نام پژوهشگر: - اسماعیل زاده

شبیه سازی ادوات نیمرسانای سیلیکان در حالت تبهگنی
پایان نامه وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه علم و صنعت ایران 1381
  حسین سعیدی   - اسماعیل زاده

دراین پروژه معادلات سه گانه نیمه رسانا یعنی معادله پواسون، معادله پیوستگی جریان الکترونها و حفره ها) به صورت جفت شده با روش تفاوت متناهی و به کمک آمار فرمی دیراک با درنظرگرفتن تبهگنی حل شده است. این روش امکان حل معادلات را برای مقادیر بالای بایاس فراهم می سازد. از میان مدلهای مختلفی که برای پارامترهای فیزیکی ارائه شده ، مدلی که با تجربه توافق بیشتری دارد برای این شبیه سازی انتخاب شده است.این شبیه سازی با درنظر گرفتن تبهگنی و نازک شدن بند گپ و فرآیند تولید و بازترکیب ‏‎srh‎‏ ، بازترکیب اوژه و تولید به روش ‏‎impact ionization‎‏ انجام شده که نتایج آن در دمای 300 درجه کلوین با حالت شبیه سازی نیمه رسانای غیرتبهگن مقایسه شده است. بررسی اثر تبهگنی در یونیزاسیون اتمهای ناخالصی نشان می دهد که اتمهای ناخالصی تزریقی، بطور کامل یونیزه نمی شوند. در نتیجه تبهگنی شاهد افزایش چگالی حاملهای اقلیت و کاهش حاملهای اکثریت نسبت به وضعیت مشابه در حالت غیرهمگن هستیم.