دراین رساله ضمن ساخت و مطالعه حالت جامدی لایه نازک نامتجانس نیمه هادی ‏‎n-cds/p-cdte‎‏ شرایط بهینه ساخت و پارامترهای انباشت تعیین شدند. ما پس از مطالعه اپتیکی ، اپتوالکترونیکی و ساختاری لایه های ‏‎cds‎‏ و ‏‎cdte‎‏ به کمک طیف نگاری ، ‏‎xrd‎‏، ‏‎rbs‎‏ و ‏‎sem‎‏ ، ساختار کریستالی لایه ، صفحات رشد و فواصل آنها، پارامترهای نوری ، توپولوژی سطح و ناخالصیهای لایه را به دست آوردیم. از مقایسه این منحنی ها ، ارقام و عکسهای به دست آمده با کار سایر گروههای تحقیقاتی شرایط بهینه ساخت را تعیین نمودیم. پس از اتمام این مراحل ، ساخت لایه نامتجانس را آغاز کردیم. و با لایه نشانی ‏‎cds‎‏ و ‏‎cdte‎‏ در بهترین شرایط ساخت و بازپخت آن، لایه نامتجانس را به دست آوردیم. این لایه تحت مطالعه طیف نگاری قرار گرفت و پس از تعیین مشخصات اپتیکی لایه نامتجانس از قبیل گاف نوری، گاف نواری ضریب جذب، ضریب خاموشی و ضریب شکست ، روی لایه بوسیله طلا اتصال اهمیک ایجاد کردیم. سپس لایه را تحت تابش نور قرار دادیم و منحنی ‏‎i-v‎‏ آن را ترسیم نمودیم.