در این پایان نامه شکست کانال و مسائل مرتبط با آن در ترانزیستور ماس فت ‏‎mosfet‎‏ با روش های تحلیلی ، تجربی مدلسازی وشبیه سازی شده است . کاهش طول کانال باعث می شود که جریان در ین تنها محدود به جریان گذرنده از کانال نشود ، بنابراین ابتدا به مدلسازی جریان درین پرداخته شده است و سپس با ارائه مدل تحلیلی - تجربی شکست ‏‎pbt‎‏ در ماس فت بررسی و اثرات تغییر ولتاژ گیت ، دما ، طول کانال و غلظت پایه برآن شبیه سازی شده اند. به منظور بررسی صحت مدلهای ارائه شده ، از شبیه سازی های انجام شده توسط نرم افزار ماس فت استفاده شده است . در ادامه مساله ‏‎snapback‎‏ با استفاده از مدلی تحلیلی برای ضریب تکثیر مورد مطالعه قرار گرفته است ، و نقش پارامترهایی چون غلظت پایه ، غلظتهای درین و سورس و طول کانال مورد بررسی و شبیه سازی قرار گرفته است و نشان داده شده است که تنها طول کوتاه کانال نمی تواند عامل پدید آمدن ‏‎snapback‎‏ باشد.