سمیه زراعتی محمد امیری
دستگاه های پخشی-واداشته یک بعدی، به علت کاربردهای فراوان در زمینه های مختلف فیزیک، موضوع مطالعات بسیاری می-باشند. یکی از جالب ترین جنبه های این دستگاه ها توانایی تشکیل ساختار شوک است. در این پایان نامه، ابتدا یک دستگاه پخشی-واداشته یک بعدی با مرزهای باز، شامل یک شوک با دینامیک ولگشت ساده را معرفی می کنیم. سپس نشان داده می-شود که تابع پارش آن، با تابع پارش یک مدل گشت یک گذاری ارتباط دارد. نشان خواهیم داد که ارتباط مستقیمی بین کمیت های فیزیکی این دو دستگاه از طریق یک تبدیل تشابهی وجود دارد. در ادامه فرآیند طردی ساده نامتقارن (pasep) با مرزهای باز را در نظر می گیریم، آنجا که حالت پایای دستگاه را بتوان به صورت ترم هایی از برهم نهی خطی وزن های ضربی با تعداد محدودی شوک نوشت. سپس یک مدل گشت چند گذاری را برای آن معرفی خواهیم کرد. در نهایت بین کمیت های فیزیکی این دستگاه ها ارتباط خواهیم کرد.
سحر جواهری منوچهر بابایی پور
در این پایان نامه به بررسی خواص ساختاری و الکترونی نیمه رسانای لایه ای sns2 با استفاده از نظریه تابعی چگالی و روش امواج تخت ـ شبه پتانسیل پرداخته می شود . در این روش برای کاهش محاسبات از شبه پتانسیل ها استفاده می شود ، که برای ترکیب sns2 به صورت آماده در سایت espresso وجود دارد . با حل خود سازگار معادلات کوهن شم و با استفاده از نرم افزار pwscf ، خواص ساختاری و الکترونی این ماده شامل ساختار نواری ، چگالی الکترونی و چگالی حالتها بدست می آید . مقایسه نتایج بدست آمده در این روش با بعضی از مطالعات تجربی و تئوری دیگران توافق رضایت بخش را نشان می دهد
خدیجه خادمی ریزی منوچهر بابایی پور
دی اکسید تیتانیم (tio2) یک اکسید فلز واسطه با گستره وسیعی از کاربردهاست، که مورد توجه بسیاری از محققین قرار گرفته است. این ماده همچنین به عنوان یک سیستم مدل در علوم سطح به کار برده می شود. محاسبات در چارچوب نظریه تابعیت چگالی به روش شبه پتانسیل و به کارگیری تقریب های lda و gga روی انبوهه rutile tio2 و سطح استوکیومتری و کاهش یافته (110) rutile tio2 انجام می شود. مطالعات ساختار الکترونی نشان می دهد که انبوهه rutile tio2 یک نیمه رسانا با گاف نواری عریض است. باند های هیبرید شده به طورعمده در پایین باند ظرفیت واقع شده اند در حالی که در بالای باند ظرفیت به طور عمده اوربیتال های o 2p فاقد همپوشانی قرار دارند. باند رسانش توسط توزیع اوربیتال های 3d تعیین می شود. گاف نواری و سطوح پایینی باند رسانش در ابریاخته سطح استوکیومتری شبیه انبوهه است در حالی که در ابریاخته سطح کاهش یافته حالت های اشغال شده در لبه پایینی باند رسانش وجود دارد که اصولاً حول اتم های ti سطح متمرکز شده اند
زهرا علیرضایی محمد امیری
چکیده ندارد.
علی آقامحمدی فرهاد جعفرپورهمدانی
چکیده ندارد.
زهرا علیرضایی محمد امیری
چکیده ندارد.
سامان قادریان منوچهر بابایی پور
چکیده ندارد.
مصطفی حصارخانی منوچهر بابایی پور
چکیده ندارد.