تاثیر عوامل فیزیکی در فرآیند تهیه وریستورهای اکسیدروی
پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - پژوهشگاه مواد و انرژی
1375
نادر مرندیان حق محمدعلی بهره ور
نادر مرندیان حق محمدعلی بهره ور
وریستورهای مبنای اکسیدروی به دلیل دارا یودن ضریب غیرخطی بالا، قابلیت جذب انرژی زیاد، توان اتلافی کم و زمان پاسخ کوتاه، از جمله سرامیکهای نیمه هادی جهت حفاظت سیستمهای قدرت و یا مدارهای الکتریکی از جریانهای سریع و ناپایدارمحسوب می شوند.
