لایه نیترات سیلیکون ‏‎(sixny)‎‏ در صنایع میکروالکترونیک کاربرد فراوانی پیدان کرده است. به عنوان نمونه مواردی از قبیل: لایه های دی الکتریک عایق، سدهای نفوذی (در مقابل اکسیژن، رطوبت، سدیم و...) استفاده به عنوان ماسک در تهیه مدارات مجتمع و خواص فعال - غیرفعال سازی در قطعات الکترونیکی را می توان نام برد. این خصوصیات به مقدار زیادی به روش ساخت، نسبت استوکیومتری مناسب ‏‎(si3n4)‎‏ وجود ناخالصی هایی مثل اکسیژن و هیدروژن وخواص میکروسکوپی لایه مثل طول و زاویه پیوند و... بستگی دارد. یکی از روش های ساخت این لایه که ارتباط نزدیکی با ساختارهای ‏‎(silicon on insulator) soi‎‏ و ‏‎(metal-insulator-semiconductor). mis‎‏ دارد. استفاده از روش کاشت یونهای نیتروژن می باشد. لایه نیترات سیلیکون مدفون شده توسط کاشت یونهای نیتروژن ‏‎(14n+2)‎‏ با دز بالا (از مرتبه ‏‎10 18 ions . cm2‎‏ ) و با انرژی ‏‎90kev‎‏ در زیر لایه سیلیکون تک بلور تشکیل می شود. دمای زیر لایه در حین کاشت‎400-500 درجه سانتی گراد می باشد. از آنالیز ‏‎rbs‎‏ برای تعیین توزیع عمقی نیتروژن در داخل زیر لایه، آنالیز ‏‎ft-ir‎‏ برای نشان دادن پیوند ‏‎si-n‎‏ در ‏‎si3 n4‎‏ و آنالیز ‏‎xrd‎‏ برای تعیین بلوری یا بی شکل بودن لایه و جهت صفحات رشد بلوری استفاده شده است، خازن ‏‎(metal -nitride - silicon) mns‎‏ پس از برداشتن لایه سیلیکون بلایی و عمل فلزکاری به منظور اندازه گیری قدرت عایقی لایه و رسم منحنی ‏‎(i-v)‎‏ و پیدا کردن ساز و کار فرآیند انتقال بار در عایق مورد مطالعه قرار گرفته است. تعدادی از نمونه ها را در دمای 90 درجه سانتی گراد به مدت 3 ساعت در کوره الکتریکی باز پخت کرده و اثر آن را روی خواص اپتیکی، بلوری و الکتریکی بررسی نموده ایم.