در این پایان نامه به مطالعه ی خواص ترابرد الکترونی در نیمرسانای گالیم آرسناید به روش نظری پرداخته شده است. در ابتدا روش شبیه سازی بر پایه ی معادلات نفوذ رانش نیمه کلاسیک انجام شد و پس از بررسی ناکارامدی نسبی روش نیمه کلاسیک در بیان مشخصات قطعات نانومتری، بر روی معادلات تصحیحات کوانتومی اعمال گردید. با این تصحیحات نتایج شبیه سازی به مقادیر قابل انتظار تبدیل گردید و اثرات پدیده هایی چون تونل زنی از سد پتانسیل و بازتاب از دیواره ی سد مشاهده گردید. سپس برای تکمیل بیشتر تحقیق، به شبیه سازی مدل های پیچیده تر پرداخته شد و نتایج حاصله با مقالات گوناگون مورد مقایسه قرار گرفت