند آسیابکاری بررسی شده است.

چکیده گرافن، یک لایه از گرافیت به ضخامت یک اتم است که اتم های کربن آن یک شبکه ی دو بعدی لانه زنبوری تشکیل داده اند. در این پژوهش، گروه های مختلف گرافن با تعداد اتم های کربن و هیدروژن متفاوت، به صورت-های ساده، لبه هیدروژنه و تمام هیدروژنه با لبه های زیگزاگ در دو چیدمان دایروی و راست گوشه، با نرم افزار محاسباتی گوسین، به روش نظریه تابعی چگالی، با پایه های b3lyp/3-21g، b3lyp/6-31g و b3lyp/6-311g، مورد شبیه سازی و محاسبه و بررسی قرار گرفته است، مشاهده می شود که انرژی تشکیل ساختار با افزودن حلقه های بنزنی به مولکول گرافن، افزایش می یابد. در نتیجه، ساختار پایدارتری بدست می آید و گاف نواری کاهش می یابد. همچنین، پایداری در مولکول های راست گوشه بیشتر از مولکول های دایروی به چشم می-خورد. علاوه بر این، گاف نواری در چیدمان دایروی گسترده تر است. در عین حال، گشتاور دوقطبی برای مولکول تمام هیدروژنه کمتر از گشتاور دوقطبی مولکول لبه هیدروژنه بدست آمد. در ضمن، با گسترش ساختار، انرژی فرمی، افزایش می یابد. در ادامه ی محاسبات، با اعمال نقص بر ساختارهای گرافن، پایداری کم می شود و چگالی حالت ها نیز کاهش می یابد. با حذف تعداد اتم های یکسان از ساختار، تغییر چندانی بر چگالی حالت و تراز فرمی ساختار، ایجاد نمی شود جز این که هر چه جایگاه اتم حذف شده به مرکز ساختار نزدیک تر باشد، ساختار حاصل، پایدارتر خواهد بود.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.