نوسان ساز از بخش های مهم مدار های rf بوده که در فرستنده-گیرنده، هم در مسیر ارسال و هم دریافت سیگنال کاربرد زیادی دارد. اگر بتوان فرکانس خروجی نوسان ساز را با ولتاژ تغییر داد به آن نوسان ساز، کنترل شونده با ولتاژ (vco) می گویند. از جمله پارامتر های مهم هر نوسان سازی نویز فاز و توان تلفاتی است. نویز فاز در یک نوسان ساز می تواند روی دقت مدولاسیون تأثیر منفی گذاشته و باعث رشد طیفی و در نتیجه تجاوز طیف توان خروجی از ماسک طیفی تعیین شده توسط استاندارد مورد استفاده در سیستم فرستنده-گیرنده گردد. از طرف دیگر، توان مصرفی در مدارها باید حداقل باشد تا موجب افزایش عمر باتری شود. نوسان سازها نیز مانند سایر مدارهای آنالوگ دارای تضاد بین توان تلفاتی و نویز هستند و بنابراین باید مصالحه ای بین میزان مصرف توان و نویز فاز ایجاد شود. در این پایان نامه یک نوسان ساز کنترل شونده با ولتاژ با ساختار کوپلاژ تقاطعی با هدف دستیابی به نویز فاز پایین و مصرف توان کم با منبع تغذیه ی 5/1 ولت، برای کاربرد های باند ism ارائه شده است. در طراحی نوسان ساز، روش افزایش هدایت منفی تانک lc استفاده شده که باعث بهبود در نویز فاز شده است. همچنین استفاده از تکنیک مقاومت کاذب، توان مصرفی در مدار را کاهش داده است. برای جلوگیری از اثر بارگذاری مدارهای خروجی روی نوسان ساز، مدار بافر مورد استفاده قرار گرفته است. نتایج شبیه سازی در تکنولوژی tsmc cmos 0.18?m ، نشان می دهد که نوسان ساز در فرکانس مرکزی 55/2 گیگا هرتز و در آفست 100 کیلو هرتز، دارای نویز فاز 6/103- و در آفست 1مگاهرتز، دارای نویز فاز 5/125- است. محدوده ی فرکانسی قابل تنظیم از 28/2 تا 59/2 گیگا هرتز بوده که با ولتاژ متغیر از 0 تا 5/1 ولت بدست آمده است. توان مصرفی در هسته ی نوسان ساز نیز برابر 9/1 میلی وات است که از منبع 5/1 ولتی تامین می گردد.

تقویت کننده توان فرکانس رادیویی به عنوان یکی از مهم ترین بلوک های سازنده فرستنده-گیرنده فرکانس رادیویی شناخته می شود و در این سیستم به عنوان بزرگترین مصرف کننده توان به حساب می آید. بنابراین تحقیقات نسبتاً جامعی به منظور دست یابی به یک تقویت کننده توان با راندمان بالا صورت پذیرفته تا طول عمر باتری را بهبود بخشد. بدین منظور تقویت کننده توان کلاس e انتخابی مناسب است. این پایان نامه به جزئیات روند طراحی یک تقویت کننده توان کلاس e با کنترل توان خروجی، مناسب برای کاربرد های باند ism می پردازد. طراحی تقویت کننده مطلوب به منظور مجتمع سازی با سایر بلوک های اساسی یک فرستنده-گیرنده فرکانس رادیویی توسط تکنولوژی cmos انجام شده است. ساختار کاسکود برای غلبه بر مشکل ولتاژ شکست پایین ترانزیستور های زیرمیکرونی cmos استفاده شد و با به کارگیری تقویت کننده کلاس e به عنوان طبقه راه انداز قابلیت مجتمع سازی مدار افزایش یافت. در نهایت یک تقویت کننده توان کلاس e تک انتهایی و دو طبقه با ساختاری مناسب برای کنترل توان خروجی در فرآیند cmos 0.18?m طراحی شد. نهایتاً به علت وجود وفور ملاحظات در طول طراحی کمیت ها، برای دستیابی به طرح مطلوب، مدار طراحی شده با ads در فرآیند tsmc cmos 0.18?m بهینه و شبیه سازی شد. شبیه سازی نشان داد که این تقویت کننده توان قادر است 21.1dbm توان را به بار استاندارد 50 اهم در ولتاژ تغذیه 1.8 ولت با راندمان توان اضافه شده 57.5 % تحویل دهد.

در این پایان نامه یک تقسیم کننده فرکانسی قفل شونده با تزریق با مصرف توان پایین و قابلیت کار در ولتاژ تغذیه کم ارائه شده است که در فرایند cmos با تکنولوژی ?m 0.18 tsmc و با استفاده از نرم افزار ads شبیه سازی شده است. تقسیم کننده فرکانسی شامل دو بخش اصلی نوسان ساز کنترل شونده با ولتاژ و منبع تزریق سیگنال خارجی است. اندازه-گیری ها نشان می دهد که مدار در ولتاژ تغذیه v 1.3 توان mw 3.9 را مصرف می کند و نویز فاز آن در فرکانس آفست mhz 1 برابر با dbc/hz 123.3- می باشد. محدوده قفل تقسیم کننده ghz 5.48 از ghz 12.66 تا ghz 18.14 است. تقسیم کننده فرکانسی طراحی شده از یک نوسان ساز زوج متقاطع با تانک lc که دارای دو سلف مارپیچی مربعی است تشکیل شده است. منبع ولتاژ سینوسی از طریق گیت ترانزیستورهای منبع جریان به نوسان ساز تزریق شده است. برای کاهش نویز فاز از فیلتر نویز lc در گره مشترک بین ترانزیستورهای زوج متقاطع و منبع جریان ورودی استفاده شده است. مدار طراحی شده به دلیل مصرف توان کم، ولتاژ تغذیه پایین و محدوده قفل گسترده برای کاربرد در سنتز کننده های فرکانسی فرکانس های بالا مناسب می باشد.

تثبیت کننده های ولتاژ با افت کم (ldo) یکی از بلوک های اصلی واحد مدیریت توان به شمار می روند. یک واحد مدیریت توان پیشرفته برای کاربردهای درون-تراشه ای به تعدادی تثبیت کننده ولتاژ به منظور راه اندازی المان ها و بلوک های عملیاتی نیاز دارد. تثبیت کننده های ولتاژ اغلب برای ایجاد یک ولتاژ ثابت و کم نویز به منظور تغذیه مدارهای آنالوگ به کار می روند. این ولتاژ باید در مقابل تغییرات جریان بار و ولتاژ خط پایدار باشد. در مقایسه با تثبیت کننده های خطی متداول، ldoها به سبب بازده بالایشان انتخاب مناسبی هستند. اکثر ساختارهای متداول ldo برای پایداری و کاهش ریپل ولتاژ خروجی از یک خازن بیرونی بزرگ در حدود چند میکرو فاراد استفاده می کنند. خازن های بیرونی تعداد پین های اتصال ic را افزایش می دهند و مانع از پیاده سازی مدار به صورت تمام مجتمع می شوند. بنابراین به منظور مجتمع سازی کامل مدار حذف خازن بیرونی ضروری است. اما این کار سبب افزایش میزان انحراف ولتاژ خروجی (?vout) در پاسخ گذرا، هنگام تغییرات آنی جریان بار می شود. پاسخ گذرای ldo تا حد زیادی متأثر از نرخ چرخش گره گیت ترانزیستور عبوری (srg) است. در صورتی که srg خیلی کندتر از حاصل ضرب بهره-پهنای باند مدار باشد، ضربه های گذرا در ولتاژ خروجی به هنگام تغییرات سریع بار ظاهر می شود. اکثر مدارهای ldo از یک تقویت کننده عملیاتی مد ولتاژ به عنوان تقویت کننده خطا برای کنترل ترانزیستور عبوری استفاده می کنند. در حالی که تقویت کننده های مد ولتاژ اغلب از حاصل ضرب بهره-پهنای باند ثابت و نرخ چرخش محدود رنج می برند. ایده اصلی این پایان نامه به کارگیری تقویت کننده مد جریان به منظور ارتقاء نرخ چرخش گره گیت ترانزیستور عبوری است. به همین منظور در این پایان نامه دو تثبیت کننده ولتاژ پیشنهاد شده است. در ابتدا یک ldo تمام مجتمع cmos معرفی می شود که در آن به منظور ارتقاء عملکرد دینامیکی از یک تقویت کننده جریان جاسازی شده در تقویت کننده خطا برای ایجاد یک مسیر سریع بین گره خروجی و گره گیت ترانزیستور عبوری استفاده شده است. این مسیر با تولید جریان کافی سبب سرعت بخشیدن به کنترل ترانزیستور عبوری می شود. مدار ldo پیشنهادی به کمک hspice در تکنولوژی mµ 35/0 cmos برای ایجاد ولتاژ خروجی v8/1 به ازای ولتاژهای ورودی v2 تا v 5/3 طراحی و شبیه سازی شده است. این ldo قابلیت جریان دهی به محدوده وسیعی از بار بین 0 تا ma100 را به ازای جریان خاموشی µa 22 دارد. در ادامه یک ldo بدون نیاز به خازن بیرونی cmos بر مبنای تقویت کننده ترارسانایی مد جریان (cta) به عنوان تقویت کننده خطا معرفی می شود. به کارگیری تکنیک فیدبک مد مشترک محلی (lcmfb) در cta پیشنهادی سبب افزایش نرخ چرخش گره گیت ترانزیستور عبوری شده است. در نتیجه این ldo پاسخ گذرای مناسبی حتی به ازای جریان خاموشی کم دارد. مدار ldo پیشنهادی به کمک hspice در تکنولوژی mµ 18/0 cmos برای جریان دهی به بارهای 0 تا ma 100 طراحی و شبیه سازی شده در حالی که جریان خاموشی آن فقط µa 7/3 است. بهینه سازی توان مصرفی در کنار ?vout متعادل، سبب دست یابی به عدد شایستگی (fom) با مقدار بسیار مناسب fs 25/9 شده است.

در کار حاضر رویکردی جدید بر مسأله استخراج ویژگی از پاسخ های یک حسگر گاز مقاومتی تحت مدولاسیون دمایی ارائه می شود. پاسخ های یک حسگر گاز که توسط شکل موج پلکانی ولتاژ گرمکن تحریک می شود با استفاده از شبکه های فازی عصبی مدل می شود. شکل موج پلکانی شامل پنج پله هر یک با مدت دوام s 20 است که سبب افزایش دمای سطح حساس حسگر تا oc330 می شود. دوازده گاز شامل هشت بخار الکل، سه بخار کتون و هیدروژن، هر یک در 11 تراکم مختلف به عنوان گازهای هدف استفاده شد. به ازای هر پلکان ولتاژ یک سیستم تعریف می شود که در آن دمای متغیر سطح حساس حسگر به عنوان ورودی مدل و پاسخ گذرای حسگر به عنوان خروجی آن در نظر گرفته شد. برای مدل سازی سیستم یک شبکه فازی عصبی خطی محلی با الگوریتم آموزش یادگیری درخت مدل خطی محلی (lolimot) استفاده شد. از وزن های شبکه های آموزش داده شده به عنوان ویژگی های پاسخ حسگر در مقابل گازهای هدف مختلف استفاده شد. نگاشت بردارهای ویژگی هر مجموعه گازی به فضای دسته بندی با روش کاهش ویژگی تمایز خطی فیشر حاکی از جدایش موفقیت آمیز هر دوازده گاز هدف بود. در مرحله بعد عملکرد این شبکه فازی عصبی با دو شبکه عصبی معروف mlp و rbf مورد مقایسه قرار گرفت. اطلاعات تمایزی موجود در بردارهای ویژگی این سه شبکه در سه بعد با استفاده از معیار نسبت جدایش فیشر مقایسه شده و میزان موفقیت در دسته بندی داده ها با استفاده از دسته بندی کننده فاصله بدست آمد. نتایج بدست آمده حاکی از شناسایی 100% تمامی گازهای هدف توسط شبکه فازی عصبی خطی محلی است در حالیکه این میزان برای شبکه rbf، 75/93% بوده و بردارهای ویژگی استخراج شده از شبکه mlp نیز فاقد اطلاعات تمایزی است. لازم به ذکر است که این تعداد گاز شناسایی شده بالاترین تعداد گاز شناسایی شده توسط یک تک حسگر تا کنون می باشد.

در این پایان نامه دو تنظیم کننده ولتاژ ldo معرفی شده است، طوری که به دو روش آنالوگ و دیجیتال به کنترل اندازه ترانزیستور عبوری پرداخته شده است. در هر مورد مدار ldo پیشنهادی با استفاده از نرم افزار hspice در تکنولوژی mµcmos 0/35 برای ایجاد ولتاژ خروجی 2/8v به ازای ولتاژ ورودی 3v شبیه سازی شده است. مدارهای ldo پیشنهادی قابلیت جریان دهی به محدوده وسیعی از بار (0 تاma 100) را دارا هستند و به ازای جریان های بار کم، جریان خاموشی بسیار کوچکی دارند. در پایان نیز مقایسه هایی بین دو مدار ldo معرفی شده با یکدیگر و همچنین با سایر انواع ldoهایی که تاکنون معرفی شده اند صورت گرفته و برای هر دو مدار عدد شایستگی تقریباً مشابهی (21?) به دست آمده است.

حسگر های خازنی تنوع و کاربرد بسیار گسترده ای دارند. مدار واسطه هایی که برای اندازه گیری آن ها استفاده می شوند، نقش اصلی را در بازدهی آن ها از نظر حد تفکیک، خطینگی و ... دارند. یکی از کاربرد های مهم این حسگر ها در اندازه گیری جابجایی با درجه تفکیک بسیار بالا در حدود کمتر از نانومتر است. اندازه گیری جابجایی با دقت بالا نقش مهمی در صنعت ساخت مدار مجتمع دارد مثلا در ماشین نور دهی ویفر. در چنین کاربردی معمولا لازم است، تغییرات بسیار کوچک ظرفیت خازن را در حضور یک مقدار بسیار بزرگتر ظرفیت اندازه گیری کنیم. بر این اساس، در این پروژه مداری را پیشنهاد می دهیم که تغییرات یک خازن را به صورت بزرگنمایی شده و در بازه محدود تر ظرفیت خازن، در خروجی نشان می دهد. این مدار بر اساس مدار تقویت کننده بار و ساختار کلیدزنی - خازنی طراحی شده است. استفاده از تکنیک بزرگنمایی در مدار تقویت کننده بار تفکیک پذیری مورد نیاز طبقه بعد را کمتر میکند. همچنین در اینجا نشان می دهیم خود این مدار (cvc) نسبت به مدار حالت بدون بزرگنمایی قابلیت دستیابی به حد تفکیک بهتری دارد. در پایان به کمک قطعات گسسته (غیر مجتمع)، صحت این ادعا را بررسی می کنیم. در اینجا از یک تراشه مدار واسط اندازه گیری خازن با حد تفکیک بسیار بالا که از قبل در [9] طراحی شده و در دسترس داریم استفاده می کنیم. با اضافه کردن مدار مناسب در کنار این تراشه، تکنیک بزرگنمایی را پیاده سازی می کنیم و نشان می دهیم در حدود یک بیت حد تفکیک مدار بهبود می یابد و به بیش از حدود 20 بیت می رسد.

در این پایان نامه ما با ارائه روشهای پیشنهادی، نخست ضریب کیفیت مدار را افزایش دادیم، سپس با ارائه شروطی، روشهای کاهش نویز ولتاژ را پیشنهاد کردیم، در نهایت، مصرف توان را تا حد امکان کاهش دادیم. برای تحقق این اهداف، سه مدار بر پایه ساختار (fai) flipped active inductor پیشنهاد شد. این ساختار با وجود داشتن محدوده سلفی بالا و استفاده از تنها دو ترانزیستور در ساختار اصلی خود، مصرف توانی حدود mw 9 دارد و ضریب کیفیت آن نیز بسیار پایین می باشد. در ساختار پیشنهادی اول، ترانزیستور فیدبک بصورت تاشده با ترانزیستور مسیر مستقیم قرار داده شد که با وجود بهبود خطینگی نسبت به حالت fai، ضریب کیفیت آن تغییر زیادی نکرد. در ساختار پیشنهادی دوم، با اضافه کردن یک ترانزیستور بصورت انتقال دهنده سطح در مسیر فیدبک، که خطینگی را افزایش داد، مقاومت سری کاهش یافته که در نتیجه مصرف توان، ضریب کیفیت و مقدار اندوکتانس به ترتیب mw1، 218 و nh 6/9 بدست آمد. در ساختار پیشنهادی سوم، یک ترانزیستور کمکی بصورت کاسکود در مسیر فیدبک قرار داده شد که سبب افزایش بهره فیدبک و کاهش مقاومت سری گردید. در این حالت مصرف توان و ضریب کیفیت، به ترتیب mw2 و 4406 و مقدار اندوکتانس نیز nh 5/7 بدست آمد. در پایان، مدار سلف اکتیو پیشنهادی سوم به دلیل دارا بودن ضریب کیفیت بالا و نیز خطینگی بهتر نسبت به حالت های قبل، جهت بررسی عملکرد شبکه تطبیق، در خروجی یک تقویت کننده توان کلاس e اعمال شد. نتایج نشان می دهد که تقویت کننده با شبکه تطبیق، در سطوح پایینتر توان ورودی، دارای بازده توان %70 و توان خروجی dbm 15 با بهره توان db22 خواهد بود.

حسگرهای خازنی برای اندازه گیری کمیت های فیزیکی مختلف مانند جابجایی، رطوبت، سطح مایع و غیره استفاده می شود. در این کاربردها خازن می تواند شناور یا زمین شده باشد. خازن شناور را می توان با مدار واسطی که ذاتا مصون از خازن پارازیتی است اندازه گیری کرد. اما خازن زمین شده از اثر مخرب خازن های پارازیتی کابل ارتباطی رنج می برد. کارهای زیادی برای حذف یا کاهش این اثر انجام شده است. پژوهش های موجود را می توان به دو دسته تقسیم کرد: حفاظ فعال با فیدبک و حفاظ فعال با فیدفوروارد. در این پایان نامه، هدف ما اندازه گیری سطح مایع هادی موجود در مخزن فلزی زمین شده است. ما از حفاظ فعال با فیدفوروارد برای اندازه گیری حسگر خازنی زمین شده استفاده کردیم. یک مدار واسط مجتمع مبتنی بر حفاظ فعال با فناوری cmos استاندارد طراحی شده اما در بازار موجود نیست. ما مدار واسط خود را با قطعات مجزا پیاده سازی کرده ایم. بسیاری از روش های جدید مانند چاپینگ، کالیبراسیون خودکار سه سیگنالی، حفاظ فعال و غیره مورد استفاده قرار گرفته است. این روش ها برای حذف عوامل غیرایده آل مدار مانند آفست تقویت کننده عملیاتی، دریفت، پارازیت های کابل و غیره به کار رفته اند. منابع مختلف خطا برای بهینه سازی پارامترهای مدار تحلیل شده اند. نتیجه اندازه گیری نشان می دهد که خازنی در محدوده 27 تا 330 پیکوفاراد را برای طول کابل 30 متری می توان با کمتر از 2.13 پیکوفاراد خطا اندازه گرفت. انحراف معیار به دست آمده 0.63 پیکوفاراد برای اندازه گیری در 333 میلی ثانیه است که از لحاظ تعداد بیت معادل 9.3 بیت می گردد. در مقایسه با کار قبلی این نتایج بهبود 12 برابری در دقت اندازه گیری را برای طول کابل معین نشان می دهد، هر چند تفکیک پذیری 5 بیت کاهش یافته است.

سیستم بویایی الکترونیکی ماشینی است که با استفاده از آرایه ای از حسگرهای گاز مابین بوهای مرکب تمایز نهاده و آن¬ها را آشکار می¬سازد. طی دو دهه ی گذشته، ابزارهای بینی الکترونیکی در بازار بین المللی با تمایل بیشتری تولید شده اند. این مسأله به خاطر پتانسیل آن ها در حل طیف وسیعی از مسائل صنعتی از جمله تولید عطریات و مواد بهداشتی، صنایع غذایی و آشامیدنی، مهندسی شیمی، پایش محیطی و اخیراً تشخیص بیماری ها و فرآیندهای زیستی می باشد. در آغاز قرن بیستم بیماری¬های عفونی عامل اصلی مرگ و میر در جوامع مختلف بود، بتدریج به برکت واکسیناسیون و کشف آنتی¬بیوتیک-ها، بیماری¬های عفونی حداقل در کشورهای پیشرفته جایگاه پیشین خود را از دست داد، اما میکروب¬های مقاوم به آنتی-بیوتیک چالش جدیدی در شناخت و درمان بیماری¬های عفونی پدید آورد. باکتری استافیلوکوک اورئوس، شایع¬ترین پاتوژن مقاوم به درمان قابل جداسازی در نمونه¬های تـهیـه شده از انـسان می¬باشد و عامل مهمی در عفونت¬های پوست و بافت نرم، عفونت¬های داخل عروقی، آرتریت عفونی به شمار می¬رود. تکنیک¬های تشخیصی مرسوم، نظیر کشت باکتری¬ها جهت شناسایی و جداسازی گونه¬های مقاوم و حساس به آنتی¬بیوتیک این باکتری مورد استفاده قرار می¬گیرد که حدود 24 ساعت از زمان طلایی درمان بیمار بویژه در بخش¬های تحت مراقبت ویژه را به خود اختصاص می دهد. این زمان می¬تواند منجر به صدمات جبران ناپذیر و حتی مرگ بیمار گردد. نتایج بدست آمده از این کار نشان می¬دهد به کمک سامانه حسگری تحت مدولاسیون دمایی، می¬توان زمان تشخیص را به 5 ساعت کاهش داد, علاوه بر این در روند انجام آزمایش¬ها، اطلاعات قابل توجهی از نحوه¬ی رشد نمونه¬های مورد آزمایش بدست آمد که به شناخت بیشتر این بـاکتـری کمک می¬کند.

مخابرات رادیویی فراپهن باند (uwb) یک تکنولوژی برای انتقال و دریافت اطلاعات کد شده و ضربه¬های الکترومغناطیسی است که از مزایای آن می¬توان به انتقال سیگنال دیجیتال با نرخ بالای داده همراه با مصرف توان بسیار کم، پیچیدگی کم¬ و امنیت بالا اشاره کرد. به دلیل پیشرفت سریع مخابرات بی¬سیم، پیاده¬سازی سیستم¬های درون-تراشه¬ای (soc)، نیازمند عملکرد خوب، تکنولوژی مجتمع¬سازی بالا و هزینه کم می¬باشد. در این میان، تقویت¬کننده کم¬نویز (lna)، یک بلوک اساسی در گیرنده¬های rf به¬شمار می¬رود و نقش مهمی را در زنجیره گیرنده بی¬سیم ایفا می¬کند. در اینجا ساختار جدیدی از تقویت¬کننده کم¬نویز بر پایه سلف فعال به منظور بهینه¬سازی عملکرد نویز و سطح مصرفی (lna) فراپهن باند گیت-مشترک با gm افزایش یافته معرفی شده است. برای افزایش ترارسانایی lna، یک طبقه سورس-مشترک در مسیر فیدبک استفاده شده است. همچنین سلف غیرفعال درون تراشه¬ای بزرگ موردنیاز در طراحی lna، توسط یک سلف فعال جایگزین شده است که این موضوع مساحت کل تراشه lna پیشنهادی را به¬میزان قابل ملاحظه¬ای کاهش می¬دهد. ساختار پیشنهادی این تقویت¬کننده در تکنولوژی mµ 18/0 استاندارد cmos طراحی و شبیه¬سازی شده است. نتایج نشان می¬دهند که lna پیشنهادی به مقادیر بهره توان مستقیم و مسطح (s21)،db 95/0±25/12، ایزولاسیون معکوس (s12)، کمتر از db 56-، تلفات بازگشتی ورودی (s11)، کمتر از db 18/8- و عدد نویز db 5-67/4 در کل محدوده فرکانسی ghz6/10-1/3 دست یافته است، همچنین مقدار توان تلف شده به ازاء ولتاژ تغذیه v 8/1، mw 7/13 می¬باشد.

در این پایان نامـه یک شـارژر بر پـایه مبدل سوئیـچینگ buck و با استفاده از یک واحد کنترل دیجیتال برای باتری های li-ion جهت کاهش نوسان بین مراحل شارژ و افزایش سرعت پروسه ی شارژ طراحی و نتایج عملی آن ارائه شده است. ساختار این شارژر با استفاده از مبدل buck، ترانزیستور گذر و واحد کنترل از توانایی جریان دهی بالا و قابل کنترلی برخوردار است. در شارژر پیشنهادی بر خلاف ساختارهای قبلی که در آنها جریان به صورت آنی از مرحله جریان ثابت (cc) به مرحله ی ولتاژ ثابت (cv) کاهش می یافت، با افزودن مرحله ای تحت عنوان مرحله ی انتقالی کاهش جریان "cc-cv" جریان شارژ باتری به دو صورت پلکانی و تدریجی توسط یک سیستم فازی از مرحله cc به cv کاهش می یابد. این امر ضمن کاهش اثرات افت ولتاژ ناشی از مقاومت های خارجی بر سر راه باتری، نوسان انتقال پروسه ی شارژ از مرحله ی cc به cv را کاهش داده و منجر به کاهش زمان شارژ می گردد.

به منظور به دست آوردن سرعت داده بالاتر و سرویس های چند رسانه ایی مانند تصویر، ویدئو و صدا، سیستم های مخابراتی بی سیم پیشرفته از روش های مدولاسیون پیچیده همانند edge، wcdma و ofdm بهره می برند که دارای سیگنال های با فاز و پوش متغییر می باشند.در نتیجه، نیازمند تقویت کننده خطی هستند.از طرفی بازده این تقویت کننده پایین می باشد.در نتیجه، تمایل زیادی در بهبود سرعت و کارایی بالاتر مبدل های dc/dc برای افزایش بازده تقویت کننده های توان rf با بهره گیری از شیوه هایی همانند ردیابی پوش (et) و حذف و بازسازی پوش (eer)، مشاهده شده است. با این وجود، پهنای باند و سرعت چرخش سیگنال های مخابراتی پیشرفته بالاتر از حداکثر پهنای باند و سرعت تغییرات خروجی مبدل های dc/dc سوئیچینگ می باشد. راه حل این مشکل،استفاده از ترکیب دو تقویت کننده خطی و سوئیچینگ می باشد.

تثبیت کننده های خطی ldo عموماً از بازده نسبتاً پایینی برخوردار می باشند. از طرفی، مبدل های مد سوئیچینگ دارای بازده به نسبت بالایی می باشند؛ اما زمان نشست طولانی تری نسبت به تثبیت کننده های خطی ldo دارند. ترکیب مناسب این دو ساختار می تواند منجر به بهبود بازده نسبت به تثبیت کننده خطی ldo و بهبود زمان نشست نسبت به مبدل های مد سوئیچینگ شود. به این منظور، ترکیب موازی یک تثبیت کننده خطی ldo کلاس ab و مبدل باک استاندارد با عنوان مبدل باک با ldo کلاس ab کمکی پیشنهاد شده است.

چکیده ندارد.