این تحقیق بر پایه مدل رشد لایه نازک پیشنهاد شده توسط قلی پور ‏‎‏‎[13]‎‏ بنا شده است. لایه رشد داده شده به این روش تحت محاسبه تنش و همچنین تحت فرآیند تابکاری قرار می گیرد. روش قلی پور که عبارت است از شبیه سازی رشد لایه نازک انباشته شده به روش تبخیر در خلا برای انباشت لایه به روش کند و پاش مورد استفاده در این تحقیق تعدیل شده است. برای محاسبه تنش در لایه انباشت شده به این ترتیب از روش موئلر ‏‎[14]‎‏ استفاده شده است با این تفاوت که موئلر لایه مورد نظر برای محاسبه تنش را در دمای ثابت لایه گذاری، با آهنگ رشد یکسان اما با انرژیهای متفاوت برای ذرات فرودی (در هر لایه رشد داده شده) رشد داده است و سپس تنش ایجاد شده در آن را محاسبه نموده است، اما در این تحقیق لایه به روش کند و پاش و در دماهای متفاوت لایه گذاری و با آهنگهای متفاوت انباشت رشد داده شده و سپس تنش در آن محاسبه شده است. فصل سوم به ارایه نتایج این تحقیق و مقایسه با نتایج موئلر می پردازد. به منظور شبیه سازی فرآیند تابکاری لایه نازک از روش مونت کارلو سود برده شده است. این روش که برای شبیه سازی فرآیند های گرمایی شامل سیستمهای بس ذره ایی که در نهایت با منبع حرارت به تعادل گرمایی می رسند مناسب است، به طور خلاصه شامل تحریک یک اتم از لایه است که به صورت کاتوره ایی انتخاب می شود و با توجه به تعداد نزدیکترین همسایه های خود پتانسیل آن در جایگاه مزبور محاسبه شده و با پتانسیل جایگاههای مجاور مناسب برای مهاجرت آن اتم مقایسه می شود. اگر پتانسیل جایگاههای مجاور و مناسب برای مهاجرت آن اتم مقایسه می شود. اگر پتانسیل جایگاههای مجاور و مناسب برای مهاجرت کمتر از پتانسیل جایگاه فعلی اتم نتخاب شده باشد اتم به جایگاه مجاور با کمترین انرژی پتانسیل مهاجرت می کند. در غیر این صورت جایگاه مجاور با کمترین انرژی پتانسیل باز هم با یک احتمال معین قابل مهاجرت خواهد بود.