مدل نیمه تجربی جامعی برای قابلیت حرکت الکترون ها در لایه وارون ترانزیستورهای mos کانال n شرح داده می شود. این مدل بر پایه های فیزیکی استوار است و شامل اثرات کوانتمی حرکت الکترونها در لایه وارون می باشد. در این مدل همچنین اثرات پراکندگی کولمبی ناشی از ناخالصی بستر برای بسترهای دارای چگالی ناخالصی زیاد را در نظر گرفته ایم. در اینجا علاوه بر تاثیرات پراکندگی سطحی ناشی از بارهای ناحیه فصل مشترک اکسید - نیمه هادی، اثرات پراکندگی کولمبی مراکز بار موجود در سطح بین si/sio2 ناشی از تزریق الکترونهای داغ به درون sio2 که در میدانهای الکتریکی بزرگ اتفاق می افتد، نیز مدل کرده ایم. از مقایسه این مدل با داده های تجربی بدست آمده از mosfeetهای تغییر مقیاس داده شده، برخی از محدودیتهای قابلیت حرکت مدلهای قبلی برای شبیه سازی افزاره های زیر میکرون مشاهده می شود.