در این پایان نامه، به بررسی توان تابش شده از یک ستون پلاسمایی مغناطیده و غیر مغناطیده و مقایسه آن ها می پردازیم. با استفاده از معادلات ماکسول، معادلات میدان های الکتریکی و مغناطیسی را در سه ناحیه پلاسما، دی الکتریک (برای محدود کردن پلاسما) و خلاء محاسبه می کنیم و سپس با محاسبه بردار پوینتینگ، توان تابش شده را می توان محاسبه کرد. هدف ما از این پایان نامه، بررسی توان تابشی برای دو حد 1- طول موجهای بلندr<ℵ 2- طول موج های کوتاه r>ℵ با مدهای متقارن محوری i=0 و غیر متقارنi=1 و رسم نمودارهای آن ها می باشد و سپس به تحلیل آن ها می پردازیم و مکانیزم تشعشعات پلاسمایی را بیان می کنیم و چگالی جریانی که در پلاسما به دلیل حرکت الکترون ها به وجود می آید، را محاسبه می کنیم و همچنین نشان می دهیم توان تابش شده از ستون پلاسما با حضور میدان مغناطیسی و در غیاب میدان مغناطیسی فرق چندانی با هم ندارند. همچنین نشان می دهیم کدام طول موج ها برای انتشار امواج برای ما از اهمیت بیشتری برخوردار هستند.

در این پایان نامه با به دست آوردن مجموعه ای از معادلات خطی، اثر میدان مغناطیسی خارجی را بر گسترش ناپایداری ها و میدان های الکترومغناطیسی تولید شده حاصل از ناهمسانگردی های تابع توزیع الکترونی پلاسما را مورد بررسی قرار دادیم. با تجزیه و تحلیل معادلات به دست آمده، ویژگی های ناپایداری های ویستلر و وایبل مورد مطالعه قرار می گیرد. درصورتی که پلاسما به سبب پدیده یونیزاسیون ایجاد شده باشد توزیع الکترونی آن ناهمگن خواهد بود. در صورت عدم حضور میدان مغناطیسی خارجی ناپایداری وایبل ایجاد می شود و با گذشت زمان رشد می کند. میدان های الکترومغناطیسی ایجاد شده به سبب ناپایداری وایبل نیز متناسب با آهنگ رشد ناپایداری ها به طور نمایی رشد می کنند. اگر میدان مغناطیسی خارجی بر پلاسما اعمال شود، دو موج دایروی با قطبیدگی ساعتگرد و پادساعتگرد ایجاد می شود. موج با قطبیدگی پادساعتگرد مربوط به برهمکنش با یون ها است که در لایه ای به ضخامت تضعیف شده و قادر به انتشار نیست. موج با قطبیدگی ساعتگرد( )با امواج هلیکون ارتباط دارند باعث برانگیختن امواج الکترونی در پلاسما می شود. برای وجود ناپایدای در تابع توزیع الکترونی باید شرط ( ) وجود داشته باشدکه زاویه بین جهت ناهمسانگردی اولیه در پلاسما و میدان مغناطیسی خارجی است. اگر شرط برقرار باشد موج هلیکون در فرآیند انتشاردرون پلاسما رشد کرده و در لبه ها سبب تابش الکترومغناطیس می شود.

پدیده تولید هارمونیک توسّط الکترون های نوسانگر در میدان یک لیزر قوی به عنوان ابزاری برای تولید تابش با طول موج کوتاه همواره مورد توجه بوده است. دراین میان پلاسما به عنوان محیطی که مکانیسم های بسیاری را برای تولید هارمونیک های بالا در برهمکنش با لیزر دراختیار قرار می دهد، به خوبی شناخته شده است. باتوجه به گستره وسیع کنونی کاربردهای لیزر در تقریباً تمامی شاخه های دانش و فناوری، مزیت های فراوان چنین منبعی برای تابش همدوس و تنظیم پذیر که در ناحیه زیرنانومتر کار کند، قابل تصور می باشد. در این پایان نامه تولید هارمونیک در برهمکنش لیزر با پلاسما در دو حالت پرچگال و کم چگال بررسی شده است. مدل آینه نوسانگر برای توصیف تولید هارمونیک در بازتابش از سطح پلاسمای پرچگال به کارگرفته شده است. تبدیل های نسبیتی ضرایب فرنل برای بازتاب و عبور تابش با قطبش دلخواه از مرز مشترک پلاسمای پرچگال-خلاء برای مرز متحرک محاسبه شده است. در ادامه با استفاده از روش اختلالی برای تولید هارمونیک های لیزر در برهمکنش با پلاسمای کم چگال، نشان داده شده است که در یک پلاسمای همگن این مکانیسم ها تنها تولید هارمونیک های فرد را دربرمی گیرند. باتوجه به ایجاد میدان های مغناطیسی قوی شبه ایستا در طی برهمکنش پالس های کوتاه با پلاسمای کم چگال و تأثیر این میدان ها بر انتشار پالس لیزر، در این پایان نامه ما تولید هارمونیک ها را در برهمکنش لیزر با پلاسمای همگن در حضور میدان مغناطیسی خارجی بررسی کرده ایم. با به کارگیری روش اختلالی تا مرتبه چهارم دامنه هارمونیک های تولید شده را به دست آورده و نشان داده ایم که اعمال این میدان منجربه تولید هارمونیک های مرتبه زوج نیز خواهد شد. همچنین بازده تولید هارمونیک های فرد نیز در حضور میدان افزایش چشمگیری خواهد داشت. سرانجام با بررسی جامعی از کمیت های درگیر در برهمکنش، مقادیر بهینه این پارامترها را به منظور افزایش بازده تولید هارمونیک های بالا پیشنهاد کرده ایم.

کسانی که جنگ جهانی دوم را پشت سر گذاشته بودند، در این احساس غوطه بودند که پس از جنگ و در اثر آن جهان دچار یک فقر ادبی و فرهنگی گردیده و همه مردم تشنه شنیدن صدایی تازه اند و در این میان تنها تئاتر بود که می توانست حتی به بهای مرگ خود، زبان گویای این دوران از تاریخ سیاه زیست آدمی باشد. همه چیز می بایست فرو می پاشید و از نو ساخته می شد. و در این میان زبان به عنوان ابزاری که در فریب بشر نقش مهمی داشت و از سویی دیگر به جای برقراری ارتباط مانع مراوده انسان ها با هم می شد بیش از هر چیز دیگری نوک پیکان را به سمت خویش متمایل می کرد. سبکها و مکاتب ادبی و هنری فراوانی در تخریب زبان کوشیدند، اما در تئاتر این ابزوردیستها بودند که بصورت شاخص تری این عمل را انجام دادند. در نمایش های ابزورد خصوصا آثار پیشگامان آن، زبان درخدمت بیان گسست و فروپاشی خود زبان است. آنها به این وسیله حتی به روانشناسی، فلسفه، زبان شناسی و نیز سایر علوم اجتماعی و ادبی حمله می کنند. اسلوب ابزورد از گستره ای وسیع برخوردار است. بطوری که در این راستا، ابزاری گوناگون همچون سیرک، پانتومیم، دلقک بازی، مهملات لفظی و تخیلات و اوهام، که اغلب دارای اجزای تمثیلیِ بارزی هم هستند، بکار گرفته می شوند. در این راه از روش هایی چون درگیر کردن تماشاگر در نشانه های زبانی انباشته شده، نوشتن به فرانسوی، نگارش به شیوه زبان پریشان، مهمل نویسی و نیز استفاده از شیوه های دادائیستی و سوررئالیستی در نگارش و ... بهره جسته اند. در این رساله روشها و علل فروپاشی زبان در تئاتر ابزورد مورد بحث قرار گرفته است.

برای اولین بار اصول اولیه ترمودینامیک نانو مواد و مقیاس گذاری کمیتهای اصلی آن برای توجیه رفتار نانو ذرات فلزی یک جزئی مورد بررسی قرار گرفت. بدین منظور ابتدا انرژی پیوندی درونی و سطح در تحلیلی ترمودینامیکی مدل سازی شدند. معیار شکل نیز در تحلیل فوق ادغام و بدین صورت مدل کلی تاثیرات اندازه و شکل در مقدار انرژی پیوندی ارائه شد. در ادامه تحقیق، نقاط بحرانی مربوط به توابع انرژی پیوندی که توجیه کننده رفتار غیر طبیعی نانو مواد می باشند بررسی شدند. همچنین مدلی ترمودینامیکی برای مقیاس گذاری انرژی پیوندی در لایه های متفاوت زیر سطح فلزات نیز در ابعاد نانو ارائه شد. سپس انتالپی، انتروپی و مقدار انرژی آزاد تشکیل gibbs نانو مواد نیز مدل سازی شدند. نتایج در تمام موارد مطابقت بسیار خوبی با داده های مراجع دیگر نشان دادند. در بخش بعد قانون فاز gibbs نیز با در نظر گرفتن متغیر جدید اندازه و شکل باز نویسی گردید. و در انتها مدل کلی تاثیر اندازه و شکل در مقدار ثابت تعادل واکنشهای شیمیایی و همچنین معیار جدید اکتیویته نانو مواد فلزی مدل سازی شدند، که در این موارد نیز نتایج به خوبی اعداد گزارش شده در مراجع دیگر را توجیه کردند.

لایه ی نازک اکسید سیلسیم به علت دارا بودن ضریب شکست پایین و در عین حال شفاف بودن در محدوده ی مریی کاربرد بسیار زیادی در قطعات اپتیکی و اپتوالکترونیکی دارد همچنین این ترکیب به علت دارا بودن خواص الکتریکی ویژه در قطعات میکروالکترونیک از جمله در مدارات مجتمع به طور وسیع مورد استفاده قرار می گیرد برای تولید ترکیب اکسید سیلسیم به صورت لایه نازک به روش رسوب گذاری بخار شیمیایی استفاده از گاز سیلان به عنوان پیش ماده متداول است. ولی این گاز بسیار اشتعال پذیر و انفجاری بوده به طوری که در صورت بروز حادثه خسارت جانی و مالی بسیار شدیدی به بار می آورد. بنابراین در سال های اخیر مواد متعددی به عنوان پیش ماده مورد بررسی قرار گرفته است. در این تحقیق از ماده ی فلزی-آلی teos استفاده شده است. لایه ی نازک اکسید سیلیسیم رسوب گذاری شده در دمای پایین به روش teos-pecvd متخلخل بوده و دارای ناخالص های کربنی و هیدروژنی است به طوری که برای بسیاری کاربردها اثر منفی بر روی خصوصیات لایه می گذارد از این رو تعداد زیادی تحقیق در رابطه با بررسی اثر متغیرهای مختلف فرآیند بر روی ترکیب و ساختار شیمیایی لایه های رسوب گذاری شده به روش pecvd انجام شده است. در حالی که تعداد اندکی منابع تحقیقاتی در رابطه با بررسی و مطالعه مکانیزم های فرآیند رسوب گذاری و ارتباط انها با متغیرهای فرایند به چاپ رسیده است بنابراین هدف این تحقیق بررسی اثر متغیرهای فرآیند teos-pecvd بر روی مشخصات لایه همراه با مطالعه و بررسی ارتباط آن ها با مکانیزم های فرآیند رسوب گذاری است. در این تحقیق از ترکیب گازی teos-o2-ar برای فرآیند رسوب گذاری استفاده شده است. متغیرهای که مورد بررسی قرار گرفته است عبارتند از نسبت فشار جزیی بخار teos به گاز اکسیژن درصد گاز آرگون، توان اعمالی و فشار کاری خواص لایه از قبیل ساختار بلوری، ترکیب و ساختار شیمیایی، زبری و توپوگرافی سطح، ضریب شکست لایه، سختی و میزان جذب و عبور uv_vis تحت آنالیز قرار گرفتند. همچنین از طیف سنجی گسیلی نوری برای آنالیز پلاسما استفاده شده است.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.