در این پایان نامه، نانوساختارهای لایه نازک و نانوذرات اکسید مس با ناخالصی آهن، به ترتیب به روش-های شیمیایی اسپری پایرولیزیز و سل-ژل در دمای ثابت c° 400 تهیه شدند و اثر افزایش ناخالصی آهن با درصدهای مختلف (15/0، 10/0، 05/0) ، روی ویژگیه ای ساختاری، اپتیکی و ضدباکتری اکسید مس بررسی شد. طرح پراش پرتو x به دست آمده از نانوذرات و لایه های نازک، حضور فاز تک میلی اکسید مس را تائید می کند. تصاویر temنشان می دهد که شکل نانوذرات به صورت تقریبا کروی و اندازه آنها درگستره nm 60-10 بوده که با توجه به هیستوگرام به دست آمده و محاسبات رابطه شرر، اندازه متوسط نانوذرات nm 37 به دست آمد. تصاویر semو stm نشان می دهد با افزایش ناخالصی سطح لایه ها، یکنواخت تر شده و اندازه دانه ها به طور قابل ملاحظه ای کاهش می یابد. نتایج eds نیز وجود آهن را در ساختار لایه های نازک مس تائید می کند. طیف ftir تهیه شده از نانوذرات وجود پیوندهای شیمیایی cu-o و cu=o را در محدوده cm-1 4000-400 نشان می دهد. جایگزینی اتم های سبک تر آهن در ساختار مس موجب شده تا قله های جذب در طیف ftir به سمت عدد موج های بزرگتر جابجا شوند. طیفuv-vis تهیه شده از نانوذرات و لایه های نازک و نتایج مربوط به آن ها نشان می دهد که با افزایش ناخالصی آهن در ساختار تک میلی اکسید مس و کوچک شدن اندازه دانه ها، جذب اپتیکی کاهش و گاف انرژی نانوساختارها افزایش می یابد. مطابق با منحنی های رشد رسم شده و نتایج مربوط به آزمایش رفتار ضدباکتری نانوساختارها، نانوذرات و لایه های نازک اکسیدمس، موجب کاهش رشد باکتری شده که این رفتار با افزودن آهن در ساختار مس تقویت شده است که یکی از دلایل این امر، افزایش خاصیت فوتوکاتالیستی و افزایش گاف انرژی نانوساختارها می باشد.

در این پژوهش هدف ما شبیه سازی پالسهای سیستمهای اولتراسونیک می باشد. در این سیستمها از کریستال پیزوالکتریک برای ارسال پالس و دریافت اکوی آن استفاده می شود و چون تبدیل فوریه پالس الکتریکی باید دامنه مشخصی از فرکانس را دارا باشد، در اینصورت دانستن فرکانس تشدید کریستال پیزوالکتریک لزومی ندارد. بنابراین بطریق نظری و شبیه سازی، فرکانس موجود در پالس ها را با استفاده از تبدیل سریع فوریه (fft) تعیین می کنیم. نتیجه این تبدیلات در این پژوهش برای انواع توابع از حمله یک پالس واقعی مربوط به دستگاه اولتراسونیک انجام شده است .