دو رویکرد متداول برای شبیه سازی ادوات نیمه هادی، روش های مبتنی بر معادلات موازنه و مونت کارلو هستند. در روش مونت کارلو، تابع توزیع بولتزمن محاسبه می شود و سپس از روی آن کمیت های فیزیکی بدست می آیند. اما در روش های مبتنی بر معادلات موازنه، تابع توزیع محاسبه نمی شود، بلکه مستقیماً کمیت های فیزیکی مورد نیاز بدست می آیند. از آنجائیکه روش مونت کارلو به شدت نویز پذیر است و به زمان پردازش زیادی نیاز دارد کمتر مورد استفاده قرار می گیرد. زمان شبیه سازی معادلات موازنه بسیار کمتر است. از بین روش های مبتنی بر معادلات موازنه یعنی نفوذ-رانش ، موازنه ی انرژی و هیدرودینامیک ، روش نفوذ-رانش به دلیل سادگی، دقت مناسب و همگرایی بالا بیشتر از سایر روش ها مورد توجه است. از طرفی با کاهش اندازه ی ادوات نیمه هادی، روش های معمول ذکر شده قادر به پیش بینی عملکرد ادوات نمی باشند، زیرا اثرات کوانتومی که از طبیعت موجی الکترون نشأت می گیرند بر روی مشخصه های قطعه اثر می گذارند. برای در نظر گرفتن این اثرات روش های مختلفی پیشنهاد شده است. یکی از این روش ها که در این پایان نامه نیز از آن استفاده شده است روش نفوذ-رانش کوانتومی می باشد. این روش که بر پایه نفوذ-رانش کلاسیک می باشد با اضافه نمودن یک جمله ی تصحیح کوانتومی به معادلات کلاسیک، این اثرات را در نظر می گیرد. به این ترتیب معادلات به همان سادگی حالت بدون اصلاح قابل حل می باشند. برای حل عددی معادلات بدست آمده، معادله ی جریان معمولا به روش نمایی گسسته می شود. در این پایان نامه روش نمایی به شکلی تازه برای معادلات نفوذ-رانش کوانتومی توسعه داده می شود و کارآیی آن در شبیه سازی سد پتانسیل ارزیابی می شود. روش حل عددی جدید سرعت و دقت بالاتری نسبت به روش نمایی دارد. روش نفوذ-رانش کوانتومی برای شبیه سازی دیود n+-n-n+ از جنس gaas استفاده شده است. برای در نظر گرفتن سد پتانسیل نیز یک لایه ی نازک algaas در وسط قطعه فرض شده است. شبیه سازی روی یک سد پتانسیل و دو سد پتانسیل انجام شده و نتایج بدست آمده با حالت بدون اصلاح کوانتومی مقایسه و بررسی شده است. نشان خواهیم داد که این روش قادر است تونل زدن کوانتومی از سد پتانسیل و دافعه ی کوانتومی را نشان دهد.

در این رساله یک ماسفت سیلیکون برعایق جدید به منظور کاهش اثرات کانال کوتاه ارائه شده است. ترانزیستور استفاده شده دارای دو گیت مجزا دارای طول های متفاوت می باشد. در این ساختار پیشنهادی بایاس گیت دوم که نزدیک درین قرار دارد به ولتاژ درین وابسته می باشد؛ به عبارتی به وسیله ولتاژ درین کنترل می شود. هدف این است که با انتخاب ولتاژ مناسب برای گیت دوم، از تاثیر ولتاژ درین بر پتانسیل کانال جلوگیری شود. در این ساختار به منظور دست یابی به نتایج بهتر از تکنیک مهندسی طول گیت استفاده شده است. به منظور بررسی خصوصیات ترانزیستور، یک مدل تحلیلی دو بعدی برای تغییرات پتانسیل سطحی در طول کانال توسعه داده شده است. با رسم پتانسیل سطحی بر حسب موقعیت در کانال و رسم میدان الکتریکی بر حسب موقعیت در کانال و محاسبه ولتاژ آستانه، اثرات کانال کوتاه مانند اثر حامل داغ، کاهش سد در اثر درین(dibl) بررسی می شود. مقایسه بین ساختار ما و ساختار ماسفت سیلیکون بر عایق تک گیتی نشان می دهد که، اثرات کانال کوتاه مثل، اثر حامل داغ، کاهش سد در اثر ولتاژ درین(dibl) و.... به طور قابل ملاحظه ای در ساختار پیشنهادی ما کاهش پیدا می کند.

جریان تونل زنی اکسید گیت در ماسفت ها یکی از مهمترین عوامل در تحلیل و اندازه گیری پارامترهای این قطعات است. در رساله حاضر، ابتدا اثر جریان گیت در ترانزیستورهای ساخته شده در فناوری روز نیمه هادی بررسی شد و لزوم محاسبه آن ذکر شد. سپس با استفاده از مدلی جدید به محاسبه ی عرض چاه پتانسیل ایجاد شده در ناحیه ی وارونگی و همچنین تابع موج الکترون ها در واسط بین اکسید و نیمه هادی پرداخته شد. در نهایت به کمک نتایج حاصل از این محاسبات چگالی جریان تونل زنی گیت شبیه سازی شد. عملکرد لایه ی وارونگی به شکل یک چاه پتانسیل متقارن ساده سازی شده است. تابع موج به دست آمده از مدل پیشنهادی در واسط، مقداری غیر صفر است که از سازگاری بیشتری با نتایج تجربی جدید ارایه شده در مقالات معتبر برخوردار است. نتایج شبیه سازی های مدل پیشنهادی با مدل های معتبر دیگر مقایسه شد و انطباق بالای آن را نشان داد.

ترانزیستورهای دوقطبی (bjt ها) هم اکنون در بسیاری از کاربردهای دیجیتال و ریزموجها به عنوان انتخاب اول محسوب می شوند و نقش بسیار مهمی در مداراهای آنالوگ ایفا می کنند. در فناوری bicmos ترانزیستورهای دوقطبی در کنار ترانزیستورهای mosfet ساخته می شوند. قابلیت جریان بالا و بهره زیاد، برتری این ترانزیستورها نسبت به ترانزیستورهای اثر میدان است. بهره جریان امیتر مشترک (?) ترانزیستورهای دوقطبی یکی از مهمترین پارامترهای طراحی آن ها به حساب می آید، که با بالا بردن آن علاوه بر داشتن کارایی بهتر، می توان سرعت افزاره را نیز بالا برد. بهره جریان ترانزیستورهای دوقطبی را می توان با استفاده از ساختارهای hbt با بیس sige، امیتر با ناخالصی غیر یکنواخت، یا امیتر پلی سیلیکن افزایش داد. تمام این روش ها اگر چه کاربرد زیادی دارند اما مراحل ساخت آن ها پیچیده است. اخیراً ساختار ترانزیستور دوقطبی جدیدی بر مبنای مفهوم لایه تجمع سطحی گزارش شده که در آن با استفاده از ناحیه امیتر با چگالی ناخالصی کم و اتصال فلز با تابع کار مناسب، می توان به بهره جریان بالاتر نسبت به ترانزیستورهای دوقطبی متداول دست یافت، در این ترانزیستورها به دلیل اختلاف در تابع کار فلز اتصال امیتر و نیمه هادی، اتصال به صورت اهمی-شاتکی بوده و تجمع حامل ها در سطح، چگالی آن ها را افزایش داده و سبب افزایش قابل توجه بهره ترانزیستور می شود. در کار حاضر برای اولین بار ساختار جدید ترانزیستور دوقطبی فلز شاتکی-امیتر، p بیس و n کلکتور (mpn bjt)، به منظور افزایش کارایی و کاهش پیچیدگی های ساخت ترانزیستورهای دوقطبی معرفی شده است. به عبارت دیگر این ساختار متشکل از تنها یک پیوند p-n است و با استفاده از اتصال فلز با تابع کار مناسب به نیمه هادی نوع p، ناحیه n+ امیتر به وسیله وارونگی سطحی و تجمع حاملها با چگالی بالا در مرز اتصال ایجاد می شود. سپس برای اثبات صحت کار ساختار پیشنهادی، با استفاده از شبیه ساز عددی دو بعدی این ساختار را شبیه سازی کرده و نتایج حاصل از آن را مورد بررسی قرار می دهیم. همچنین ساختار mpn lbjt که سازگاری بالایی با فناوری cmos در مدارات مجتمع (vlsi) دارد، نیز بررسی و شبیه سازی شده و نتایج در خور توجهی بدست آمده است. شبیه ساز عددی بطور واضح نشان می دهد که ساختارهای ارائه شده خصوصیات یک ترانزیستور دوقطبی با بهره جریان و فرکانس قطع بالا را خواهد داشت. ساختارهای حاضر از نظر کاهش تعداد ماسکهای مورد نیاز برای ساخت و سادگی مراحل ساخت و با توجه به بهره جریان و فرکانس قطع بسیار مناسب خود، می توانند جایگزین های بسیار خوبی برای ترانزیستورهای دوقطبی متداول باشند.

امروزه رقابت تنگاتنگی برای ساخت adc های کم مصرف تر و سریعتر در جریان است که در این بین adc های sar بیش از دیگر انواع مورد توجه قرار گرفته اند که در این رساله نیز چنین ساختاری به منظور برخورداری از توان کم برگزیده شده است. برای افزایش سرعت مدار از معماری two-step نیز استفاده کردیم تا در عین حال که انرژی مصرفی کم است سرعت مدار نیز افزایش یابد، چراکه این خانواده از adc ها از خانواده های پر سرعت بشمار می رود. بنابراین معماری به کار رفته در این رساله two-step-sar نامیده می شود که البته . البته برخلاف تعریفی که در (david johns, 1997) آمده است در مدار ما ابتدا عمل تقسیم و سپس عمل جمع انجام می شود. در این رساله با به کار بردن یک مدار dac سریع و کم مصرف توانستیم سرعت نمونه برداری را تا ks/s 19.6 بالا بریم و در عین حال توان مصرفی را تا nw78.4 پایین بیاوریم. در این adc از تکنیک طراحی زیرآستانه نیز استفاده کرده ایم. در واقع انتظار ما از این adc تبدیل خروجی آنالوگ یک حسگر دما به یک عدد دیجیتال است این بدان معناست که ورودی این مبدل یک سیگنال با تغییرات شدید نیست بلکه یک مقدار dc است. برای این مبدل یک مدار مولد پالس (pgc) نیز طراحی شد که سیگنالهای کنترلی adc را تامین می کند، این بخش نیز به کمک پایین آوردن ولتاژ تغذیه تا v 0.5، در ناحیه زیرآستانه طراحی شده و بسیار کم مصرف است و توانی معادل nw84.5 مصرف می کند. به این ترتیب کل مبدل adc و مدار مولد پالس، تنها توانی معادل nw162.5 مصرف می کنند.

سیلیکن کاربید (sic) یک ماده نیمه هادی باند بزرگ با خواص ماده بسیار خوب برای الکترونیک فرکانس بالا، توان بالا و دمای بالا است. در این رساله ترانزیستور اثر میدان فلز- نیمه هادی sic با ساختارهای مختلف مورد مطالعه قرار گرفته است و مشخصه های dc و فرکانس بالای افزاره ها مانند، جریان اشباع درین، ولتاژ شکست، حداکثر توان خروجی، فرکانس قطع (ft) و حداکثر فرکانس نوسان (fmax) با هم مقایسه شده است. در این کار سه ساختار جدید با استفاده از ساختارهای گیت فرورفته و تورفتگی کانال و استفاده از کانال دو لایه به جای تک کانال پیشنهاد شده است. در ساختار کانال دو لایه با استفاده از دو لایه کانال با آلایش متفاوت به جای یک کانال بهبود خوبی در مشخصه های dc افزاره مشاهده گردید، همچنین استفاده از چند تورفتگی در کانال بهبود قابل ملاحظه ای در مشخصه های dc و rf افزاره sic mesfet نشان می دهد. استفاده از ترکیب دو ساختار بالا نیز بهبود بسیار بالایی در ولتاژ شکست به ما می دهد.

مطالعه ی سولواتوکرومیک روی ویژگی های فوتوفیزیکی دو رنگینه ی کاتیونی اگزازین، بریلیانت کریزل بلو و نیل بلو، در دمای اتاق انجام شده بود. طیف های الکترونی جذبی و نشری رنگینه ها در حلال های آلی مختلف با قطبیت متفاوت ثب شده بودند. ممان های دوقطبی حالت پایه و برانگیخته رنگینه ها از انتقال سولواتوکرومیک طیف های جذبی و نشری برآورد شده بودند. انتقالات طیفی در طیف های جذبی و نشری با پارامترهای قطبیت و قطبش پذیری تجزیه و تحلیل شده بودند. طیف جذبی رنگینه ها در محلول های آبی و افزودنی آبی (01/0-1 مولار) به عنوان تابعی از غلظت رنگینه مطالعه شده بودند. مواد افزودنی 4 نمک سدیم ( استات سدیم، کربنات سدیم، کلرید سدیم و بوراکس) و اوره بودند. به دلیل تشابه ساختاری رنگینه های مورد تحقیق، ویژگی های طیفی شان مقایسه شده بودند. رفتار دیمرشدن رنگینه ها در آب با یا بدون افزودنی بر حسب جملاتی از تعادل مونومر- دیمر تجزیه و تحلیل شده بودند. ماهیت و ساختار جفت های برهمکنش کننده از این رنگینه ها با استفاده ار تئوری اکسایتون بحث شده بودند. مقدار ثابت دیمری شدن رنگینه ها در محلول آبی و افزودنی آبی محاسبه شده بودند.

در این رساله یک ساختار دوقطبی جانبی دوامیتری متقارن (sdelbjt) براساس فناوری soi طراحی شده است. این ترانزیستور دارای یک پایه دیگر به نام گیت است که با استفاده از آن می توانیم بهره جریان های متفاوت داشته باشیم، به این صورت که با اعمال ولتاژ به گیت عرض بیس آن تغییر می کند و باعث می شود برخورد حامل ها در بیس کمتر شده و راحتتر از امیتر به بیس بروند و در نتیجه بهره جریان تغییر می کند. شبیه سازی هایی که در این رساله با نرم افزار silvaco انجام شده است نشان می دهد که بهره جریان تا حدود 10 برابر می شود. بهره این ترانزیستور بدون ولتاژ گیت حدوداً 200 است و با تغییرات ولتاژ گیت تا حدود 2000 هم می رسد، که می تواند کاربردهای متفاوتی داشته باشد. در این رساله توزیع ناخالصی ها طوری طراحی شده است که بهترین بهره جریان، ولتاژ شکست و فرکانس قطع ومقاومت خروجی را داشته باشیم و یک توازن بین آنها را برقرار کنیم که در آن ولتاژ شکست v7 و فرکانس قطع ghz 5 و مقاومت خروجی k?? 15 می باشد. این قطعه هیبرید چهار پایه ای می تواند برای مدارهای خاصی مثل میکسرها و تقویت کننده ها با بهره متفاوت (vga) به کار رود و بازده خوبی داشته باشد.

با کوچک کردن تکنولوژی بمنظور افزایش تراکم ترانزیستورها در یک تراشه و افزایش کارایی این قطعه آثار ناخواسته ای به نام آثار کانال کوتاه (مانند کاهش سد ناشی از درین، roll off ولتاژ آستانه و... ) ظاهر می شوند که کارایی افزاره را کاهش می دهند. برای کاهش این آثار کانال کوتاه ساختارهای مختلفی از جمله ماسفت soi utb ، ساختارهای عمودی، ترانزیستور مهندسی باند و ساختارهای دوگیتی و غیره توسط محققان پیشنهاد شده اند، هر یک از این ساختارها معایب و مزایایی دارند که بطور مختصر بیان شده اند. بهترین ساختاری که آثار کانال کوتاه را بخوبی کاهش می دهد و به عنوان ساختار امیدوارکننده برای تکنولوژی آینده پیشنهاد شده است، ساختار finfet است که می توان بصورت دو، سه و تمام گیت طراحی کرد. بدلیل افزایش گیت ها در این ساختار کنترل گیت بر روی کانال افزایش یافته و آثار کانال کوتاه که مهمترین آنها dibl است کاهش می یابند. دراین کار ساختار finfet تمام گیت دو فلزی با طول گیت nm30 طراحی شده و با استفاده از شبیه ساز عددی silvaco-atlas شبیه سازی و نتایج آن بررسی شده است. به منظور ارائه برجستگی این ساختار در کاهش آثار کانال کوتاه، این ساختار با گیت تک فلزی و سه فلزی نیز شبیه سازی شده و نتایج حاصل از آنها مقایسه شده اند. نتایج نشان می دهند که این ساختار با گیت دو فلزی نتایج بهتری (dibl کمتر، شیب زیر آستانه بهتر، ولتاژ شکست بالا و... ) نسبت به دو نمونه دیگر دارد. همچنین اثر تابع کار فلز بر روی ساختار با گیت سه فلزی بررسی شده است که با انتخاب فلز با تابع کار مناسب می توان نتایج بهینه ای بدست آورد. اما بدلیل پیچیدگی بیشتر و هزینه ساخت بالای گیت سه فلزی و با توجه به اینکه با انتخاب فلز با تابع کار مناسب برای گیت دو فلزی می توان حتی نتایج بهتری نسبت به سه فلزی بدست آورد، ساختار finfet تمام گیت دو فلزی را می توان با طول گیت کوچکتر برای تکنولوژی آینده در نظر گرفت.

چکیده تحقیق هدف از تحقیق حاضر بهینه سازی حجم تمرین مقاومتی جهت افزایش قدرت بیشینه با کمک شبکه های عصبی مصنوعی بود. به همین منظور، 12 ترکیب متنوع از ستها وتکرارها در نظر گرفته شد. از بین کلیه دانشجویان پسر دانشگاه تربیت معلم سبزوار (سن2/1 ± 22 سال، قد7 ± 173 سانتی متر، وزن 7/10 ± 66 کیلوگرم ) که واحد تربیت بدنی را انتخاب کرده بودند، تعداد 94 نفر به صورت نمونه در دسترس انتخاب شده و به روش تصادفی به هشت گروه تمرینی( rm 3 × 3، rm 4 × 3، rm 6 × 3، rm 4 × 4، rm6 × 4، rm 3 × 5، rm 5 × 5 و rm 6 × 5) تقسیم شدند. 4 گروه باقیمانده(rm 5 × 3، rm 3 × 4، rm 5 × 4 و rm 4 × 5)، از دامنه ست ها وتکرارهای فرض شده، حذف گردیدند تا به کمک شبکه عصبی مصنوعی پاسخ این گروه ها پیش بینی شود. آزمودنی ها در هر گروه 8 هفته و هر هفته 2 جلسه، حرکات پرس سینه، پرس پا با دستگاه، حرکت زیر بغل قایقی و پشت پا خوابیده با دستگاه را انجام دادند. پیش از شروع و پس از پایان دوره تمرینی، قدرت بیشینه (1rm) در حرکات پرس سینه و پرس پا، وزن بدون چربی و درصد چربی آزمودنیها اندازه گیری شد. در این پژوهش مدل شبکه های عصبی مصنوعی با 8 متغیر ورودی و یک متغیر خروجی طراحی شد. در پایان نتایج گروه های تجربی و همچنین نتایج گروه های پیش بینی شده که به صورت درصد بیان شده بود، با یکدیگر مقایسه شد ونتایج زیر به دست آمد: گروه rm 6 × 5، بیشترین قدرت بیشینه را در پرس پا، وزن بدون چربی و کاهش درصد چربی کسب نمود و گروه rm 4 × 4، بیشترین قدرت بیشینه را در پرس سینه به دست آورد. با توجه به این نتایج، برای افرادی که مایلند، در دامنه مذکور از ستها وتکرارها، بیشترین قدرت را در عضلات پایین تنه، وزن بدون چربی و کاهش درصد چربی بدن کسب نمایند، پروتکل با حجم بالا نسبت به سایر پروتکلها برتری دارد، در حالی که افزایش قدرت بیشینه در عضلات بالاتنه با استفاده از پروتکلهایی با حجم کمتر نیز کسب خواهد شد.

افزاره های ساخته شده با سیلیکن کاربید پتانسیل گسترده ای را برای چگالی توان بالا و کاربردهای کلیدزنی دمای بالا نشان می دهند. در میان چندگونه های سیلیکن کاربیدی، گونه 4h-sic با توجه به موبیلیتی ذاتی بالایی که دارد به عنوان امیدبخش ترین نوع برای پیشرفت افزاره های قدرت مطرح می باشد. در میان تمام ساختارهای افزاره های قدرت، ترانزیستورهای اثر میدانی اکسید فلزی (ماسفت) ساخته شده با 4h-sic بواسطه داشتن مقاومت گیت بسیار بالا، کنترل ساده گیت و سرعت کلیدزنی بالا بیشترین توجه را به خود جلب کرده اند. با این حال اثرات کانال کوتاه به عنوان چالش قابل توجهی برای جلوگیری از پیشرفت ترانزیستورهای قدرت اثر میدانی اکسید فلزی سیلیکن کاربیدی باقی مانده اند. بهبود عملکرد و کاهش اثرات کانال کوتاه به عنوان دو مسئله اساسی در توسعه ترانزیستورهای ماسفت سیلیکن کاربیدی می باشد. زیرا کارایی زیاد و داشتن رفتاری شبیه به ترانزیستورهای با طول بلند نیازی اساسی برای ماسفت های با طول کوتاه سیلیکن کاربیدی است. این پایان نامه بر روی روش مشهوری برای دستیابی به این اهداف تمرکز دارد. یک ماسفت سیلیکن کاربیدی جدید با گیت دوماده ای برای اولین بار معرفی شده است. مشخصه منحصر بفرد این ماسفت سیلیکن کاربیدی گیت آن است که از ترکیب افقی دو فلز با تابع کار متفاوت تشکیل شده است. این ساختار جدید گیت مزایایی را بواسطه اختلاف در تابع کار مواد بصورتی بوجود می آورد که حامل ها در کانال سریعتر شتاب می گیرند و پتانسیل کانال نزدیک به سورس پس از اشباع از ولتاژ درین مصون می ماند. بنابراین جریان رانش و رسانایی متقابل در ماسفت سیلیکن کاربیدی با گیت دوماده ای در مقایسه با ماسفت سیلیکن کاربیدی معمولی افزایش می یابد. علاوه بر این مشاهده شد که اثرات کانال کوتاه مانند مدولاسیون طول کانال، کاهش سد با ولتاژ درین و اثر الکترون داغ بصورت قابل توجهی کاهش یافتند.

محدودیت های عملکرد ذاتی ترانزیستورهایsi در دماها و توان های بالا انگیزه اصلی گرایش به سمت نیمه هادی هایی با شکاف انرژی بالا نظیر sic و gan بوده است. در بسیاری از کاربردها از قبیل کاربردهای نظامی و رادار لازم است مدارهایی با قابلیت های پهن باند مورد استفاده قرار گیرند. طراحی تقویت کننده های توان با کارایی بالا مهم ترین مساله ای ایست که در طراحی فرستنده ها باید مورد توجه قرار گیرد. در سال های اخیر نیمه هادی sic به دلیل ویژگی های قابل توجهش برای کاربرد های توان بالا و فرکانس بالا توجه زیادی را به خود جلب کرده است. ویژگی های منحصر به فرد sic از قبیل میدان الکتریکی بحرانی بالا، سرعت اشباع بالای الکترون و هدایت گرمایی بالا عواملی هستند که به این ماده این قابلیت را می دهند که در زمینه ابزارهای توان به صورت چشمگیری مورد استفاده قرار گیرد. یک مسفت h-sic4 باید دارای دو قابلیت مهم باشد: نخست این که بتواند جریان درین بزرگی را تحمل کند و دوم اینکه ولتاژ شکست بالایی داشته باشد. برای برخورداری از جریان درین بالا باید ضخامت و چگالی ناخالصی کانال را افزایش داد. اما افزایش چگالی ناخالصی باعث کاهش ولتاژ شکست و افزایش ضخامت منجر به کاهش نسبت طول گیت به ضخامت کانال (lg/a) می شود. کاهش نسبت lg/a باعث پیدایش اثرات کانال کوتاه و پدیده dibl می شود که عملکرد افزاره را کاهش می دهد. تا کنون روش های مختلفی برای بهبود عملکرد مسفت ارائه شده است. ایجاد فرورفتگی در کانال و گیت به منظور افزایش ولتاژ شکست دو روش موثر برای بهبود عملکرد مسفت می باشند. در این پایان نامه برای نخستین بار از یک ترانزیستور مسفت sic گیت فرورفته با فرورفتگی در ناحیه رانش استفاده شده است که در گیت آن به جای یک فلز از دو فلز با توابع کار مختلف استفاده شده است. بر خلاف روش متداول گیت دو ماده ای که در آن تابع کار بیشتر به بخشی از گیت که به سورس نزدیک تر است اختصاص داده می شود، در اینجا تابع کار بیشتر را به بخشی از گیت که به درین نزدیکتر است اختصاص دادیم و با توجه به نتیجه شبیه سازی ها شاهد بهبودهایی در ویژگی های ac و dc از قبیل جریان بیشینه، ترارسانایی، ولتاژ شکست، توان خروجی و فرکانس قطع ترانزیستور بوده ایم.

منطقه قفقاز جنوبی که متشکل از کشورهای گرجستان، آذربایجان و ارمنستان می باشد، به دلیل بر خورداری از منابع انرژی و همچنین موقعیت خاص، به عنوان چهارراه ارتباطی شرق و غرب و شمال و جنوب، اهمیت ویژه ای در محاسبات استراتژیک قدرت های بزرگ دارد. پس از فروپاشی شوروی و وضعیت خلا قدرتی که در این منطقه به وجود آمد، این بخش از جغرافیای جهان جولانگاه قدرتهای منطقه ای و فرامنطقه ای شد. چنانکه مهمترین رقابت بین آمریکا و روسیه به وجود آمد. کشور اولی به عنوان هژمون جهان و دومی به عنوان میراث دار شوروی سابق هرکدام خود را دارای منافعی می دانند که تضاد این منافع موجب به وجود آمدن بحران هایی در منطقه شده است. در این پژوهش تلاش شده تا تاثیر رقابت آمریکا و روسیه بر امنیت منطقه قفقاز جنوبی مورد ارزیابی قرار گیرد. محدوده زمانی و مکانی که این نوشتار به آن می پردازد بعد از یازده سپتامبر در قفقاز جنوبی می باشد و با نگاهی ژئوپلیتیکی سعی در پرداختن به موضوع مورد مطالعه در این پژوهش شده است. ژئوپلیتیک به عنوان مقوله ای بستر ساز موجب شده تا این منطقه محل رقابت قدرتهای مختلف و در راس آن ها آمریکا و روسیه باشد. چنانچه مشخص می شود این رقابت موجب شده تا بحران هایی در منطقه به وجود آید و همچنین در پاره ای موارد حل و فصل بحران ها را به تعویق انداخته است و در نهایت موجبات ناامنی را در قفقاز جنوبی فراهم آورده است.

مدل سازی جریان تونل زنی گیت ماسفت توسط شبکه عصبی

در این پایان نامه عملکرد ترانزیستور لایه نازک در دو حالت یک گیتی و دو گیتی، بررسی گردیده است. از آنجا که وابستگی ولتاژ آستانه به ولتاژ درین برای کاربردهای دیجیتال مهم است، تغییرات آنرا بررسی نموده ایم. در ابتدا تغییرات ولتاژ آستانه با ولتاژ درین بررسی شده است که با افزایش ولتاژ درین مقدار ولتاژ آستانه کاهش می یابد. سپس تغییرات ولتاژ آستانه با کاهش طول کانال مورد مطالعه قرار گرفته و مشاهده شد که با کاهش طول کانال میزان ولتاژ آستانه نیز کاهش پیدا می کند. در ادامه تأثیر تغییر مکان گیت بر منحنی مشخصه ترانزیستور لایه نازک بررسی شده است و دیده شد که در شرایط خاصی مقاومت خروجی یک ترانزیستور لایه نازک می تواند مقداری منفی باشد که مقدار آن با ولتاژ گیت، تغییر طول و چگالی کانال تغییر می کند. پس از آن، شبیه سازی ترانزیستور با اتصال گیت در دو سمت انجام شده است که ملاحظه شد میزان کنترل گیت بر جریان درین افزایش یافته و در نتیجه در مقایسه با حالت یک گیتی تغییرات ولتاژ آستانه با ولتاژ درین و تغییرات ولتاژ آستانه با کاهش اندازه کانال، بسیار کمتر می گردد.