پس از کشف نانوتیوب های کربنی در سال 1991، برای اولین بار در ایران ما موفق به رشد نانوتیوب های کربنی بر روی بسترهای سیلیکان لایه نشانی شده با کبالت در دمای 800 درجه سانتیگراد و به روش نشست بخار شیمیایی ‏‎pecvd‎‏ شدیم. سیستم مورد استفاده ما در این روش یک سیستم ‏‎cvd‎‏ بود که ما یک سیستم پلاسمای ‏‎dc‎‏ طراحی و به آن اضافه نمودیم تا سیستم ‏‎pecvd‎‏ مورد نظر حاصل شود. دراین تحقیق از گازهای اتیلن به عنوان منبع تامین کربن برای رشد نانوتیوب ها و نیتروژن به عنوان رقیق کننده استفاده شده است. در این جا لایه های نازک کبالت و نیکل نقش کاتالیزور را بر عهده دارند و نقش آنها به عنوان اصلی ترین عامل در رشد نانوتیوب ها نشان داده شده است. همچنین نقش دما به عنوان دیگر عامل تعیین کننده بررسی شده است. در نهایت تصاویر ‏‎sem‎‏ گرفته شده از نمونه هایی که با زمانهای متفاوت در معرض فلوی گاز قرار گرفته اند نشان دهنده رشد ناتیوب ها با طولهایی وابسته به زمان آزمایش می باشد. این در حالیست که قطر آنها به قطر جایگاه های نانومتری روی سطح کاتالیزور بستگی دارد که آن هم به نوبه خود به ضخامت لایه کاتالیزور وابسته است.