در این پروژه سه ساختار مختلف سلول sram ارائه شده است که هر سه ساختار مبتنی بر عملکرد مدار اشمیت تریگر و جداسازی مسیر خواندن از نوشتن می باشد و به منظور افزایش حاشیه نویز استاتیکی خواندن در تکنولوژی های نانومتری پیشنهاد شده است. این افزایش حاشیه نویز استاتیکی خواندن ساختارهای پیشنهادی حتی از مقدار hold snm سلول ها بیشتر می باشد. حاشیه نویز استاتیکی خواندن در طرح های پیشنهادی در حدود 5-4 برابر در مقایسه با سلول sram شش ترانزیستوری بهبود یافته است. تمام شبیه سازی ها توسط نرم افزار hspice، با vdd برابر با v35/0 و با تکنولوژی nm65 انجام شده است.