چکیده ندارد.

در این رساله، مدل تحلیلی برای افزاره npt-igbt ، که یکی از انواع پرکاربرد کلیدهای نیمه هادی قدرت می باشند، ارائه می شود. این مدل که از حل معادلات نیمه هادی در ساختار سه بعدی بدست آمده است ، دقیقتر از مدلهای قبلی می باشد و انتظار می رود که نتایج تخمین زده شده توسط آن به نتایج آزمایش نزدیکتر باشد. با استفاده از روابط نهایی بدست آمده، مشخصه جریان - ولتاژ افزاره ترسیم می شود. سپس اثر تغییر پارامترهایی مانند ضخامت لایه n-base(بیس ترانزیستور pnp که در igbt شکل می گیرد)، چگالی ناخالصی بیس ، طول عمر حاملهای اضافی در بیس و دما در مشخصه جریان - ولتاژ بررسی می شود. به این ترتیب با مشاهده نتایج می توان عملکرد مدل را ارزیابی نمود. در فصل دوم پایان نامه مشخصات مهم کلیدهای نیمه هادی و انواع آن بررسی شده سپس در فصل سوم مشخصات igbt و جزئیات آن مورد بحث قرار گرفته است و فصل چهارم به بررسی مدلهای igbt که تاکنون ارائه شده(مدلهای npt-igbt )اختصاص یافته است که در آن مشکلات مدلهای قبلی و عملکرد آنها ارزیابی می شود. در انتها نتایج مدل مداری که با بهره گیری از این مدلهای استاتیکی بدست آمده اند با نتایج آزمایش افزاره مقایسه شده اند. فصل پنجم به محاسبات مربوط به مدل جدید و ارائه نتایج آن اختصاص یافته است و آخرین فصل هم به معرفی زمینه های تحقیقاتی در ادامه کار پایان نامه اختصاص داده شده و در ادامه بعضی از زمینه های جدید تحقیقاتی در رابطه با igbt مطرح شده است .