اکسید روی، zno، یک ماده ی نیم رسانای نوع n است که به دلیل ویژگیهای الکتریکی، اپتیکی و پیزوالکتریکی آن امروزه مورد توجه بسیار زیادی قرار گرفته است و در موارد گوناگون مانند لایه های رسانای شفاف، ابزارهای اپتوالکترونیک، دیودهای گسیلنده ی نور و ابزارهای پیزوالکتریک کاربرد دارد.در این پژوهش نانوذرات اکسید روی با روش مکانوشیمیایی و پخت پس از آن تهیه شد. در سرامیکهای بس بلور چون دانه ها جهت گیری کاتوره ای دارند، حتی اگر هر یک از دانه ها پیزوالکتریک باشد، ماده نمی تواند اثر پیزوالکتریک را نشان دهد. اما اگر سرامیک فروالکتریک باشد، بردار قطبش خود به خودی هر دانه می تواند با کاربست یک میدان الکتریکی با میدان همسو شده و ماده ویژگی پیزوالکتریک پیدا کند. اما چون zno یک ماده ی نافرو الکتریک است، فرآیند قطبی کردن برای آن ممکن نیست. به همین دلیل نانوذرات اکسید روی آلاییده با لیتیوم zn1-xlixo با غلظت های 0/15=x و 0/25=x تهیه شدند تا بتوان آنها را قطبی کرد. الگوی xrd ی نمونه ها نشان داد که قله های پراش نمونه های آلاییده به سمت زاویه های بزرگ تر جا به جا شده اند که نشانگر کاهش ثابت شبکه است. همچنین وجود حلقه ی پسماند الکتریکی و وجود قله در نمودار ظرفیت الکتریکی نمونه ها بر حسب دما، نشانگر وجود ویژگی فروالکتریک در نمونه های آلاییده است. دمای کوری برای نمونه های zn1-xlixo برای غلظت های 0/15=x و 0/25=x به ترتیب 303 و 302 کلوین اندازه گیری شد. همچنین نمودار مقاومت الکتریکی نمونه ها بر حسب میدان الکتریکی اندازه گیری شد. سپس نمونه ها در میدان الکتریکی dc به بزرگی mv/m 4 و در دماهای گوناگون بین دمای اتاق تا 340 کلوین در مدت زمان های گوناگون بین 20 تا 120 دقیقه قرار گرفتند. اما هیچ یک از نمونه ها از خود ویژگی پیزوالکتریک نشان ندادند.اگر لایه ی بس بلور اکسید روی به گونه ای رشد کند که محور قطبی همه ی دانه ها در جهت عمود بر صفحه ی بستر قرار گیرند، لایه ی بس بلور مانند لایه ی تک بلور آن پاسخ الکترومکانیکی نشان می دهد. به همین دلیل لایه های نازک اکسید روی با هدف رشد ترجیحی (002) با دو روش تبخیر با پرتو الکترونی و کندوپاش rf تهیه شدند. لایه های نازک اکسید روی تهیه شده به روش کندوپاش ، رشد ترجیحی مورد نظر را پیش از بازپخت داشتند به گونه ای که در الگوی xrd آنها، تنها قله ی پراش مربوط به صفحه های (002) وجود داشت. بازپخت این لایه ها، باعث افزایش بلندی قله ی پراش، افزایش مقاومت ویژه و همچنین کاهش تنش شد. اما برای لایه های نازک تهیه شده در این پژوهش، هیچ تشدیدی در گستره ی بسامدی بین khz 9 تا ghz 3 که گستره ی بسامدی کار دستگاه تحلیل گر طیفی موجود در دانشگاه اصفهان است، آشکار نشد. بالا بودن ظرفیت الکتریکی لایه ها و همچنین پایین بودن فاکتور کیفیت می توانند دلیل هایی باشند که مانع از آشکار شدن بسامدهای تشدید و ضدتشدید لایه ها شدند.

در این پژوهش با ساخت سلول فوتوولتائیک لایه نازک دو لایه ای ناهمگون آلی بر پایه ی cupc/c60، نشان داده شد که مواد مورد استفاده در سلول با ساختار ito/pedot:pss/cupc/c60/ebl/ag شرایط اپتیکی لازم به منظور ایجاد طیف های جذب و عبور مناسب جهت جذب بهینه در لایه فعال را برآورده می کنند. نقش لایه سدکننده اکسایتون (ebl) مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفت و دیده شد با استفاده از این لایه مشخصه های اصلی سلول شامل: چگالی جریان مدار کوتاه jsc، ولتاژ مدار باز vocو بازدهی تبدیل توان pη این سلول به میزان قابل توجهی افزایش می یابند. سپس با لایه نشانی یک لایه پلیمر رسانای آلی (pedot:pss ) روی آند ito، با تابع کار بالاتر نسبت به ito، اثر افزایش تابع کار آند بر بهبود عملکرد سلول مورد تائید قرار گرفت. تاثیر دمای زیر لایه در حین لایه نشانی الکترود فلزی کاتد بر مشخصه های مذکور سلول فوق بررسی و نشان داده شد با افزایش دمای زیر لایه تا مقدار نهایی این مشخصه ها به طور پیوسته افزایش می یابند. در مورد آهنگ لایه نشانی کاتد و اثرهای مثبت ومنفی آن روی عملکرد سلول بحث شد و برای کاتد نقره بهینه آهنگ لایه نشانی برابر با به دست آمد. همچنین پایداری سلول های فوتوولتائیک دو لایه ای آلی مورد بررسی قرار گرفت و تغییر مشخصه های مهم سلول با ساختار ito/pedot:pss/cupc/c60/bcp/ag با گذشت زمان اندازه گیری شدند. سپس عوامل ممکن برای افزایش اولیه ولتاژ مدار باز وکاهش آهسته ی آن در ادامه و برای کاهش پیوسته ی چگالی جریان مدار کوتاه و بازدهی تبدیل توان، بیان شدند. معلوم شد که خود الکترود نقره می تواند تا حد قابل توجهی در محافظت سلول در مقابل تخریب و کاهش آهنگ نزول مشخصه های مذکور سلول موثر باشد. در پایان نشان داده شد که با جایگزینی bphen با bcp به عنوان یک لایه سدکننده اکسایتون، پایداری سلول می تواند تا حد بسیار زیادی بهبود یابد.

در جهان امروز منسوجات بی بافت بخش مهمی از تولیدات نساجی با کاربرد های گسترده را تشکیل داده است.از طرف دیگر آلودگی صوتی و تلاش برای مهاربیشتر آن اذهان محققان را به خود مشغول کرده است.شواهد و آمار بیانگر تمایل به استفاده روز افزون از منسوجات بی بافت به عنوان عایق های آکوستیکی می باشد .لذا آشنایی و استفاده از این محصولات در کشور ما ضروری به نظر می رسد. در این تحقیق ابتدا کاربرد های منسوجات بی بافت وانواع آنها و روشهای تولید آن ها بیان شده است.سپس موارد لازم جهت معرفی صوت و چگونگی جلوگیری از عبور صدا و انواع روشهای اندازه گیری ضریب جذب صدا توضیح داده شده است . الیاف پلی پروپیلن مورد نیاز با ظرافت های مختلف با استفاده از یک خط تولید الیاف به روش ذوب ریسی تولید گردیده و تعداد 164 نمونه منسوج بی بافت تحت شرایط متنوع سوزن زنی با استفاده از یک خط کاردینگ و کراس لپر افقی با استفاده از ماشین آلات سوزن متنوع تولید گردیدند . آزمایشات لازم برای تعیین خصوصیات فیزیکی چون جرم و ضخامت انجام شد.جهت تعیین خصوصیات آکوستیکی نمونه ها یک دستگاه آزمایشگاهی طراحی و ساخته گردید . تاثیر پارامترهای مربوط به الیاف و خصوصیات سطحی نمونه ها بر ضریب جذب آکوستیکی آنها با استفاده از این دستگاه مورد بررسی قرار گرفت. نتایج نشان می دهند که ضریب جذب صدا با افزایش عواملی همچون ظرافت الیاف مصرفی و وزن نمونه ها و تراکم پانچ مصرفی افزایش می یابد. تاثیر اثر سطحی ایجاد شده بر روی نمونه ها نشان می دهد که در شرایط یکسان از نقطه نظر میزان تراکم پانچ مورد استفاده ضریب جذب صدا برای اثر سطحی cord-3-velour-2-plain-1 به ترتیب کمترین و بیشترین مقدار را نشان می دهد. نتایج نشان می دهد که نمونه های مورد آزمایش در فرکانس های 4000و500 هرتز بالاترین ضریب جذب صدا و فرکانس های 1000و 2000 هرتز پایین ترین ضریب جذب صدا رادارا می با شند.

سیم پیچ های القایی از ساده ترین و قدیمی¬ترین نوع حسگرها برای اندازه گیری دقیق میدان های مغناطیسی متناوب می باشند که البته برای محدوده بسیار گسترده ای از بسامد های زیرهرتز تا مگاهرتز طراحی، تولید و استفاده می شوند. با توجه به حساسیت بالا، این حسگرها در سال های گذشته کاربردهای فراوانی در صنایع مختلف به ویژه صنایع دقیق نظامی یافته اند. هم چنین به دلیل مصرف پایین انرژی، در ماهواره ها و فضاپیماها برای ردیابی تغییرات محیطی بسیار کوچک میدان مغناطیسی زمین و سیارات، مورد استفاده قرار گرفته اند. بنابراین لازم است طراحی این نوع حسگرها به گونه¬ای انجام شود که علاوه بر بالا بودن حساسیت حسگر به میزان مطلوب، شدت نوفه دریافتی کم و نسبت نشانک به نوفه آن زیاد باشد، در عین حال وزن آن تا حد امکان کم و ابعاد آن کوچک باشد. محاسبات نشان دادند که می¬توان هندسه¬ی حسگر را به گونه¬ای طراحی نمود که شدت نوفه گرمایی که سهم عمده¬ای در دامنه نوفه نهایی دارد، کمینه شود. هم¬چنین راه¬کاری برای افزایش نسبت نشانک به نوفه نیز معرفی شده است. علاوه بر این، بررسی نتایج به دست آمده نشان داد که وجود یک هسته¬ی فرومغناطیس در یک میدان مغناطیسی یکنواخت، بزرگی میدان را به شدت تقویت می¬کند اما یکنواختی آن را از بین می¬برد به طوری که شدت میدان در مرکز هسته مقدار بیشینه خود را دارد اما با نزدیک شدن به لبه¬ها بزرگی میدان افت می¬کند. با اضافه کردن دو دیسک فرومغناطیس (که متمرکزکننده مغناطیسی نامیده می¬شود) به دو طرف هسته، دیده شد که این متمرکز کننده¬ها، علاوه بر این که یکنواختی میدان مغناطیسی را تصحیح می¬کند، مقدار میدان بیشینه را نیز تا 150 درصد افزایش می¬دهد. سپس جنس¬های مختلف متمرکز کننده¬ها نیز مورد بررسی قرار گرفت. این راهکار باعث افزایش چگالی شار عبوری از هسته حسگر و در نتیجه افزایش حساسیت حسگر شد. برای آشکارسازی خروجی حسگر که همان ولتاژ القا شده در حسگر است از تقویت کننده عملیاتی نوفه پایین ad620 استفاده شد و مدارهای الکترونیکی مناسب جهت استفاده از این تقویت کننده طراحی و ساخته شد.

چکیده ندارد.

معادله بیته - سالپیتر و نظریه ماتریس s را در محاسبه نیروهای متضمن در محاسبه دامنه پخش و خواص حالت مقید دستگاههای معین بکار برده میشوند. معادله بیته سالپیتر را برای بحث بدین دلیل انتخاب نموده ایم که این معادله دارای بعضی مزایای واقعی بر روش ماتریس s نسبیتی دارد.