در این تحقیق تشکیل اتصال مثبت – منفی cds/cu2s مورد بررسی قرار گرفت. این اتصال یکی از پر کاربرد ترین اجزاء در تولید سلول خورشیدی است. هر دوی این لایه ها به صورت لایه نازک تولید شدند. به منظور کاهش هزینه تولید٬ از روش شیمیایی جهت تشکیل لایه ها استفاده شد. مرحله اول تشکیل لایه نازک cds به کمک حمام شیمیایی حاوی یونهای cd و s بود. برای این منظور از زیر لایه ito استفاده شد که در دستگاه آلتراسونیک به کمک استون و نهایتاً آب دی یونیزه٬ به طور کامل تمیز کاری شده بود. تلاش گردید با تغییر در زمان لایه نشانی٬ دما٬ ph و غلظت حمام٬ کیفیت و مورفولوژی لایه ارتقاء یابد. لایه نازک cds تشکیل شده توسط xrd و میکروسکوپ الکترونی روبشی به همراه آنالیز edx مورد بررسی قرار گرفت و به این ترتیب صحت ترکیب لایه تشکیل شده تایید شد. ضخامت لایه های تشکیل شده در شرایط مختلف توسط دستگاه پروفایلمتر بین 150 تا 500 نانومتر بدست آمد. مشاهده شد که با افزایش زمان و دمای پوشش دهی٬ ضخامت لایه ها افزایش می یابد. شکاف انرژی نمونه ها از طیف عبوری از پوششها در یک بازه طول موج محاسبه و در حدود ev54/2-38/2 بدست آمد. مرحله بعد تشکیل لایه نازک cu2s به روش تبادل یونی بود. افزایش دمای حمام٬ غلظت حمام و زمان نگهداری زیر لایه cds در حمام تبادل یونی باعث یکنواختی بیشتر درلایه cu2s شد. بررسی ترکیب و مورفولوژی لایه تشکیل شده به کمک روشهای xrd با زاویه کم٬ edx٬ semو xps انجام شد. به این ترتیب از صحت ترکیب اتصال مثبت – منفی cds/cu2s اطمینان حاصل شد.