کاربردهای فوق العاده ی نانوسیم های مغناطیسی و اهمیت و ارزش پدیده gmr در نانوسیم های متشکل از مواد مغناطیسی و غیرمغناطیسی ما را بر آن داشت تا برای تحقیق و پژوهش در این عرصه گام نهیم و سعی کنیم تا با بررسی اثر شرایط الکتروانباشت پالسی بر کاهش مقدار مغناطش در نانوسیم های آلیاژی cocu در غلظت های مختلف مس، به شرایط بهینه برای ساخت نانوسیم های چند لایه ای دست یابیم. در تحقیق و پژوهش حاضر علاوه بر تلاش برای دست یابی به هدف بیان شده در بالا، خواص مغناطیسی از جمله مغناطش اشباع و میدان وادارندگی نانوسیم های آلیاژی کبالت- مس رشد یافته در قالب های آلومینای حفره دار و همچنین اثر تابکاری بر روی آنها بررسی شده است. بنابراین ابتدا نانو حفره های منظم به روش آندایز نرم دو مرحله ای ساخته شد و سپس نانوسیم ها با استفاده از روش الکترو انباشت پالسی و متناوب در داخل آن ها رشد داده شد و در نهایت اثر شرایط الکتروانباشت و اثر غلظت مس بر رفتار نانوسیم ها با استفاده از میکروسکوپ پروبی روبشی (spm) و مغناطو گرادیان نیروی متناوب(agfm) و طیف سنج پراش پرتوx (xrd) و آنالیز (eds) مورد مطالعه قرار گرفت.