ترابرد بار و بی نظمی در نیم رساناهای آلی نقش مهمی در کارایی و بازده قطعات الکترونیکی دارند. در این رساله ما از سه منظر ترابرد بار در نیم رساناهای آلی را مورد مطالعه و بررسی قرار داده ایم. اول: ما تاثیر دما را برروی ترابرد بار و تولید بار و دینامیک بازترکیب در سلول های خورشیدی با توده ناهمگون که براساس p3ht و pcbm می باشند را مورد مطالعه قرار داده ایم. با حل معادلات سوق و پخش و همچنین معادله پواسون از طریق المان های محدود، تاثیر دما را روی مشخصه های سلول های خورشیدی مذکور را بررسی کرده ایم. نشان داده شده است که در شدت تابش ثابت نور تابیده شده به سطح سلول، جریان مدار کوتاه (jsc) در بازه دمایی 230 تا 330 درجه کلوین ثابت می ماند، و به همین علت در شبیه سازیjsc (و درنتیجه تولید حاملین بار g) را ثابت فرض می نماییم که با محاسبات صورت گرفته مقدار آن برابر با 2 ma/cm21 = 2 jscمی باشد. دوم: ما تاثیر آلایش را بر روی ترابرد بار و پارامترهای مشخصه های سلول های خورشیدی با توده ناهمگون که براساس p3ht و pcbm را مورد بررسی قرار داده ایم. ما تراکم آلایش را توسط مدل سوق و پخش را مورد تحلیل قرار داده و وابستگی های جریان و ولتاژ را در آلایش های مختلف مطالعه کرده ایم. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که در سلول های خورشیدی آلی با ساختار توده ای همواره آلایش مواد نیمرسانای پلیمری باعث افزایش مشخصات اساسی سلول می شود به طوریکه بازده سلول با افزایش میزان آلایش تا 6 افزایش می یابد که این نتایج در توافق خوبی با نتایج گزارش شده می باشد. سوم: در این قسمت، ما روش زمان پرواز یک بسته بار را مورد استفاده قرار داده ایم، که توسط یک پالس ولتاژ سرعت سوق وتحرک پذیری حفره ها را در نیم رساناهای آلی محاسبه کرده ایم. این تکنیک شامل اعمال یک ولتاژ به آند و محاسبه تاخیر زمانی تزریق حاملین بار به الکترود دیگر می باشد. این روش روش ساده ای برای بررسی خواص ترابرد بار در نیم رساناهای آلی می باشد. تاثیر میدان الکتریکی بر روی تحرک پذیری در دو ولتاژ 100 ولت و 50 ولت برای آرایش زمان پرواز بررسی شد و مشاهده گردید که تحرک پذیری حفره در 100 ولت نسبت به سایر ولتاژها را دارد.

جفت شدگی فوتون ها و مگنون ها میتوانند بصورت رفتار جفت شدگی فوتون ها وفونونها توجیه شوند. معادلات موج جفت شده بطور مستقیم از هامیلتونین چگالی مشتق، می شوند که این بروش چگالی امکان پذیر است . همچنین احتمال برانگیخته شدن مدهای موج اسپینی توسط امواج الکترومغناطیسی در فرومغناطیس ها، فری مغناطیس ها و پادفر و مغناطیس ها وجود دارد و ترکیب جفت شدگی مغناطیسی بوسیله برانگیزش مگنون تحلیل می شود. جذب امواج الکترومغناطیسی توسط امواج اسپینی فقط در نقطه تشدید صورت می پذیرد. وقتی که طول موج، موج الکترومغناطیسی تابشی در مقایسه با بعد ذره باشد، پراکندگی امواج الکترومغناطیسی از امواج اسپینی از نوع پراکندگی رامان می باشد.