نیمرسانای ‏‎inas‎‏ از نیمرساناهای ترکیبی گروه ‏‎iii-v‎‏ است، که دارای گاف انرژی کوچکی نسبت به نیمرساناهای دیگر(بجز ‏‎insb‎‏) می باشد. از این ترکیب می توان در ساخت آشکارسازهای مادون قرمز، لیزرهای نیمرسانا و همچنین بعنوان ژنراتور هال برای اندازه گیری شدت مغناطیسی استفاده نمود. پیوند بین اتمهای این ترکیب از نوع یونی و کووالانسی است و از ‏‎sb‎‏ بعنوان ناخالصی دهنده در آن استفاده شده تا ترکیب مورد نظر (نوع ‏‎n‎‏) حاصل شود. پس از برش تک بلور ‏‎inas‎‏ به قطعات کوچکتر و سایش و صیقل زنی آنها، نمونه های با ابعاد معین آماده شدند. برخی از خواص الکتریکی نمونه ها از قبیل رسانندگی ، ضریب هال ، تحرک پذیری حاملهای بار و نوع مکانیسمهای پراکندگی در دماهای مختلف مورد بررسی قرار گرفته است.